“芯能半導體”官微消息，近期芯能發(fā)布新一代高效、高功率密度、高可靠性的電力電子核心功率轉換解決方案?；谙冗M的寬禁帶半導體材料——碳化硅 (SiC)，集成SiC MOSFET并內置優(yōu)化的驅動與過流保護電路，功率在300W以下支持無散熱器應用。
圖片來源：芯能半導體
相比傳統(tǒng)硅基IGBT IPM，碳化硅IPM系統(tǒng)效率可提升2%至5%甚至更高，尤其在部分負載和開關頻率提升時優(yōu)勢更明顯。同時，碳化硅IPM能大幅降低能源損耗，減少散熱需求，直接降低系統(tǒng)運行成本和溫升。此外，SiC器件支持數(shù)倍于硅基器件的開關頻率 (可達100kHz甚至更高)。
芯能半導體介紹，上述方案集成了半橋驅動芯片、高性能SiC-MOSFET，適用于正弦波或梯形波調制應用，內部集成自舉二極管，雙通道欠壓保護，所有通道延遲時間匹配，兼容3.3V邏輯電平輸入，輸入信號互鎖保護，防止橋臂直通，內部集成過流保護和過溫保護功能，集成溫度監(jiān)控與輸出功能，并具備上電及斷電使能功能。
系統(tǒng)測試顯示，無散熱系統(tǒng)，將IPM模塊頂部/底部粘上熱電偶探頭；IPM樣品頂部溫度通過熱電偶探頭使用溫度記錄儀器監(jiān)控實時溫度；在環(huán)境溫度35℃，控制載波頻率16KHz，母線電壓310V；持續(xù)運行負載電流0.6A、0.8A、1.5A、2.0A（峰峰電流）采集整機恒定溫度。
電流0.8A下，同類產(chǎn)品優(yōu)化40度，不同封裝優(yōu)化50度，并且無散熱器電流能達到2A。功率在300W以下支持無散熱器應用。安裝散熱片的情況下，功率可以支持到1000瓦。
（集邦化合物半導體整理）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。