12月19日，國內(nèi)碳化硅（SiC）外延領(lǐng)域領(lǐng)軍企業(yè)廣東天域半導體股份有限公司（下稱“天域半導體”）在東莞松山湖生態(tài)園新生產(chǎn)基地舉行SiC外延產(chǎn)線通線儀式。
圖片來源：創(chuàng)新松山湖-圖為天域半導體東莞松山湖生態(tài)園新生產(chǎn)基地
隨著首批生產(chǎn)設(shè)備正式啟動運行，該基地新增38萬片/年SiC外延產(chǎn)能，與松山湖總部42萬片/年產(chǎn)能形成“雙核驅(qū)動”格局，企業(yè)總產(chǎn)能一舉躍升至80萬片/年，遠期規(guī)劃產(chǎn)能將達200萬片/年，為國內(nèi)新能源汽車、光伏儲能等高端領(lǐng)域的SiC功率器件國產(chǎn)替代提供核心材料支撐。
作為國內(nèi)首批實現(xiàn)SiC外延片產(chǎn)業(yè)化的企業(yè)，#天域半導體?先后在國內(nèi)率先實現(xiàn)4英寸、6英寸SiC外延片量產(chǎn)，此次通線的新產(chǎn)線聚焦高附加值的6/8英寸車規(guī)級SiC外延片。
據(jù)企業(yè)相關(guān)披露，其8英寸SiC外延片已實現(xiàn)量產(chǎn)，2025年前五個月毛利率達49.8%，憑借優(yōu)異的性能與穩(wěn)定性，成為企業(yè)核心增長引擎。新基地總投資約80億元，核心供應(yīng)鏈國產(chǎn)化率高達99.8%，從設(shè)備到原材料的自主可控，大幅降低了生產(chǎn)風險。
通線儀式當日，天域半導體同步舉行產(chǎn)業(yè)鏈戰(zhàn)略合作簽約儀式，上游端與天岳先進、南砂晶圓、天科合達等頭部襯底企業(yè)，下游端與士蘭微、瞻芯電子、芯粵能等器件領(lǐng)軍企業(yè)，以及中信銀行、工商銀行等六家金融機構(gòu)達成深度合作。此次簽約構(gòu)建了“襯底—外延—器件”全鏈條協(xié)同生態(tài)，將有效縮短產(chǎn)品研發(fā)周期、提升供應(yīng)鏈響應(yīng)效率，推動SiC產(chǎn)業(yè)從技術(shù)突破向規(guī)?；瘧?yīng)用加速邁進。
值得關(guān)注的是，天域半導體于12月5日正式在香港聯(lián)合交易所主板掛牌上市。本次IPO以58港元/股的價格發(fā)行3007.05萬股新股，募資總額17.44億港元，募集資金將主要用于未來五年內(nèi)擴充產(chǎn)能、強化研發(fā)創(chuàng)新、戰(zhàn)略投資及/或收購、拓展全球市場網(wǎng)絡(luò)及補充營運資金等方向。此次新產(chǎn)線通線是天域半導體上市后的首個重大產(chǎn)能落地項目。
圖片來源：東莞市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)協(xié)會
行業(yè)分析人士指出，當前全球SiC功率器件市場正處于快速增長期，新能源汽車的電動化、智能化升級帶動SiC材料需求激增，而外延片作為SiC器件制造的核心環(huán)節(jié)，長期存在供給缺口。天域半導體新產(chǎn)線的投產(chǎn)，將有效緩解國內(nèi)高端SiC外延片的供給緊張局面，加速8英寸大尺寸技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化迭代。
據(jù)悉，天域半導體新產(chǎn)線將在未來兩年重點推進8英寸產(chǎn)能爬坡，逐步實現(xiàn)產(chǎn)能釋放。隨著產(chǎn)線的全面達產(chǎn)，規(guī)模效應(yīng)將進一步顯現(xiàn)，不僅能降低SiC外延片的單位成本，還將增強企業(yè)在全球產(chǎn)業(yè)鏈中的定價能力與供應(yīng)鏈安全能力，推動SiC功率器件在新能源汽車、工業(yè)電源、光伏儲能等領(lǐng)域的大規(guī)模普及。
（集邦化合物半導體 Niko 整理）
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