4月8日，士蘭微發(fā)布公告，披露了士蘭微碳化硅（SiC）項目的最新進展。在SiC芯片技術研發(fā)與量產方面均取得顯著成果，產能建設與技術突破齊頭并進。
source：士蘭微
“士蘭明鎵6英寸SiC功率器件芯片生產線”項目：產能釋放
截至目前，士蘭明鎵已形成月產9,000片6吋SiC MOS芯片的生產能力?；谑刻m微自主研發(fā)的Ⅱ代 SiC-MOSFET 芯片生產的電動汽車主電機驅動模塊在4家國內汽車廠家累計出貨量5萬只，隨著6吋SiC芯片生產線產能釋放，已實現大批量生產和交付。
目前，士蘭微已完成第Ⅳ代平面柵SiC-MOSFET 技術的開發(fā)，性能指標接近溝槽柵SiC器件的水平。第Ⅳ代SiC芯片與模塊已送客戶評測，基于第Ⅳ代SiC芯片的功率模塊預計將于2025年上量。
“士蘭集宏8英寸SiC功率器件芯片生產線”項目：實現通線
截至目前，士蘭集宏8吋SiC mini line已實現通線，士蘭微Ⅱ代SiC芯片已在8吋mini line上試流片成功，其參數與士蘭微6吋產品匹配，良品率明顯高于6吋。
士蘭集宏主廠房及其他建筑物已全面封頂，正在進行凈化裝修，預計將在2025年4季度實現全面通線并試生產，以趕上2026年車用SiC市場的快速成長。
source：士蘭微
公開資料顯示，士蘭集宏項目達產后可滿足國內40%以上的車規(guī)級SiC芯片需求，并帶動上下游產業(yè)鏈集聚廈門，加速第三代半導體材料、設備國產化進程。
士蘭微的SiC突圍戰(zhàn)
士蘭微成立于1997年，總部坐落于杭州高新技術產業(yè)開發(fā)區(qū)，聚焦集成電路芯片設計及半導體微電子相關產品生產。作為國內集成電路設計行業(yè)的領軍企業(yè)，士蘭微已掌握多項核心技術，產品涵蓋功率半導體、傳感器、MCU和LED等多個領域。公司采用IDM模式，實現從設計到制造的全產業(yè)鏈整合。
士蘭微近年來在碳化硅（SiC）領域加速布局，不僅在產能上采取“雙線作戰(zhàn)”模式：6英寸上量，快速響應市場需求；8英寸沖刺，瞄準未來車規(guī)級芯片市場；還通過多輪增資優(yōu)化資本結構，如將子公司“士蘭集宏”注冊資本增至42.1億元，與廈門半導體共同增資16億元擴建士蘭集科等。
在業(yè)績上，根據2024年度業(yè)績預告，士蘭微2024年業(yè)績實現了同比扭虧為盈，預計2024年度實現歸屬于母公司所有者的凈利潤為1.5億元到1.9億元。
source：士蘭微
目前，士蘭微產品覆蓋汽車主驅模塊、光伏逆變器等高端領域，客戶包括比亞迪、匯川、吉利等頭部廠商。
從產能建設到技術突破，從產品矩陣到客戶體系，士蘭微的SiC突圍戰(zhàn)精準發(fā)力，以創(chuàng)新驅動破局。隨著全球新能源汽車市場的持續(xù)爆發(fā)式增長以及光儲行業(yè)的蓬勃興起，士蘭微也迎來了新的發(fā)展機遇。
本次公告中士蘭微也進一步表明，將加快實施“一體化”戰(zhàn)略，持續(xù)加大對模擬電路、功率半導體、MEMS 傳感器、包括 SiC、GaN在內的第三代化合物半導體等方面的投入。（集邦化合物半導體 妮蔻 整理）