近日，廣東致能半導(dǎo)體官微宣布，于2025年11月攜手國際知名8英寸Fab完成全球首個8英寸藍(lán)寶石基氮化鎵功率器件量產(chǎn)落地。
圖片來源：廣東致能半導(dǎo)體官微
據(jù)介紹，致能半導(dǎo)體通過導(dǎo)入行業(yè)領(lǐng)先的制造工藝及創(chuàng)新的技術(shù)平臺，產(chǎn)品在芯片尺寸、生產(chǎn)成本、電學(xué)性能、制造一致性等核心指標(biāo)方面均較競爭技術(shù)展現(xiàn)出全面的領(lǐng)先優(yōu)勢。
資料顯示，致能半導(dǎo)體成立于2018年，是國內(nèi)第三代半導(dǎo)體氮化鎵領(lǐng)域的高新技術(shù)企業(yè)，專注于氮化鎵功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。致能半導(dǎo)體核心業(yè)務(wù)聚焦硅基氮化鎵芯片及其共封裝器件的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，具備完整IDM能力。公司擁有TO247、TOLL、PQFN56等多種封裝類型的氮化鎵功率器件，已完成硅基氮化鎵高功率大電壓常開平面元器件研發(fā)并交付客戶。
今年7月，公司CEO黎子蘭博士在瑞典舉辦的#國際氮化物半導(dǎo)體會議（ICNS）上，首次公布硅基垂直GaN HEMT功率器件技術(shù)。該技術(shù)實現(xiàn)了硅襯底上垂直GaN/AlGaN結(jié)構(gòu)生長和二維電子氣溝道構(gòu)建，還做出全球首個垂直常開、常關(guān)兩種類型器件，其中常關(guān)器件閾值電壓最高可達(dá)4V以上，憑借原創(chuàng)性貢獻(xiàn)獲得會議廣泛關(guān)注與高度評價。
融資方面，廣東致能半導(dǎo)體目前已完成多輪融資，從早期種子輪逐步推進(jìn)至C輪，投資方涵蓋知名VC資本、產(chǎn)業(yè)基金及頭部企業(yè)創(chuàng)投等。
今年1月廣東致能半導(dǎo)體完成C輪融資，投資方包括高榕資本、博世創(chuàng)投、深創(chuàng)投等。此次融資正值公司推進(jìn)氮化鎵器件量產(chǎn)的關(guān)鍵階段，資本的注入為其提升產(chǎn)能、強(qiáng)化供應(yīng)鏈體系提供了有力支撐。
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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