天岳先進(jìn)x東芝電子元件，碳化硅強(qiáng)強(qiáng)合作

近期，東芝電子元件及存儲裝置株式會社（以下簡稱”東芝電子元件”）與山東天岳先進(jìn)科技股份有限公司（以下簡稱”天岳先進(jìn)”）就天岳先進(jìn)開發(fā)制造的SiC功率半導(dǎo)體用襯底達(dá)成基本協(xié)議。

圖片來源：山東天岳先進(jìn)科技股份有限公司

天岳先進(jìn)表示，雙方將針對SiC功率半導(dǎo)體特性提升與品質(zhì)改善的技術(shù)協(xié)作，以及運(yùn)用合作成果擴(kuò)大高品質(zhì)穩(wěn)定襯底供應(yīng)的商業(yè)合作。今后雙方將就共同推進(jìn)或相互協(xié)作的具體事項展開詳細(xì)磋商。

據(jù)悉，東芝電子元 以鐵路用SiC功率半導(dǎo)體的開發(fā)、制造及供應(yīng)實績?yōu)榛A(chǔ)，正加速推進(jìn)服務(wù)器電源用、車載用等SiC器件開發(fā)，未來將致力于進(jìn)一步降低SiC功率半導(dǎo)體損耗，開發(fā)面向高效電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用的高可靠性、高效率產(chǎn)品。除自主研發(fā)外，與SiC襯底技術(shù)改良的緊密協(xié)作也至關(guān)重要。

天岳先進(jìn)自2010年創(chuàng)立以來，始終專注于單晶SiC襯底的開發(fā)生產(chǎn)，在SiC襯底開發(fā)及量產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域具有優(yōu)勢，該公司2024年率先發(fā)布全球首款12英寸SiC襯底，2025年實現(xiàn)n型、半絕緣型及p型全系產(chǎn)品12英寸襯底布局。

天岳先進(jìn)指出，此次與東芝電子元件達(dá)成合作，天岳先進(jìn)將把SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的需求，以及東芝對SiC襯底核心技術(shù)應(yīng)用的期待，轉(zhuǎn)化為襯底品質(zhì)與可靠性的提升，助力SiC功率半導(dǎo)體市場發(fā)展。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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