文章分類： 碳化硅SiC

直擊2023亞洲充電展：英諾賽科、納微等17家三代半龍頭聚集

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 03 月 17 日 10:22 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
3月14日，為期三天的2023（春季）亞洲充電展在深圳正式開幕?，F(xiàn)場展示和發(fā)布了數(shù)千款新品，覆蓋電源芯片、功率器件、被動器件、新能源產品、消費類電源、智能化設備等領域。 據(jù)TrendForce集邦咨詢化合物半導體市場了解到，此次展會，英諾賽科、基本半導體、納微半導體、芯塔電子、P...  [詳內文]

產能增5倍、營收增34％，三菱電機公布碳化硅新計劃

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 03 月 16 日 16:35 |
| 分類: 碳化硅SiC
三菱電機昨（14）日宣布，為響應快速增長的電動汽車SiC功率半導體需求，并擴大新應用市場，例如低能量損耗、高溫運行或高速開關等，三菱電機將增產高效節(jié)能的碳化硅功率半導體。 計劃主要包含兩部分，一方面是投資約1000億日元，其中大部分將用于建設新的8英寸SiC晶圓廠，并加強相關生產...  [詳內文]

愛科思達第三代半導體設備研發(fā)制造基地項目簽約落地

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 03 月 16 日 15:13 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
3月15日，火炬工業(yè)集團與深圳愛科思達科技有限公司（以下簡稱“愛科思達”）在舉行“智能電源設備研發(fā)制造基地項目”簽約儀式。 圖片來源：中山火炬工業(yè)集團 據(jù)悉，愛科思達建設打造的智能電源設備研發(fā)制造基地項目，擬投資8億元，達產后預計新增產值超10億元，稅收超5000萬元。項目建成...  [詳內文]

中國半導體設備供應商的2022

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 03 月 15 日 17:33 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
半導體設備市場，又泛起了波瀾。 芯片制造實力被視為是未來全球半導體產業(yè)競爭的核心，而半導體設備作為芯片制造的關鍵，是近幾年討論的熱門話題，尤其是隨著美國對華制裁的推進，半導體設備領域更是被推上了風口浪尖。國際設備巨頭相繼開始弱化中國市場，以期減少美國的對華出口限制的沉重負擔。 與...  [詳內文]

汽車芯片巨頭大舉擴產

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 03 月 14 日 17:21 |
| 分類: 碳化硅SiC
當前，隨著全球消費市場上手機、PC等產品需求日益低迷，行業(yè)廠商正為難以消化的大量芯片庫存而感到煩惱。 而汽車芯片的繁榮與其他賽道的急劇下滑形成鮮明對比，向電動化和智能化方向發(fā)展的汽車市場正涌現(xiàn)出對芯片的巨大需求。 縱觀全球半導體頭部大廠，近期財報都一定程度受到逆風環(huán)境所影響，但汽...  [詳內文]

2022年第四季前十大晶圓代工產值環(huán)比減少4.7%，今年第一季持續(xù)下滑

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 03 月 13 日 17:35 |
| 分類: 碳化硅SiC
據(jù)TrendForce集邦咨詢調查顯示，雖終端品牌客戶自2022年第二季起便陸續(xù)啟動庫存修正，但由于晶圓代工位于產業(yè)鏈上游，加上部分長期合約難以迅速調整，因此除部分二、三線晶圓代工業(yè)者能因應客戶需求變化，實時反應進行調整。 其中又以八英寸廠較明顯，其余業(yè)者產能利用率修正自去年第四...  [詳內文]

三代半“上車”，國星光電SiC-SBD通過車規(guī)級認證

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 03 月 13 日 17:33 |
| 分類: 碳化硅SiC
近日，國星光電開發(fā)的1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件成功通過第三方權威檢測機構可靠性驗證，并獲得AEC-Q101車規(guī)級認證。這標志著國星光電第三代半導體功率器件產品從工業(yè)領域向新能源汽車領域邁出堅實步伐。 01、提升性能，做實高品質產品 通過認證的...  [詳內文]

東尼電子2022年凈利增長223.36%，但碳化硅襯底仍承壓

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 03 月 13 日 16:45 |
| 分類: 碳化硅SiC
3月11日，東尼電子披露2022年年度報告稱，2022年消費電子、光伏、醫(yī)療、新能源業(yè)務均保持增長態(tài)勢，營業(yè)收入和毛利同比均有提升；半導體業(yè)務開始小批量供貨，形成少量營收。 最終，東尼電子實現(xiàn)營業(yè)總收入18.89億元，同比增長41.04%；歸母凈利潤1.08億元，同比增長223....  [詳內文]

西安郵電大學成功在8吋硅片上制備出了高質量的氧化鎵外延片

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 03 月 10 日 17:14 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日，西安郵電大學由電子工程學院管理的新型半導體器件與材料重點實驗室陳海峰教授團隊成功在8吋硅片上制備出了高質量的氧化鎵外延片，這一成果標志著我校在超寬禁帶半導體研究上取得重要進展。 圖片來源：西郵新聞網 據(jù)陳海峰教授介紹，氧化鎵是一種超寬禁帶半導體材料，具有優(yōu)異的耐高壓與日盲...  [詳內文]

傳三星將為英飛凌代工功率半導體產品

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 03 月 10 日 17:12 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
據(jù)韓媒昨日（3/10）日報道，三星晶圓代工部（Samsung Foundry）已經從去年開始為英飛凌生產MOSFET，未來有望為其代工基于SiC/GaN的電源管理芯片。 韓媒表示，知情人士透露，雖然三星晶圓代工部到目前為止簽訂的代工合同主要是生產通用型電源管理芯片，但英飛凌正在...  [詳內文]