近日，英諾賽科通過(guò)官方微信公眾號(hào)宣布其氮化鎵（GaN）功率芯片累計(jì)出貨量已達(dá)20億顆。
圖片來(lái)源：英諾賽科
據(jù)公開(kāi)數(shù)據(jù)顯示，英諾賽科的氮化鎵芯片出貨量實(shí)現(xiàn)了跨越式增長(zhǎng)：2019年累計(jì)出貨量尚不足500萬(wàn)顆，到2024年已突破12億顆，2025年便攀升至20億顆，較2024年同比增長(zhǎng)超66%，較2019年更是實(shí)現(xiàn)了400倍的指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。
英諾賽科的出貨量爆發(fā)，離不開(kāi)全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)崛起的時(shí)代浪潮。從市場(chǎng)需求端來(lái)看，下游應(yīng)用領(lǐng)域的持續(xù)擴(kuò)張為氮化鎵產(chǎn)業(yè)提供了廣闊增長(zhǎng)空間。
在消費(fèi)電子領(lǐng)域，氮化鎵快充憑借體積小、效率高的優(yōu)勢(shì)，已成為主流手機(jī)廠商及安克、綠聯(lián)等頭部配件品牌的標(biāo)配，推動(dòng)低壓與高壓快充芯片需求持續(xù)攀升。
在新能源汽車(chē)領(lǐng)域，車(chē)載充電機(jī)（OBC）、激光雷達(dá)電源等核心部件對(duì)高效功率器件的需求激增，氮化鎵器件憑借輕量化、高效率特性，正加速替代傳統(tǒng)硅基器件。
在AI數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域，英偉達(dá)推動(dòng)的800V直流電源架構(gòu)轉(zhuǎn)型，對(duì)氮化鎵芯片的高頻、高效特性提出迫切需求，單機(jī)柜功率密度提升至300kW的技術(shù)升級(jí)，進(jìn)一步放大了氮化鎵的應(yīng)用價(jià)值。
此外，光伏儲(chǔ)能、工業(yè)電源等領(lǐng)域在全球“雙碳”目標(biāo)驅(qū)動(dòng)下，對(duì)高效節(jié)能功率器件的需求也持續(xù)釋放，共同構(gòu)成了氮化鎵產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)的核心動(dòng)力。
在全球氮化鎵產(chǎn)業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)格局中，成立于2015年的英諾賽科已成長(zhǎng)為不容忽視的頭部力量。作為全球率先布局8英寸硅基氮化鎵量產(chǎn)線的企業(yè)之一，英諾賽科自成立之初已確立了“全產(chǎn)業(yè)鏈模式+8英寸規(guī)模化量產(chǎn)”的戰(zhàn)略定位。
目前，英諾賽科已建成兩座8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)基地，采用先進(jìn)的IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式，實(shí)現(xiàn)了從外延、器件設(shè)計(jì)到芯片制造、封裝測(cè)試的全流程自主可控。
財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)顯示，2025年上半年英諾賽科營(yíng)收達(dá)到5.53億元，同比增長(zhǎng)43.4%，毛利率實(shí)現(xiàn)6.8%的正向突破，結(jié)束了此前的虧損狀態(tài)，標(biāo)志著企業(yè)已進(jìn)入規(guī)?；年P(guān)鍵拐點(diǎn)。
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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