近日，國家知識產權局信息顯示，安徽格恩半導體有限公司申請一項名為“一種氮化鎵基化合物半導體激光器”的專利。
專利摘要顯示，本發(fā)明涉及半導體激光元件技術領域，具體公開了一種氮化鎵基化合物半導體激光器。該氮化鎵基化合物半導體激光器，從下至上依次包括襯底、下限制層、下波導層、有源層、上波導層、上限制層，上波導層與上限制層之間具有強布里淵光力耦合層；強布里淵光力耦合層的In/C元素比例具有函數y＝A+x?1/2x第一四象限曲線分布；In/O元素比例具有函數y＝B+x?1/2x第一四象限曲線分布；In/H元素比例具有函數y＝C+x?1/2x第一四象限曲線分布；該氮化鎵基化合物半導體激光器，能夠降低激光光場耗散，抑制光場模式泄漏到襯底形成駐波，提升遠場圖像FFP質量、光束質量因子和激光相干性。
天眼查資料顯示，安徽格恩半導體有限公司，成立于2021年，位于六安市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設備制造業(yè)為主的企業(yè)。（集邦化合物半導體整理）
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