近日，元腦服務(wù)器宣布全面導(dǎo)入氮化鎵GaN鈦金電源，提供1300W/1600W/2000W多種規(guī)格選擇。
元腦服務(wù)器介紹，在數(shù)據(jù)中心復(fù)雜的能源架構(gòu)里，電源是將外部輸入電能精準(zhǔn)分配給各類IT設(shè)備的核心環(huán)節(jié)。盡管HVDC高壓直流、固態(tài)變壓器（SST）等新型供電架構(gòu)已通過減少配電層級損耗，成功將配電層供電鏈路的系統(tǒng)級能效提升至96%-98%，但傳統(tǒng)鉑金電源的能效短板問題正不斷突顯。
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source：元腦服務(wù)器
以智算中心主流的20%-50%負(fù)載區(qū)間為例，鉑金電源的轉(zhuǎn)換效率僅為90%-94%，形成“高系統(tǒng)能效、低設(shè)備能效”的斷層，能效差達(dá)4%-8%。在服務(wù)器機(jī)箱這一關(guān)鍵電能轉(zhuǎn)換終端環(huán)節(jié)，傳統(tǒng)鉑金電源如同“漏水的燃料艙”，造成高達(dá)10%的電能損耗。據(jù)估測，僅一座10MW智算中心每年便因此浪費(fèi)超900萬度電，每1%的能效提升即可節(jié)省百萬級的電費(fèi)支出。
元腦服務(wù)器的氮化鎵鈦金電源方案與傳統(tǒng)服務(wù)器鉑金電源存在顯著差異。
傳統(tǒng)服務(wù)器鉑金電源依賴MOSFET器件，受限于材料物理特性，存在高頻開關(guān)損耗與發(fā)熱等問題。與之相比，氮化鎵材料優(yōu)勢明顯，其電子遷移率是硅的10倍，可支持MHz級高頻開關(guān)，能使動(dòng)態(tài)損耗降低70% ；相同功率下?lián)碛谐蛯?dǎo)通電阻（僅為硅基器件的1/5），可讓發(fā)熱量減少50%；擊穿電場強(qiáng)度達(dá)3.3MV/cm，憑借出色的耐高壓耐高溫特性，支持高壓直連架構(gòu)，能夠消除多級轉(zhuǎn)換損耗。
展望未來，隨著激增的算力需求與數(shù)據(jù)中心能耗矛盾的加劇，在散熱效率、能效標(biāo)準(zhǔn)等需求的推動(dòng)下，更高功率密度、更大功率、更高效的氮化鎵鈦金電源將是服務(wù)器電源行業(yè)發(fā)展必然趨勢。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）