1月8日，三安光電在投資者互動(dòng)平臺(tái)明確披露，旗下湖南三安半導(dǎo)體的碳化硅（SiC）MOSFET產(chǎn)品已正式向維諦、臺(tái)達(dá)、光寶、長城、偉創(chuàng)力等全球頭部電源廠商實(shí)現(xiàn)批量供貨，相關(guān)產(chǎn)品經(jīng)這些客戶集成后，將最終交付至數(shù)據(jù)中心、AI服務(wù)器、通信設(shè)備等下游核心終端場景。
圖片來源：湖南三安
公開資料顯示，三安光電成立于2000年，2008年登陸上海證券交易所，是國內(nèi)化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的龍頭企業(yè)，核心戰(zhàn)略定位為“LED+化合物半導(dǎo)體”雙主業(yè)協(xié)同發(fā)展。在SiC業(yè)務(wù)板塊，三安光電以湖南三安為核心運(yùn)營主體，已建成國內(nèi)領(lǐng)先的6英寸SiC襯底、外延及芯片產(chǎn)線。
梳理三安光電近期動(dòng)態(tài)可見，自2025年12月底以來，公司在核心業(yè)務(wù)突破、資本運(yùn)作、產(chǎn)能建設(shè)等多個(gè)維度動(dòng)作頻頻。
除此次SiC MOSFET批量供貨外，公司2026年1月8日同步披露，其砷化鎵多結(jié)太陽能電池已成功應(yīng)用于商用衛(wèi)星電源領(lǐng)域，供應(yīng)多家國內(nèi)外客戶，進(jìn)一步鞏固了在太空光伏賽道的先發(fā)優(yōu)勢(shì)。
值得關(guān)注的是，在新能源汽車領(lǐng)域，公司1200V 13mΩ SiC MOSFET芯片已成功搭載理想汽車高壓平臺(tái)車型，實(shí)現(xiàn)車規(guī)級(jí)產(chǎn)品從技術(shù)攻關(guān)到規(guī)?；b車的里程碑突破。
圖片來源：三安半導(dǎo)體
2025年12月29日，公司董事會(huì)審議通過為全資及控股子公司提供不超過183億元擔(dān)保額度的議案，以支持各子公司在SiC、光通信等核心業(yè)務(wù)的產(chǎn)能建設(shè)與市場拓展，該議案將于2026年1月14日提交臨時(shí)股東會(huì)審議。同期，公司控股股東三安電子完成部分股份質(zhì)押，累計(jì)質(zhì)押5.99億股，占其持股比例的49.38%；三安集團(tuán)及三安電子合計(jì)質(zhì)押7.66億股，占其合計(jì)持股的52.11%，質(zhì)押融資全部用于生產(chǎn)經(jīng)營，未觸發(fā)平倉風(fēng)險(xiǎn)，公司控制權(quán)及經(jīng)營穩(wěn)定性不受影響。
產(chǎn)能布局上，湖南三安二期6/8英寸兼容產(chǎn)線正在加緊建設(shè)，規(guī)劃年產(chǎn)能36萬片（6英寸等效），預(yù)計(jì)2026年第二季度正式投產(chǎn)，屆時(shí)將進(jìn)一步提升公司SiC業(yè)務(wù)的規(guī)模優(yōu)勢(shì)。
行業(yè)分析人士指出，三安光電近期在SiC、砷化鎵等核心業(yè)務(wù)領(lǐng)域的密集突破，疊加產(chǎn)能擴(kuò)張與資本運(yùn)作的穩(wěn)步推進(jìn)，正推動(dòng)公司從傳統(tǒng)LED龍頭向全球領(lǐng)先的化合物半導(dǎo)體企業(yè)轉(zhuǎn)型。
隨著8英寸SiC產(chǎn)線良率提升、1.6T光芯片客戶驗(yàn)證推進(jìn)及車規(guī)級(jí)產(chǎn)品滲透率提升，公司有望在2026年迎來業(yè)績?cè)鲩L的關(guān)鍵拐點(diǎn)，同時(shí)為我國化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的崛起提供支撐。
（集邦化合物半導(dǎo)體 Niko 整理）
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