近日，合盛硅業(yè)股份有限公司旗下子公司 —— 寧波合盛新材料有限公司宣布成功研發(fā)出 12 英寸（300mm）導(dǎo)電型碳化硅（SiC）單晶晶體，并同步啟動(dòng)了針對(duì)大尺寸晶體的切割、研磨、拋光等工藝的系統(tǒng)研究。這一成果標(biāo)志著我國在 SiC 大尺寸晶體制造領(lǐng)域取得了具有里程碑意義的技術(shù)突破。
圖片來源：合盛硅業(yè)——左圖為12英寸晶片，右圖為12英寸晶錠
經(jīng)過多年的持續(xù)攻關(guān)與深度積累，寧波合盛新材料已實(shí)現(xiàn)從高純石墨純化、SiC 多晶粉料制備，到單晶生長(zhǎng)與晶片加工的完整技術(shù)鏈條自主可控。此次 12 英寸晶體的成功制備，是繼 2024 年 8 英寸碳化硅襯底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)化之后的又一重大飛躍。
面對(duì)全球碳化硅產(chǎn)業(yè)的擴(kuò)產(chǎn)熱潮與技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)，近期我國多家企業(yè)12英寸SiC技術(shù)領(lǐng)域取得了顯著進(jìn)展。
5月18日，晶馳機(jī)電舉行河北省首臺(tái)（套）12寸電阻法高純碳化硅晶體生長(zhǎng)爐交付儀式，該系列產(chǎn)品是晶馳機(jī)電入駐正定后自主完成研發(fā)生產(chǎn)的高端裝備。
5月12日，晶盛機(jī)電子公司浙江晶瑞SuperSiC宣布，成功實(shí)現(xiàn)12英寸導(dǎo)電型碳化硅（SiC）單晶生長(zhǎng)，首顆晶體直徑達(dá)309mm且質(zhì)量完好。
5月8日，南砂晶圓在參加行業(yè)大會(huì)時(shí)，在現(xiàn)場(chǎng)展示了12英寸導(dǎo)電型SiC襯底等重點(diǎn)產(chǎn)品，成功實(shí)現(xiàn)大尺寸碳化硅襯底的突破。
近日，山東力冠微電子裝備公開表示，已攻克12英寸PVT電阻加熱長(zhǎng)晶爐的研發(fā)難關(guān)，并于近期完成首批兩臺(tái)設(shè)備的交付。
碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，具有高禁帶寬度、高硬度和耐磨性、高熱導(dǎo)率等優(yōu)異特性，是制造高壓、高溫、高頻功率器件的理想材料。然而，大尺寸碳化硅晶體的制備長(zhǎng)期以來是世界性技術(shù)難題，向 12 英寸規(guī)模進(jìn)階，需要在熱場(chǎng)控制、晶體缺陷抑制、加工耗損控制等多個(gè)維度同步突破。
（集邦化合物半導(dǎo)體 niko 整理）
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