文章分類(lèi)： 碳化硅SiC

國(guó)內(nèi)首套！全國(guó)產(chǎn)碳化硅器件雙向超充樁面世

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 14 日 14:06 |
| 分類(lèi): 碳化硅SiC
據(jù)“南方電網(wǎng)報(bào)”報(bào)道，近日由廣東電網(wǎng)公司佛山供電局生產(chǎn)指揮中心技術(shù)團(tuán)隊(duì)研發(fā)的全國(guó)首套“基于全國(guó)產(chǎn)化碳化硅器件的360千瓦/800伏特雙向超充樁”通過(guò)新產(chǎn)品技術(shù)鑒定。 據(jù)介紹，該成果實(shí)現(xiàn)了三大突破：全國(guó)產(chǎn)化替代、充電效率躍升至98%、充電速度高達(dá)“5分鐘續(xù)航200公里”，填補(bǔ)了國(guó)產(chǎn)...  [詳內(nèi)文]

臺(tái)積電宣布退出/調(diào)整6、8英寸產(chǎn)能，SiC、GaN受關(guān)注！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 13 日 14:09 |
| 分類(lèi): 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
8月12日，全球晶圓代工龍頭臺(tái)積電（TSMC）披露，董事會(huì)已決定在未來(lái)兩年內(nèi)逐步退出6英寸晶圓制造業(yè)務(wù)，并持續(xù)整并8英寸晶圓產(chǎn)能。此舉對(duì)第三代半導(dǎo)體的碳化硅和氮化鎵產(chǎn)生了不同程度的影響。 臺(tái)積電在聲明中指出，此項(xiàng)決定不會(huì)影響公司先前公布的財(cái)務(wù)目標(biāo)，即2025年美元營(yíng)收將增長(zhǎng)約30...  [詳內(nèi)文]

深圳在氮化鎵/碳化硅集成領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 12 日 13:49 |
| 分類(lèi): 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
“深圳國(guó)資”官微消息，近期由市屬?lài)?guó)企深重投集團(tuán)與深圳市科技創(chuàng)新局聯(lián)合打造的國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳綜合平臺(tái)（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“國(guó)創(chuàng)中心”）在氮化鎵/碳化硅集成領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展。 國(guó)創(chuàng)中心首次研制了商用8英寸4°傾角4H-SiC襯底上的高質(zhì)量氮化鋁鎵/氮化鎵異質(zhì)結(jié)構(gòu)外延。這一成果...  [詳內(nèi)文]

Wolfspeed、英諾賽科動(dòng)態(tài)，涉及碳化硅、氮化鎵新品

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 11 日 17:05 |
| 分類(lèi): 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，Wolfspeed與英諾賽科近日推出創(chuàng)新產(chǎn)品——Wolfspeed發(fā)布第四代1200V車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅MOSFET，英諾賽科推出全球首款100V氮化鎵低邊驅(qū)動(dòng)IC，雙雙發(fā)力，為新能源汽車(chē)動(dòng)力系統(tǒng)與電池管理生態(tài)注入新動(dòng)能。 1、Wolfspeed推出第四代1200V車(chē)...  [詳內(nèi)文]

國(guó)際首次突破！深圳平湖實(shí)驗(yàn)室攻克GaN/SiC單片集成技術(shù)瓶頸

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 11 日 16:52 |
| 分類(lèi): 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
8月7日，深圳平湖實(shí)驗(yàn)室官微宣布，深圳平湖實(shí)驗(yàn)室近日在GaN/SiC集成領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展，在國(guó)際上首次研制了商用8英寸4°傾角4H-SiC襯底上的高質(zhì)量AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)外延。 據(jù)了解，該成果打破了大尺寸GaN與SiC材料單片集成的技術(shù)瓶頸，為GaN/SiC混合器件的發(fā)...  [詳內(nèi)文]

中芯國(guó)際：未來(lái)將配合建立SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)能

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 11 日 16:42 |
| 分類(lèi): 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
8月7日，中芯國(guó)際聯(lián)合CEO趙海軍在業(yè)績(jī)會(huì)上表示，公司未來(lái)將根據(jù)國(guó)際客戶(hù)的“China for China”需求，配合建立 SiC（碳化硅）和 GaN（氮化鎵）等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)能。 這一戰(zhàn)略舉措標(biāo)志著中芯國(guó)際在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的進(jìn)一步拓展，旨在滿(mǎn)足國(guó)內(nèi)市場(chǎng)對(duì)高端半導(dǎo)體產(chǎn)品的需求，...  [詳內(nèi)文]

英國(guó)這家初創(chuàng)公司，憑兩大新專(zhuān)利進(jìn)軍GaN與SiC市場(chǎng)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 11 日 14:01 |
| 分類(lèi): 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
隨著寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域部分核心專(zhuān)利陸續(xù)到期，一場(chǎng)技術(shù)創(chuàng)新的浪潮正悄然興起。英國(guó)初創(chuàng)公司#柵源漏半導(dǎo)體（Gate Source Drain Semiconductor Ltd）抓住這一歷史機(jī)遇，正專(zhuān)注于研發(fā)新一代的專(zhuān)利保護(hù)型寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件。該公司計(jì)劃在未來(lái)2-3年內(nèi)，推出垂直...  [詳內(nèi)文]

應(yīng)對(duì)中國(guó)廠(chǎng)商競(jìng)爭(zhēng)，羅姆加速SiC研發(fā)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 07 日 17:12 |
| 分類(lèi): 碳化硅SiC
近期，羅姆半導(dǎo)體公布了2025財(cái)年一季度財(cái)報(bào)（2025年4月-6月）。該季，羅姆半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)營(yíng)收1162億日元，同比下滑1.8%，凈利潤(rùn)為29億日元，同比下滑14.3%。 圖片來(lái)源：羅姆半導(dǎo)體 羅姆半導(dǎo)體表示，該季車(chē)用碳化硅器件銷(xiāo)售保持穩(wěn)健，但受客戶(hù)調(diào)整因素影響，對(duì)外銷(xiāo)售的SiC...  [詳內(nèi)文]

九峰山實(shí)驗(yàn)室宣布，碳化硅獲得新突破！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 07 日 17:09 |
| 分類(lèi): 碳化硅SiC
8月6日，根據(jù)九峰山實(shí)驗(yàn)室官微消息，九峰山實(shí)驗(yàn)室（JFS Laboratory）推出新型碳化硅溝槽MOSFET科研級(jí)器件樣品，旨在滿(mǎn)足產(chǎn)業(yè)及科研機(jī)構(gòu)對(duì)具有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的SiC溝槽新型器件的測(cè)試、分析及應(yīng)用探索需求，進(jìn)一步推動(dòng)下一代碳化硅溝槽型MOSFET功率器件的產(chǎn)業(yè)發(fā)展。 ...  [詳內(nèi)文]

納微半導(dǎo)體透露碳化硅、氮化鎵業(yè)務(wù)進(jìn)展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 06 日 14:12 |
| 分類(lèi): 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近期，納微半導(dǎo)體公布2025年第二季度財(cái)報(bào)，同時(shí)該公司在財(cái)報(bào)會(huì)議中透露了碳化硅與氮化鎵業(yè)務(wù)進(jìn)展。 圖片來(lái)源：納微半導(dǎo)體官網(wǎng)新聞稿截圖 據(jù)悉，英偉達(dá)已經(jīng)與納微半導(dǎo)體進(jìn)行開(kāi)發(fā)合作，以支持下一代 800V 數(shù)據(jù)中心。納微半導(dǎo)體將在固態(tài)變壓器（SST）、800V DC/DC以及48V...  [詳內(nèi)文]