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晶升股份研發(fā)出液相法碳化硅晶體生長設(shè)備

作者 |發(fā)布日期 2024 年 05 月 14 日 18:00 | 分類 企業(yè)
目前,PVT生長工藝是國內(nèi)廠商生長SiC晶體的主流方法,液相法生長技術(shù)則處于研究和開發(fā)階段。 關(guān)于液相法SiC晶體生長設(shè)備,晶升股份提前開展了相關(guān)布局并已經(jīng)在2023年提供樣機(jī)給多家客戶,隨后晶升股份協(xié)同客戶不斷進(jìn)行優(yōu)化和改進(jìn),進(jìn)一步提升晶體的品質(zhì)與良率。 圖片來源:拍信網(wǎng)正版...  [詳內(nèi)文]

三安光電:已開發(fā)車規(guī)級GaN芯片技術(shù)平臺

作者 |發(fā)布日期 2024 年 05 月 14 日 18:00 | 分類 企業(yè)
三安光電主要從事碳化硅、砷化鎵、氮化鎵、藍(lán)寶石等半導(dǎo)體新材料、外延、芯片與器件的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售,5月13日,三安光電在投資者互動平臺披露了其第三代半導(dǎo)體、LED、濾波器等業(yè)務(wù)最新進(jìn)展。 圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫 開發(fā)車規(guī)級GaN芯片技術(shù)平臺 關(guān)于第三代半導(dǎo)體相關(guān)業(yè)務(wù)進(jìn)展情況,...  [詳內(nèi)文]

碳化硅廠商昕感科技再添戰(zhàn)略股東

作者 |發(fā)布日期 2024 年 05 月 14 日 16:34 | 分類 企業(yè)
5月11日,昕感科技官微發(fā)文稱,公司已完成京能集團(tuán)旗下北京京能能源科技并購?fù)顿Y基金戰(zhàn)略入股。 source:昕感科技 公開資料顯示,昕感科技成立于2020年9月,聚焦于寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅(SiC)功率芯片和模塊設(shè)計、開發(fā)及制造,并分別在江陰和深圳設(shè)有芯片器件生產(chǎn)線和模塊模組研發(fā)...  [詳內(nèi)文]

SiC、GaN廠商沖刺IPO,誰將率先上岸?

作者 |發(fā)布日期 2024 年 05 月 14 日 13:56 | 分類 產(chǎn)業(yè)
IPO是企業(yè)獲得融資、提升品牌知名度的重要手段之一,在尚未正式登陸資本市場之前,企業(yè)IPO相關(guān)進(jìn)展,都有可能收割一波流量,成為業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn),進(jìn)而擴(kuò)大企業(yè)在市場中的影響力。 對于當(dāng)前十分火熱的SiC產(chǎn)業(yè)而言,除了大手筆擴(kuò)產(chǎn)、大規(guī)模融資、重量級合作等動作外,廠商IPO也能夠一石激起...  [詳內(nèi)文]

聚焦碳化硅,羅姆與東芝聯(lián)手深化功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)合作

作者 |發(fā)布日期 2024 年 05 月 13 日 18:28 | 分類 企業(yè)
據(jù)外媒報道,在羅姆近日召開的財務(wù)業(yè)績發(fā)布會上,公司總裁Isao Matsumoto(松本功)宣布,將于今年6月開始與東芝在半導(dǎo)體業(yè)務(wù)方面進(jìn)行業(yè)務(wù)談判,預(yù)計談判將持續(xù)一年左右。兩家公司旨在加強(qiáng)旗下半導(dǎo)體業(yè)務(wù)全方面合作,涵蓋技術(shù)開發(fā)、生產(chǎn)、銷售、采購和物流等領(lǐng)域。 松本功表示:“東芝...  [詳內(nèi)文]

揚(yáng)杰科技、新潔能取得SiC、GaN相關(guān)專利

作者 |發(fā)布日期 2024 年 05 月 13 日 18:00 | 分類 企業(yè)
近日,揚(yáng)杰科技和新潔能2家第三代半導(dǎo)體相關(guān)廠商分別取得SiC、GaN相關(guān)專利。 圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫 揚(yáng)杰科技取得GaN MOSFET專利 天眼查資料顯示,5月10日,揚(yáng)杰科技取得一項“一種氮化鎵MOSFET封裝應(yīng)力檢測結(jié)構(gòu)”專利,授權(quán)公告號CN110749389B,申請日...  [詳內(nèi)文]

國內(nèi)最大碳化硅器件基地首棟建筑提前封頂

作者 |發(fā)布日期 2024 年 05 月 13 日 14:43 | 分類 企業(yè)
據(jù)報道,長飛先進(jìn)武漢基地項目首棟宿舍樓日前提前封頂,這標(biāo)志著該項目進(jìn)入投產(chǎn)倒計時,預(yù)計于今年6月全面封頂,明年7月投產(chǎn)。 source:中國光谷 長飛先進(jìn)武漢基地項目位于武漢新城中心片區(qū),由長飛先進(jìn)半導(dǎo)體(武漢)有限公司出資建設(shè),總投資預(yù)計超過200億元。 該項目主要聚焦于第三...  [詳內(nèi)文]

銦杰半導(dǎo)體宣布磷化銦材料漲價15%

作者 |發(fā)布日期 2024 年 05 月 11 日 18:10 | 分類 光電
昨日(5/10),陜西磷化銦材料廠商銦杰半導(dǎo)體公布調(diào)價通知,其磷化銦多晶產(chǎn)品將自5月31日起漲價15%。 對于此次調(diào)價的原因,銦杰半導(dǎo)體指出,原材料高純銦價格自2024年1月開始持續(xù)上漲,漲幅超40%,同時,其余材料成本也都有所上升,在此背景下,公司決定調(diào)整產(chǎn)品價格。 據(jù)了解,...  [詳內(nèi)文]

搭載1200V SiC電控,比亞迪發(fā)布海獅07EV

作者 |發(fā)布日期 2024 年 05 月 11 日 18:00 | 分類 企業(yè)
5月10日,比亞迪發(fā)布全新一代e平臺3.0 Evo及首搭車型海獅07EV。據(jù)悉,海獅07EV搭載的高效十二合一智能電驅(qū)系統(tǒng),全系搭載1200V SiC電控,采用23000rpm轉(zhuǎn)速電機(jī),其極速可達(dá)225km/h以上。 圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫 在SiC模塊方面,e平臺3.0 E...  [詳內(nèi)文]

10億,源芯微SiC芯片項目簽約落地浙江湖州

作者 |發(fā)布日期 2024 年 05 月 11 日 18:00 | 分類 企業(yè)
5月9日,“南太湖發(fā)布”官微披露,浙江湖州南太湖新區(qū)管理委員會和安徽源芯微電子有限責(zé)任公司(以下簡稱源芯微電子)舉行源芯微電子年產(chǎn)20億只車規(guī)級芯片智造項目簽約儀式。 source:南太湖發(fā)布 據(jù)悉,此次簽約落地的年產(chǎn)20億只車規(guī)級芯片智造基地和SiC車規(guī)級芯片研究院項目總投資...  [詳內(nèi)文]