近期，北京國聯(lián)萬眾半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡稱“國聯(lián)萬眾”）成功實現(xiàn)8英寸碳化硅芯片晶圓工藝線通線。
目前該產(chǎn)線已進入產(chǎn)品優(yōu)化及技術(shù)指標(biāo)提升階段。未來全面投產(chǎn)后，有望大幅提升產(chǎn)能與良率，進一步滿足新能源汽車、光伏逆變器、工業(yè)電源等領(lǐng)域的旺盛需求。
資料顯示，國聯(lián)萬眾是中瓷電子的子公司，其SiC MOSFET芯片產(chǎn)品已實現(xiàn)量產(chǎn)，此前，國聯(lián)萬眾公司電驅(qū)用1200V SiC MOSFET芯片已研發(fā)成功并交付客戶上車驗證。
同時，國聯(lián)萬眾也是國內(nèi)5G基站氮化鎵（GaN）射頻功放芯片主力供應(yīng)商。
今年上半年國聯(lián)萬眾營業(yè)收入約為2.95億元，凈利潤約為1.06億元。
業(yè)界指出，與6英寸晶圓相比，8英寸碳化硅晶圓的生產(chǎn)效率更高，芯片單位成本更低，將顯著提升企業(yè)市場競爭力。未來，隨著8英寸產(chǎn)線的產(chǎn)能釋放，國聯(lián)萬眾有望在市場實現(xiàn)更快發(fā)展。
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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