近日，聞泰科技與三安光電相繼發(fā)布最新財務(wù)報告，這兩家公司均在第三代半導(dǎo)體碳化硅和氮化鎵領(lǐng)域展現(xiàn)出積極的布局和顯著的進(jìn)展。聞泰科技憑借其在半導(dǎo)體和通信技術(shù)領(lǐng)域的多元化優(yōu)勢，在車規(guī)級碳化硅應(yīng)用和氮化鎵高效能領(lǐng)域取得突破；而三安光電則依托其在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的深厚積累，在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的垂直整合和多元應(yīng)用上持續(xù)發(fā)力。
1、聞泰科技：AI賦能，功率半導(dǎo)體迎來新機(jī)遇
聞泰科技是一家全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體和通信技術(shù)公司，業(yè)務(wù)涵蓋半導(dǎo)體、光學(xué)、無線和功率器件等領(lǐng)域。2024年，公司繼續(xù)在半導(dǎo)體領(lǐng)域加大研發(fā)投入，特別是在碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等第三代半導(dǎo)體材料方面取得了顯著進(jìn)展。
4月25日，聞泰科技發(fā)布2024年年報，顯示公司營收達(dá)到735.98億元，同比增長20.23%。其中，半導(dǎo)體業(yè)務(wù)表現(xiàn)尤為突出，實現(xiàn)營收147.15億元，凈利潤22.97億元，毛利率達(dá)37.47%。
source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖
值得強(qiáng)調(diào)的是，聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)在中國區(qū)市場表現(xiàn)強(qiáng)勁，收入連續(xù)四個季度實現(xiàn)環(huán)比增長，中國區(qū)收入占比穩(wěn)步提升至46.91%，且在2025年第一季度同比增長約24%。
在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，聞泰科技在碳化硅和氮化鎵方面均取得了顯著進(jìn)展。
碳化硅方面， 公司成功推出了高性能車規(guī)級1200V SiC MOSFET，該產(chǎn)品憑借其卓越的性能，已廣泛應(yīng)用于電池儲能、光伏逆變器等工業(yè)場景，展現(xiàn)出強(qiáng)大的市場潛力。
氮化鎵方面， 聞泰科技作為行業(yè)內(nèi)少數(shù)能夠同時提供D-mode（耗盡型）和E-mode（增強(qiáng)型）GaN器件的企業(yè)，其產(chǎn)品線覆蓋了40V至700V的電壓規(guī)格，并已在消費(fèi)電子快充以及通信基站等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)量產(chǎn)交付，進(jìn)一步鞏固了公司在高效能、低功耗半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
為進(jìn)一步滿足全球客戶對下一代寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品的需求，聞泰科技于2024年6月宣布計劃投資2億美元用于SiC、GaN等產(chǎn)品的研發(fā)，并將在漢堡工廠建設(shè)相應(yīng)的生產(chǎn)設(shè)施，彰顯了公司在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的戰(zhàn)略決心。
此外，由聞泰科技控股股東代建的臨港12英寸車規(guī)級晶圓廠已順利完成車規(guī)認(rèn)證并實現(xiàn)量產(chǎn)。這一里程碑事件標(biāo)志著聞泰科技在車規(guī)級芯片的自主產(chǎn)能和工藝水平邁上了新的臺階，為其包括碳化硅在內(nèi)的模擬芯片國產(chǎn)化進(jìn)程提供了堅實的保障。
在報告中，聞泰科技指出，AI算力的爆發(fā)為功率半導(dǎo)體開辟了新的增長點。在AI服務(wù)器和AI終端中，公司GaN器件能夠有效提升能源轉(zhuǎn)換效率，降低能耗和成本，并實現(xiàn)更小的器件尺寸，從而提高數(shù)據(jù)中心等運(yùn)算密集型應(yīng)用的效率。同時，隨著端側(cè)算力的發(fā)展，GaN FET芯片已成功在消費(fèi)電子快充客戶中實現(xiàn)量產(chǎn)。
