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三星加碼氮化鎵功率半導(dǎo)體

作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 05 日 8:41 | 分類 企業(yè)
根據(jù)韓媒報道,9月2日,三星電子在第二季度引入了少量用于大規(guī)模生產(chǎn)GaN功率半導(dǎo)體的設(shè)備。 GaN是下一代功率半導(dǎo)體材料,具有比硅更好的熱性能、壓力耐久性和功率效率?;谶@些優(yōu)勢,IT、電信和汽車等行業(yè)對其的需求正在增加。 三星電子也注意到了GaN功率半導(dǎo)體行業(yè)的增長潛力,并一直...  [詳內(nèi)文]

英飛凌碳化硅模塊“上車”零跑C16智能電動汽車

作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 04 日 18:00 | 分類 企業(yè)
9月4日,據(jù)“英飛凌汽車電子生態(tài)圈”官微消息,英飛凌宣布將為零跑汽車最新發(fā)布的C16智能電動汽車供應(yīng)碳化硅HybridPACK? Drive G2 CoolSiC?功率模塊和AURIX?微控制器等多款產(chǎn)品。據(jù)稱,搭載英飛凌CoolSiC功率模塊的牽引逆變器可進(jìn)一步提升電動汽車整車...  [詳內(nèi)文]

化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域廠商合作案+2

作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 04 日 18:00 | 分類 企業(yè)
近日,化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新增2起合作案例,分別為矽迪半導(dǎo)體&永陽集團(tuán)戰(zhàn)略合作簽約、Finwave與GlobalFoundries合作開發(fā)用于手機(jī)應(yīng)用的RF GaN-on-Si技術(shù)。 圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫 矽迪半導(dǎo)體與永陽集團(tuán)舉行戰(zhàn)略合作協(xié)議簽約儀式 9月3日,據(jù)矽迪半...  [詳內(nèi)文]

芯聯(lián)集成將新增氮化鎵產(chǎn)線

作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 03 日 18:11 | 分類 企業(yè)
9月2日晚,芯聯(lián)集成披露了公司2024年上半年業(yè)績電話說明會相關(guān)內(nèi)容。會上,芯聯(lián)集成表示,公司將增加GaN產(chǎn)品線,來滿足新應(yīng)用的需求。 根據(jù)芯聯(lián)集成2024年半年報顯示,報告期內(nèi),芯聯(lián)集成實現(xiàn)營收28.80億元,同比增長14.27%;歸母凈利潤-4.71億元,歸母扣非凈利潤-7....  [詳內(nèi)文]

氮化鎵激光芯片廠商鎵銳芯光完成天使輪融資

作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 03 日 18:00 | 分類 企業(yè)
企查查資料顯示,8月29日,蘇州鎵銳芯光科技有限公司(以下簡稱:鎵銳芯光)完成天使輪融資,投資方分別為深圳水木壹號創(chuàng)業(yè)投資合伙企業(yè)(有限合伙)、蘇州華泰華芯太湖光子產(chǎn)業(yè)投資基金合伙企業(yè)(有限合伙)和深圳市繹立銳光科技開發(fā)有限公司。鎵銳芯光成立于2023年5月,是一家氮化鎵基激光器...  [詳內(nèi)文]

必創(chuàng)科技擬控股創(chuàng)世威納,布局半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域

作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 03 日 18:00 | 分類 企業(yè)
9月2日,北京必創(chuàng)科技股份有限公司(以下簡稱:必創(chuàng)科技)發(fā)布公告稱,其擬通過兩步取得北京創(chuàng)世威納科技有限公司(以下簡稱:創(chuàng)世威納)控制權(quán)。 圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫 第一步,必創(chuàng)科技擬于2024年內(nèi)通過增資取得創(chuàng)世威納約10%股權(quán),該次交易完成后創(chuàng)世威納將成為必創(chuàng)科技參股公司;...  [詳內(nèi)文]

總計170億,先導(dǎo)科技旗下2個化合物半導(dǎo)體項目開工

作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 02 日 18:10 | 分類 企業(yè)
據(jù)德州天衢新區(qū)官微消息,8月31日,山東2024年秋季全省高質(zhì)量發(fā)展重大項目現(xiàn)場推進(jìn)會召開,德州設(shè)立分會場,會上宣布總投資50億元的半導(dǎo)體激光雷達(dá)及傳感器件產(chǎn)業(yè)化項目開工。 據(jù)介紹,半導(dǎo)體激光雷達(dá)及傳感器件產(chǎn)業(yè)化項目位于天衢新區(qū)崇德八大道以東、尚德五路以南,總建筑面積約25萬平方...  [詳內(nèi)文]

天岳先進(jìn)+海信,掘金碳化硅家電市場

作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 02 日 18:09 | 分類 碳化硅SiC
昨日(9/1),天岳先進(jìn)在官微宣布將與海信集團(tuán)就SiC(碳化硅)在白色家電領(lǐng)域的應(yīng)用展開交流,意味著雙方未來將共同加快推動SiC技術(shù)在白色家電領(lǐng)域的應(yīng)用進(jìn)程。 天岳先進(jìn)介紹,公司董事長宗艷民先生率團(tuán)于2024年8月30日訪問了海信集團(tuán),公司家電集團(tuán)研發(fā)技術(shù)負(fù)責(zé)人與海信空調(diào)事業(yè)部負(fù)...  [詳內(nèi)文]

東尼電子、華潤微等12家化合物半導(dǎo)體廠商業(yè)績大PK

作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 02 日 18:00 | 分類 產(chǎn)業(yè)
近日,12家化合物半導(dǎo)體相關(guān)廠商東尼電子、華潤微、高測股份、芯聯(lián)集成、斯達(dá)半導(dǎo)體、合盛硅業(yè)、江豐電子、中瓷電子、頂立科技、長光華芯、立昂微、通富微電相繼發(fā)布了2024年上半年業(yè)績。其中,江豐電子、頂立科技實現(xiàn)營收凈利雙增長。 東尼電子上半年實現(xiàn)營收8.33億元,正在進(jìn)行高規(guī)格6...  [詳內(nèi)文]

國內(nèi)溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造關(guān)鍵技術(shù)有新突破

作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 02 日 17:21 | 分類 功率
據(jù)南京發(fā)布近日消息,國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心(南京)歷時4年自主研發(fā),成功攻關(guān)溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造關(guān)鍵技術(shù),打破平面型碳化硅MOSFET芯片性能“天花板”。據(jù)悉這是我國在這一領(lǐng)域的首次突破。 source:江寧發(fā)布 公開資料顯示,碳化硅是第三代半導(dǎo)體材料的主要代...  [詳內(nèi)文]