文章分類： 氮化鎵GaN

英諾賽科重磅新品，大功率氮化鎵來襲

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 20 日 14:37 |
| 分類: 功率 , 射頻 , 氮化鎵GaN
英諾賽科宣布發(fā)布新品GaN 功率 IC： 采用TO-247-4L 封裝，集成柵極驅(qū)動和短路保護的 GaN 功率 IC，適用于高功率密度和高效率的大功率應(yīng)用。 ISG612xTD SolidGaN IC ISG612xTD SolidGaN IC是700V E-Mode GaN 功...  [詳內(nèi)文]

HKC惠科微間距LED大屏技術(shù)取得突破

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 19 日 11:26 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，HKC惠科成功完成全球首款硅基GaN單芯集成全彩Micro-LED芯片 （SiMiP）在微間距LED大屏直顯領(lǐng)域的應(yīng)用的研發(fā)。 基于微間距LED大屏直顯領(lǐng)域迅速發(fā)展, 伴隨著像素間距的進一步微縮，縮小芯片在COB產(chǎn)品的需求急速提升。MiP方案成為微間距大屏直顯技術(shù)發(fā)展的不二...  [詳內(nèi)文]

氮化鎵廠商獲得3200萬美元C輪融資

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 19 日 11:10 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，氮化鎵廠商Cambridge GaN Devices (CGD)宣布 已成功完成3,200萬美元的C輪融資。該投資由一位戰(zhàn)略投資者牽頭、英國耐心資本參與，并獲得了現(xiàn)有投資者 Parkwalk、英國企業(yè)發(fā)展基金（BGF）、劍橋創(chuàng)新資本公司（CIC）、英國展望集團（Foresi...  [詳內(nèi)文]

印度積極布局第三代半導(dǎo)體

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 19 日 10:36 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近年，印度積極推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體正受到極大關(guān)注。 近期，外媒報道，印度信息技術(shù)部長阿什維尼·瓦伊什納透露，首款“印度制造”芯片有望于今年9月或10月亮相，同時，印度也正在研發(fā)氮化鎵芯片。 據(jù)悉，印度已向位于班加羅爾的科學(xué)研究所 (IISc) ...  [詳內(nèi)文]

江蘇再添一碳化硅項目！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 18 日 11:15 |
| 分類: 功率 , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日，連云港市生態(tài)環(huán)境局公布了對“連云港鴻蒙硅材料有限公司年產(chǎn)1.5萬噸碳化硅高級研磨材料及年產(chǎn)10萬件碳化硅陶瓷制品項目”環(huán)評文件擬審批意見。 source：連云港市生態(tài)環(huán)境局 據(jù)介紹，本項目產(chǎn)品為碳化硅粉和碳化硅陶瓷。碳化硅粉可廣泛用于耐火材料、磨料、陶瓷、半導(dǎo)體、復(fù)合材料...  [詳內(nèi)文]

三家功率半導(dǎo)體相關(guān)企業(yè)獲得新一輪融資

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 18 日 10:52 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
功率半導(dǎo)體作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的重要細分領(lǐng)域，近年隨著新能源、汽車電子等領(lǐng)域的快速發(fā)展，功率半導(dǎo)體需求與日俱增，也愈發(fā)受到資本市場關(guān)注。近期，市場傳出三家功率半導(dǎo)體相關(guān)公司獲得新一輪融資，涉及碳化硅、氮化鎵、IGBT等領(lǐng)域。 01瑞為新材完成新一輪股權(quán)融資 2月17日，“君聯(lián)資本”官...  [詳內(nèi)文]

國防氮化鎵訂單量產(chǎn)，韓國WAVICE營收增長73%

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 14 日 15:27 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，氮化鎵（GaN）射頻芯片廠商WAVICE宣布，2024年公司銷售額為293億韓元。隨著國防訂單的全面量產(chǎn)，銷售額同比增長73%。 WAVICE表示：“我們參與的開發(fā)項目已陸續(xù)轉(zhuǎn)為量產(chǎn)，包括2023年簽署了一份價值344 億韓元的船舶用多功能雷達氮化鎵射頻模塊的量產(chǎn)合同。 資...  [詳內(nèi)文]

機器人，氮化鎵下一個風(fēng)口？

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 12 月 20 日 18:00 |
| 分類: 產(chǎn)業(yè) , 功率 , 氮化鎵GaN
氮化鎵（GaN）材料具有寬禁帶、高電子遷移率、高熱導(dǎo)率、高擊穿電壓、化學(xué)穩(wěn)定性等特點，以及較強的抗輻射、抗高溫、抗高壓能力，這些特性使得氮化鎵在功率半導(dǎo)體器件、光電子器件以及射頻電子器件等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。 目前，功率氮化鎵在消費電子領(lǐng)域應(yīng)用已漸入佳境，并正在逐步向各類應(yīng)用...  [詳內(nèi)文]

氮化鎵晶圓代工廠BelGaN收到10億元競標

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 08 月 26 日 18:30 |
| 分類: 氮化鎵GaN
7月底，總部位于比利時奧德納爾德（Oudenaarde, Belgium）的硅基GaN（氮化鎵）晶圓代工廠宣布申請破產(chǎn)，近日傳出新進展：意向買家已經(jīng)出現(xiàn)。 據(jù)外媒報道，BelGaN現(xiàn)已收到多項競標，其中，一家瑞典-芬蘭財團以位于赫爾辛基的7 Semiconductors Oy為名...  [詳內(nèi)文]

AI服務(wù)器、人形機器人等引燃，氮化鎵打響“翻身仗”！

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 08 月 20 日 17:43 |
| 分類: 氮化鎵GaN
從歡呼聲到質(zhì)疑聲，GaN（氮化鎵）近幾年在功率半導(dǎo)體市場并非一路坦途，中間呈現(xiàn)出些許“雷聲大雨點小”的態(tài)勢，但GaN巨大的應(yīng)用潛力一直毋庸置疑，用心挖掘其技術(shù)潛能并認真耕耘市場的企業(yè)深知，GaN只是還沒到綻放的時機。而當(dāng)下多種跡象逐漸證明，GaN將迎來華麗轉(zhuǎn)身，如今的走向與當(dāng)初看...  [詳內(nèi)文]