今日早間，瀚薪科技宣布SiC MOSFET及SiC JBS產(chǎn)品通過AEC-Q101車規(guī)級(jí)認(rèn)證。
據(jù)介紹，瀚薪科技第四代碳化硅二極管H4S120G020即1200V 20A TO-247-2和第二代碳化硅MOSFET H2M120F080即1200V 80mΩ TO-247-3在已通過廠內(nèi)AEC-Q101可靠性驗(yàn)證的同時(shí)，再次取得第三方實(shí)驗(yàn)室AEC-Q101車規(guī)認(rèn)證。
瀚薪H4S JBS/MPS結(jié)構(gòu)肖特基二極管：H4S JBS(Junction Barrier Schottky)/MPS(Merged PiN Schottky)結(jié)構(gòu)肖特基二極管，進(jìn)一步降低順向?qū)▔航岛头聪蚧謴?fù)電流，繼續(xù)保持抗浪涌電流能力強(qiáng)的優(yōu)異特性，產(chǎn)品從650V至1200V全覆蓋，最大電流60A，最小電流2A，通用的標(biāo)準(zhǔn)封裝形式，完整符合充電樁、光伏逆變、服務(wù)器電源、通信電源、開關(guān)電源等產(chǎn)品所需。
瀚薪科技H2M第二代MOS管：H2M延續(xù)第一代H1M產(chǎn)品的優(yōu)越性能，低的Qg，Coss，RDSon等參數(shù)可最大程度減小開關(guān)和導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)效率。推薦驅(qū)動(dòng)電壓-5V/20V，最大耐受驅(qū)動(dòng)電壓-10V/25V，保證門極可靠的開通和關(guān)斷。優(yōu)越的耐短路電流的能力，短路時(shí)間長(zhǎng)達(dá)10us，提高系統(tǒng)的可靠度。
圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)
此外，晶圓從4英寸升級(jí)為6英寸以提高產(chǎn)品良率和產(chǎn)能，晶圓背面采用減薄工藝，進(jìn)一步降低熱阻。瀚薪科技表示，全系列量產(chǎn)的車規(guī)SiC MOSFET，從650V至1700V，內(nèi)阻最小可達(dá)20mΩ，產(chǎn)品型號(hào)豐富，適合各種應(yīng)用。
實(shí)際上，瀚薪科技是國(guó)內(nèi)率先具備大規(guī)模量產(chǎn)車規(guī)級(jí)碳化硅MOSFET的功率器件及模塊企業(yè)，二極管產(chǎn)品也已經(jīng)規(guī)模出貨給全球知名企業(yè)的本土公司，持續(xù)獲得投資市場(chǎng)和下游車企的認(rèn)可，近兩年來完成了多輪融資，其中，車企方面，上汽和廣汽資本都投資了瀚薪科技。
不難發(fā)現(xiàn)，近些年來，國(guó)產(chǎn)SiC廠商加足了火力在車用SiC領(lǐng)域趕超國(guó)際廠商，在不同程度上取得了突破和實(shí)質(zhì)性進(jìn)展，也積極與國(guó)內(nèi)下游車企聯(lián)動(dòng)，共推國(guó)產(chǎn)新能源汽車轉(zhuǎn)型及SiC的國(guó)產(chǎn)化替代。
就器件及模塊領(lǐng)域而言，目前已有多家企業(yè)通過了車規(guī)級(jí)認(rèn)證，產(chǎn)品已經(jīng)上車或正在推動(dòng)上車，如三安和理想汽車，基本半導(dǎo)體和廣汽埃安、芯聚能與吉利等。目前，不少國(guó)產(chǎn)汽車已搭載國(guó)產(chǎn)SiC產(chǎn)品，在車企和供應(yīng)鏈的共同推動(dòng)下，國(guó)產(chǎn)SiC有望在國(guó)內(nèi)新能源汽車大潮下加速擴(kuò)大市場(chǎng)占有率。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 Jenny整理）
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