2、三安光電：深耕化合物半導(dǎo)體，碳化硅業(yè)務(wù)多點開花
三安光電持續(xù)聚焦化合物半導(dǎo)體核心主業(yè)，穩(wěn)步推進(jìn)LED業(yè)務(wù)，并積極拓展射頻前端、電力電子、光技術(shù)等集成電路業(yè)務(wù)。
source：三安光電
根據(jù)最新報告，三安光電在2025年第一季度實現(xiàn)主營收入43.12億元，較上年同期增長21.23%。更為顯著的是，歸屬于母公司的凈利潤達(dá)到2.12億元，同比大幅增長78.46%。扣除非經(jīng)常性損益后的凈利潤為7469萬元，較去年同期激增331.43%，展現(xiàn)出強(qiáng)勁的盈利能力。
回顧2024年，三安光電實現(xiàn)營業(yè)收入約118.5億元，同比增長約14.61%。盡管年度凈利潤約為2.5億元，同比下降約31.02%，但值得關(guān)注的是，集成電路業(yè)務(wù)表現(xiàn)突出，實現(xiàn)主營業(yè)務(wù)收入同比增長23.86%，其中碳化硅產(chǎn)品展現(xiàn)出強(qiáng)勁的增長勢頭，為公司整體營收增長注入了新的動能。
source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖
據(jù)悉，在2024年，三安光電集成電路業(yè)務(wù)實現(xiàn)顯著進(jìn)展，其中碳化硅業(yè)務(wù)是三安光電的重點發(fā)展方向，公司圍繞車規(guī)級應(yīng)用，加快碳化硅MOSFET技術(shù)迭代，并穩(wěn)步推進(jìn)與意法半導(dǎo)體合資的重慶8英寸碳化硅項目落地。湖南三安作為國內(nèi)為數(shù)不多的碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合制造平臺，已擁有6英寸碳化硅配套產(chǎn)能16,000片/月，8英寸碳化硅襯底、外延產(chǎn)能1,000片/月，8英寸碳化硅芯片產(chǎn)線正在建設(shè)中，擁有硅基氮化鎵產(chǎn)能2,000片/月。具體來看：
產(chǎn)品布局：湖南三安已完成650V到2000V、1A到100A的全電壓電流的碳化硅二極管產(chǎn)品梯度建設(shè)，其中第五代高浪涌版本碳化硅二極管主要應(yīng)用于光伏領(lǐng)域，第六代低正向?qū)妷寒a(chǎn)品主要應(yīng)用于電源領(lǐng)域。
SiC MOSFET產(chǎn)品：公司已完成從650V到2000V、13mΩ到1000mΩ的全系列SiC MOSFET的產(chǎn)品布局，應(yīng)用于光伏、充電樁、工業(yè)電源、數(shù)據(jù)中心及AI服務(wù)器電源等工業(yè)級市場，部分產(chǎn)品已實現(xiàn)量產(chǎn)并批量供貨。
合資項目進(jìn)展：湖南三安與意法半導(dǎo)體在重慶設(shè)立的合資公司安意法已于2025年2月實現(xiàn)通線，首次建設(shè)產(chǎn)能2,000片/月，規(guī)劃達(dá)產(chǎn)后8英寸外延、芯片產(chǎn)能為48萬片/年。湖南三安與理想汽車成立的合資公司蘇州斯科半導(dǎo)體一期產(chǎn)線已實現(xiàn)通線，全橋功率模塊已在2025年一季度實現(xiàn)批量下線。
而在射頻前端領(lǐng)域，該公司構(gòu)建了專業(yè)的射頻代工平臺和產(chǎn)品封裝平臺，提供包括射頻功放/低噪放、濾波器、SIP封裝等差異化解決方案，廣泛應(yīng)用于手機(jī)、WiFi、物聯(lián)網(wǎng)、路由器、通信基站等市場。受益于終端市場需求的回暖以及客戶供應(yīng)鏈的調(diào)整，公司的砷化鎵射頻代工及濾波器業(yè)務(wù)營業(yè)收入較上年同期實現(xiàn)了大幅增長，鞏固了其在射頻前端國產(chǎn)供應(yīng)鏈中的重要地位。
在氮化鎵射頻代工領(lǐng)域，公司面向通信基站市場提供高性能氮化鎵射頻功放代工平臺，并積極投入消費(fèi)級射頻及6G應(yīng)用工藝的研發(fā)，客戶結(jié)構(gòu)實現(xiàn)突破，與國際客戶的合作產(chǎn)品已通過初步驗證。（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）