文章分類： 氧化鎵

富加鎵業(yè)推出新型（011）晶面氧化鎵襯底產(chǎn)品

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 10 月 20 日 13:46 |
| 分類: 企業(yè) , 氧化鎵
近期，富加鎵業(yè)正式推出新型（011）晶面氧化鎵襯底產(chǎn)品，涵蓋小片及2英寸標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格，并全面開放4英寸襯底與2-4英寸外延片定制服務(wù)。 圖片來源：杭州富加鎵業(yè)科技有限公司 富加鎵業(yè)成立于2019年，核心產(chǎn)品為氧化鎵單晶襯底、MOCVD/MBE外延片、布里奇曼法（VB法）及導(dǎo)模法(E...  [詳內(nèi)文]

鎵仁半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)6英寸氧化鎵同質(zhì)外延生長(zhǎng)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 10 月 16 日 18:27 |
| 分類: 氧化鎵
近日，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱“鎵仁半導(dǎo)體”）宣布在氧化鎵同質(zhì)外延技術(shù)上取得重大突破，成功實(shí)現(xiàn)了高質(zhì)量6英寸氧化鎵同質(zhì)外延生長(zhǎng)。 此次鎵仁半導(dǎo)體 的6英寸氧化鎵同質(zhì)外延片表現(xiàn)優(yōu)異。外延層厚度超過10微米，厚度均勻性優(yōu)異，方差σ小于1%。高分辨XRD搖擺曲線半高寬小于40弧...  [詳內(nèi)文]

國(guó)內(nèi)第四代半導(dǎo)體氧化鎵技術(shù)取得重大進(jìn)展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 09 月 16 日 14:19 |
| 分類: 產(chǎn)業(yè) , 氧化鎵
氧化鎵作為極具潛力的第四代半導(dǎo)體材料，能承受超高電壓、成本低，在電動(dòng)汽車、軌道交通、5G/6G基站、智能電網(wǎng)、航空航天等系統(tǒng)中應(yīng)用廣泛，被譽(yù)為下一代高功率電子器件的“明星材料”。不過，作為新興材料，氧化鎵應(yīng)用仍有諸多技術(shù)瓶頸待克服。 近期，國(guó)內(nèi)氧化鎵領(lǐng)域頻頻傳出重大進(jìn)展。 富加鎵...  [詳內(nèi)文]

金剛石基氧化鎵熱管理領(lǐng)域，西電研究團(tuán)隊(duì)傳來喜訊！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 09 月 04 日 14:17 |
| 分類: 氧化鎵
近日，由西安電子科技大學(xué)集成電路學(xué)部郝躍院士團(tuán)隊(duì)張進(jìn)成教授、寧?kù)o教授等在寬禁帶半導(dǎo)體材料集成領(lǐng)域取得取得突破性進(jìn)展，研究成果以“Van der Waals β-Ga?O?thin ?lms on polycrystalline diamond substrates”為題在線發(fā)表于...  [詳內(nèi)文]

國(guó)際領(lǐng)先，國(guó)內(nèi)8英寸氧化鎵襯底秀最新成績(jī)單

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 09 月 04 日 14:09 |
| 分類: 氧化鎵
9月3日，“鎵仁半導(dǎo)體”官微透露，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司(以下簡(jiǎn)稱“鎵仁半導(dǎo)體”) 8英寸氧化鎵襯底今年7月通過了國(guó)內(nèi)/國(guó)外知名機(jī)構(gòu)的檢測(cè)，并聯(lián)合發(fā)布檢測(cè)結(jié)果。 深圳平湖實(shí)驗(yàn)室檢測(cè)結(jié)果顯示，本次測(cè)試樣品為氧化鎵8英寸襯底，取點(diǎn)共計(jì)5個(gè)，XRD搖擺曲線半高寬測(cè)試結(jié)果：22~26 a...  [詳內(nèi)文]

16.8億元氧化鎵項(xiàng)目迎新進(jìn)展：預(yù)計(jì)8月入駐機(jī)電設(shè)備

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 25 日 15:06 |
| 分類: 氧化鎵
近日，據(jù)上杭融媒公眾號(hào)消息，福建晶旭半導(dǎo)體科技有限公司二期項(xiàng)目——基于氧化鎵壓電薄膜新材料的高頻濾波器芯片生產(chǎn)項(xiàng)目迎來新進(jìn)展。 目前最新進(jìn)展是該項(xiàng)目整個(gè)主體建筑已全部封頂；辦公大樓、研發(fā)樓、宿舍正在進(jìn)行內(nèi)部精裝修；主體廠房潔凈車間班組已入駐；動(dòng)力中心正在內(nèi)部調(diào)試，預(yù)計(jì)8月可進(jìn)行機(jī)...  [詳內(nèi)文]

封頂/投產(chǎn)，國(guó)內(nèi)兩個(gè)化合物半導(dǎo)體項(xiàng)目新進(jìn)展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 05 月 28 日 14:18 |
| 分類: 企業(yè) , 氧化鎵 , 碳化硅SiC
從氮化鎵（GaN）的“秒充”革命到碳化硅（SiC）在新能源汽車中的規(guī)模化應(yīng)用，化合物半導(dǎo)體正加速重構(gòu)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)格局，為5G通信、智能電網(wǎng)、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域注入新動(dòng)能。隨著市場(chǎng)對(duì)高性能、高能效半導(dǎo)體器件需求的激增，國(guó)內(nèi)化合物半導(dǎo)體項(xiàng)目層出不窮。近期，兩個(gè)相關(guān)項(xiàng)目傳出新進(jìn)展，...  [詳內(nèi)文]

氧化鎵領(lǐng)域強(qiáng)強(qiáng)合作，國(guó)內(nèi)廠商發(fā)力！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 05 月 19 日 15:28 |
| 分類: 企業(yè) , 氧化鎵
5月16日，中國(guó)氧化鎵襯底領(lǐng)域領(lǐng)先企業(yè)鎵仁半導(dǎo)體與德國(guó)氧化鎵外延頭部企業(yè) NextGO.Epi 簽署全球戰(zhàn)略合作協(xié)議，雙方將依托技術(shù)優(yōu)勢(shì)協(xié)同攻關(guān)，聚焦超寬禁帶半導(dǎo)體材料氧化鎵的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，此次強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合將共同推動(dòng)氧化鎵在新能源、電力電子等領(lǐng)域的應(yīng)用突破，為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)注入新動(dòng)能...  [詳內(nèi)文]

亞洲氧化鎵技術(shù)迎新進(jìn)展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 14 日 13:44 |
| 分類: 企業(yè) , 氧化鎵
從硅（Si）到砷化鎵（GaAs），再到碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），半導(dǎo)體材料禁帶寬度的拓寬始終驅(qū)動(dòng)著性能邊界的拓展。如今，氧化鎵（Ga?O?）作為第四代超寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表，正以其顛覆性的物理特性與成本優(yōu)勢(shì)，掀起一場(chǎng)新的半導(dǎo)體革命。 氧化鎵熔點(diǎn)高達(dá)1900℃，不溶于水...  [詳內(nèi)文]