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華為任正非：中國在中低端芯片有機會，特別是化合物半導體
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 12 日 15:09 | 分類 企業(yè) , 半導體產業(yè)
“人民日報”官微消息，近期，在深圳華為總部，圍繞大眾關心的一些熱點話題，人民日報記者一行與華為首席執(zhí)行官任正非面對面交流。 談及中國芯片發(fā)展，任正非表示，中國在中低端芯片上是可以有機會的，中國數(shù)十、上百家芯片公司都很努力。特別是化合物半導體 機會更大 硅基芯片，我們用數(shù)學補物理、...  [詳內文]

華東理科大學氮化鎵晶圓檢測研究新進展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 11 日 17:11 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
近日，華東理科大學上海市智能感知與檢測技術重點實驗室智能傳感團隊在氮化鎵晶圓檢測研究中取得重要進展。 圖片來源：華東理科大學 團隊利用開發(fā)的二維有機薄膜憶阻器實現(xiàn)了有圖案晶圓的缺陷檢測和無圖案晶圓的表面粗糙度分類。 相關研究成果以“Covalent organic framew...  [詳內文]

東芝公布碳化硅新技術
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 11 日 17:08 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，東芝發(fā)布公告表示，其基于自主研發(fā)的“小型芯片布局設計技術”和“基于AI設計優(yōu)化技術”，開發(fā)出了一種“樹脂絕緣型SiC功率半導體模塊”，能顯著提高使用“樹脂”作為絕緣基板的SiC功率模塊的功率密度（單位面積的功率處理能力）。 東芝介紹，無論何種絕緣類型（包括陶瓷）的功率模塊都...  [詳內文]

繼武漢碳化硅基地投產后，長飛先進再獲進展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 11 日 17:03 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
據(jù)長飛先進官微消息，近日，北京經緯恒潤科技股份有限公司（簡稱 “經緯恒潤”）與安徽長飛先進半導體股份有限公司（簡稱 “長飛先進”）順利完成戰(zhàn)略合作協(xié)議簽約。未來，雙方將充分發(fā)揮各自在汽車動力及碳化硅功率半導體領域的資源優(yōu)勢，共同推進國產碳化硅模塊的車規(guī)認證進程及批量生產、交付，助...  [詳內文]

日月光授予漢高2024最佳供應商：材料創(chuàng)新賦能可持續(xù)未來
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 11 日 11:48 | 分類 企業(yè)
近日，材料科學巨頭漢高（Henkel）獲全球領先的半導體封裝和測試服務提供商日月光投資控股股份有限公司（ASE）頒發(fā)的2024年度最佳供應商獎。此次獲獎，是漢高與日月光長期戰(zhàn)略合作的重要里程碑，標志著雙方在技術創(chuàng)新和綠色可持續(xù)發(fā)展方向的深度協(xié)同將邁入新的階段。 以技術創(chuàng)新驅動行...  [詳內文]

瞻芯電子與浙江大學聯(lián)合發(fā)表10kV SiC MOSFET研發(fā)成果
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 09 日 14:56 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，瞻芯電子與浙江大學在一場行業(yè)會議上聯(lián)合發(fā)表了10kV等級SiC MOSFET的最新研究成果，受到了各界廣泛關注。這一成果彰顯了瞻芯電子在SiC功率器件領域的創(chuàng)新引領地位。 10kV等級SiC MOSFET器件在下一代智能電網(wǎng)、高壓大容量功率變換系統(tǒng)等領域有廣闊的應用場景。但...  [詳內文]

?參會提醒 | 集邦咨詢半導體產業(yè)高層論壇明日舉行（附參會指南）
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 09 日 14:52 | 分類 研討會
明日（6月10日），由TrendForce集邦咨詢主辦，時創(chuàng)意、銓興科技支持的“TSS2025集邦咨詢半導體產業(yè)高層論壇”將在深圳福田金茂JW萬豪酒店隆重舉行。 為方便出行，順利參會，小編為大家整理了這份“參會指南”，希望大家在參會期間，收獲滿滿。 溫馨提示：本次會議為面向產業(yè)鏈...  [詳內文]

借力IPO，基本半導體中山百萬級SiC封裝線項目獲批
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 09 日 14:17 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
6月4日，廣東省投資項目在線審批監(jiān)管平臺發(fā)布了基本半導體（中山）有限公司（以下簡稱“基本半導體”）年產100萬只碳化硅模塊封裝產線建設項目備案公示，這一重大進展，與基本半導體此前5月27日向香港聯(lián)合交易所遞交上市申請的消息相呼應。 圖片來源：廣東省投資項目在線審批監(jiān)管平臺 此次...  [詳內文]

穩(wěn)懋半導體發(fā)布基于SiC襯底的0.12μm GaN HEMT
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 06 日 13:56 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
氮化鎵高電子遷移率晶體管（HEMT）技術正迎來重大突破。近日，純化合物半導體代工廠#穩(wěn)懋半導體（WIN Semiconductors）推出基于SiC襯底的0.12微米柵極長度D型GaN HEMT技術，預計2025年第三季度量產，這將顯著提升高頻射頻電路性能，加速GaN技術在5G/...  [詳內文]

瞄準車規(guī)級碳化硅，理想發(fā)表重要成果
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 06 日 13:53 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
6月5日，理想汽車官方公眾號發(fā)文表示，近期理想汽車在第37屆ISPSD（功率半導體器件和集成電路國際會議）上發(fā)表了與車規(guī)級碳化硅相關的論文。 該篇論文來自理想汽車自研SiC芯片團隊，論文題為《1200V汽車級碳化硅MOSFET芯片擊穿電壓離群芯片的分析與篩選技術研究》，展示了碳化...  [詳內文]