8月1日，英偉達官網(wǎng)更新800V直流電源架構合作商名錄，氮化鎵龍頭企業(yè)英諾賽科上榜，為英偉達Kyber機架系統(tǒng)提供全鏈路氮化鎵電源解決方案，這也是名單中唯一的中國芯片企業(yè)。
據(jù)悉，英偉達與英諾賽科此次合作將推動800V直流（800 VDC）電源架構在AI數(shù)據(jù)中心的規(guī)模化應用，并將單機房算力密度將提升10倍以上，助力單機柜功率密度突破300kW，推動全球AI數(shù)據(jù)中心正式邁入兆瓦級供電時代。
業(yè)界認為，英偉達選擇英諾賽科作為其核心合作伙伴，主要看中后者具備的從襯底、外延、芯片設計到封裝測試的IDM全鏈優(yōu)勢，擁有“技術+產(chǎn)能+服務”綜合實力。
資料顯示，英諾賽科專注于氮化鎵研發(fā)與制造，擁有全球最大的氮化鎵功率半導體生產(chǎn)基地，產(chǎn)品覆蓋氮化鎵晶圓、氮化鎵分立器件、合封芯片、模組等，可廣泛應用于消費與家電、數(shù)據(jù)中心、汽車電子、新能源與工業(yè)等領域。
英諾賽科堅定推行IDM（設計-制造-封測一體化）模式，戰(zhàn)略重心聚焦8英寸GaN產(chǎn)線的工程化成熟度。資料顯示，英諾賽科自主研發(fā)的8英寸GaN-on-Si量產(chǎn)線，良率達95%以上，推動成本下降40%，是目前業(yè)界最先進的生產(chǎn)線之一，產(chǎn)能居行業(yè)首位。
圖片來源：英諾賽科
今年7月，媒體報道英諾賽科正加速其8英寸氮化鎵晶圓產(chǎn)能的擴張。公司計劃將當前每月13000片的產(chǎn)能提升至2025年底的20000片。長遠目標是未來五年內(nèi)將月產(chǎn)能進一步擴大至70000片。
技術方面，英諾賽科第三代GaN器件高頻效率達98.5%，支持15V-1200V全電壓場景。
此外，英諾賽科還提供高壓/中壓/低壓三級DC-DC轉(zhuǎn)換架構，系統(tǒng)性提升整體轉(zhuǎn)換效率，實現(xiàn)從電網(wǎng)到GPU的端到端的高效傳輸。
（集邦化合物半導體 Flora 整理）
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