Tag Archives: 碳化硅襯底

總投資21億，晶盛機電SiC襯底片項目正式簽約啟動
作者 |發布日期 2023 年 11 月 06 日 13:42 | 分類 功率
11月4日，晶盛機電“年產25萬片6英寸、5萬片8英寸碳化硅襯底片項目”正式簽約啟動，此舉旨在攻關半導體材料端關鍵核心技術，最終實現國產替代。 據悉，此次簽約項目總投資達21.2億元。啟動儀式上，晶盛機電董事長曹建偉博士表示，本次項目啟動，是晶盛機電創新增長的重要方向。 資料顯示...  [詳內文]

科友半導體首批8英寸SiC襯底下線
作者 |發布日期 2023 年 10 月 17 日 17:38 | 分類 碳化硅SiC
在大尺寸材料愈加受到青睞之際，國產碳化硅SiC襯底企業開啟快速追趕國際廠商的模式，不斷在8英寸SiC襯底領域取得突破。 截至目前，已有超10家國產企業研發出8英寸SiC襯底，并在此基礎上加快產業化的進程，包括爍科晶體、晶盛機電、天岳先進、南砂晶圓、同光股份、中科院物理所、山東大學...  [詳內文]