今日早間，瀚薪科技宣布SiC MOSFET及SiC JBS產品通過AEC-Q101車規級認證。
據介紹，瀚薪科技第四代碳化硅二極管H4S120G020即1200V 20A TO-247-2和第二代碳化硅MOSFET H2M120F080即1200V 80mΩ TO-247-3在已通過廠內AEC-Q101可靠性驗證的同時，再次取得第三方實驗室AEC-Q101車規認證。
瀚薪H4S JBS/MPS結構肖特基二極管：H4S JBS(Junction Barrier Schottky)/MPS(Merged PiN Schottky)結構肖特基二極管，進一步降低順向導通壓降和反向恢復電流，繼續保持抗浪涌電流能力強的優異特性，產品從650V至1200V全覆蓋，最大電流60A，最小電流2A，通用的標準封裝形式，完整符合充電樁、光伏逆變、服務器電源、通信電源、開關電源等產品所需。
瀚薪科技H2M第二代MOS管：H2M延續第一代H1M產品的優越性能，低的Qg，Coss，RDSon等參數可最大程度減小開關和導通損耗，提升系統效率。推薦驅動電壓-5V/20V，最大耐受驅動電壓-10V/25V，保證門極可靠的開通和關斷。優越的耐短路電流的能力，短路時間長達10us，提高系統的可靠度。
圖片來源：拍信網正版圖庫
此外，晶圓從4英寸升級為6英寸以提高產品良率和產能，晶圓背面采用減薄工藝，進一步降低熱阻。瀚薪科技表示，全系列量產的車規SiC MOSFET，從650V至1700V，內阻最小可達20mΩ，產品型號豐富，適合各種應用。
實際上，瀚薪科技是國內率先具備大規模量產車規級碳化硅MOSFET的功率器件及模塊企業，二極管產品也已經規模出貨給全球知名企業的本土公司，持續獲得投資市場和下游車企的認可，近兩年來完成了多輪融資，其中，車企方面，上汽和廣汽資本都投資了瀚薪科技。
不難發現，近些年來，國產SiC廠商加足了火力在車用SiC領域趕超國際廠商，在不同程度上取得了突破和實質性進展，也積極與國內下游車企聯動，共推國產新能源汽車轉型及SiC的國產化替代。
就器件及模塊領域而言，目前已有多家企業通過了車規級認證，產品已經上車或正在推動上車，如三安和理想汽車，基本半導體和廣汽埃安、芯聚能與吉利等。目前，不少國產汽車已搭載國產SiC產品，在車企和供應鏈的共同推動下，國產SiC有望在國內新能源汽車大潮下加速擴大市場占有率。（文：集邦化合物半導體 Jenny整理）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。