近日，化合物半導體產業(yè)新增2起合作案例，分別為矽迪半導體&永陽集團戰(zhàn)略合作簽約、Finwave與GlobalFoundries合作開發(fā)用于手機應用的RF GaN-on-Si技術。
圖片來源：拍信網正版圖庫
矽迪半導體與永陽集團舉行戰(zhàn)略合作協議簽約儀式
9月3日，據矽迪半導體官微消息，矽迪半導體近日與永陽集團舉行了戰(zhàn)略合作協議簽約儀式，雙方將在技術創(chuàng)新、市場拓展及產業(yè)鏈整合等方面進行合作。
資料顯示，矽迪半導體成立于2023年2月，致力于功率模塊應用解決方案研發(fā)與銷售，擁有自主知識產權的功率模塊應用、仿真、設計、數據管理、項目流管理等于一體的EDA工具，并具備全面的研發(fā)能力，包括終端方案、功率模塊、芯片研發(fā)等，能夠為客戶提供應用性強、能效高、響應迅速的集成化產品解決方案。
據悉，矽迪半導體的核心業(yè)務是功率半導體模塊產品，相關產品均采用新型的工藝技術和先進的半導體材料，如碳化硅和氮化鎵，以及高功率密度IGBT和FRD等。
矽迪半導體核心產品升壓轉換器（Boost）采用了IGBT并聯碳化硅MOSFET技術，組合轉換效率達99%，成本可降低至全碳化硅方案的6成左右。
2023年9月，矽迪半導體完成數千萬元天使輪融資，由九合創(chuàng)投領投，融資資金主要用于產品的研發(fā)和生產。
作為矽迪半導體戰(zhàn)略合作方，永陽集團成立于2004年，是一家致力于為客戶提供電子元器件及技術服務的專業(yè)公司，主營射頻、微波、毫米波器件、高精度射頻電纜組件，同軸連接器及消費類電子IC產品，是世界各大射頻微波器件廠商在中國市場的授權代理商。
Finwave與GlobalFoundries合作開發(fā)手機用RF GaN-on-Si技術
據外媒報道，8月29日，專注于氮化鎵技術的Finwave公司宣布已與專業(yè)代工廠GlobalFoundries（GF）達成了一項戰(zhàn)略技術開發(fā)和許可協議。
雙方此次合作旨在將Finwave的GaN-on-Si技術與GF在美國的大批量生產能力和在RF方面的持久創(chuàng)新（包括RF絕緣體上硅和硅鍺解決方案）相結合。合作的重點將是優(yōu)化Finwave的增強型（E-mode）MISHEMT技術，并在GlobalFoundries位于佛蒙特州伯靈頓的8英寸半導體制造工廠實現量產。
Finwave的8英寸GaN-on-Si E-mode MISHEMT平臺提供了卓越的射頻性能以及在低于5V的電壓下出色的增益和效率，同時確保8英寸晶圓的高均勻性。
通過利用Finwave的技術，GF的90RFGaN平臺將提供高功率密度和高效率，從而實現高性能、優(yōu)化的設備，節(jié)省占用空間和成本。雙方此次合作將在傳統(tǒng)GaAs和Si技術無法滿足的應用中，提供高效功率放大器解決方案，包括新的更高頻率的5G FR2/FR3頻段、6G和毫米波放大器以及高功率Wi-Fi 7系統(tǒng)，這些應用中卓越的有效傳輸距離和效率至關重要。
對于此次合作，Finwave首席執(zhí)行官Pierre-Yves Lesaicherre博士表示，雙方合作為射頻前端的進一步創(chuàng)新和集成到單一硅基氮化鎵設備上打開了大門。這是以前從未做過的，并且有可能降低成本和尺寸，這兩者對于手機而言都非常重要。
GF射頻業(yè)務副總裁兼總經理Shankaran Janardhanan則表示，隨著下一代無線網絡對設備的運行頻率提出了更高的要求，Finwave的低電壓硅基氮化鎵技術結合GF的90RFGaN平臺將成為未來手機中功率放大器的重要組成部分，確保了強大的性能和高功率效率。
基于GF的大批量CMOS制造能力，Finwave和GlobalFoundries的目標是在2026年上半年將這項技術用于大規(guī)模生產。
據悉，Finwave的前身是劍橋電子公司，由麻省理工學院的研究人員于2012年創(chuàng)立。2022年7月，Finwave宣布完成1220萬美元的A輪融資，這筆資金將用于擴大公司的團隊、產品開發(fā)活動和實驗室設施，推進Finwave采用下一代3D GaN FinFET技術。
3D GaN FinFET技術由Finwave聯合創(chuàng)始人Tomas Palacios教授和Bin Lu博士合作研發(fā)，能夠顯著提高5G毫米波系統(tǒng)的線性度、輸出功率和效率，同時降低運營商成本。（集邦化合物半導體Zac整理）
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