科友半導體首批8英寸SiC襯底下線(xiàn)

作者 | 發(fā)布日期 2023 年 10 月 17 日 17:38 | 分類(lèi) 碳化硅SiC

在大尺寸材料愈加受到青睞之際,國產(chǎn)碳化硅SiC襯底企業(yè)開(kāi)啟快速追趕國際廠(chǎng)商的模式,不斷在8英寸SiC襯底領(lǐng)域取得突破。

截至目前,已有超10家國產(chǎn)企業(yè)研發(fā)出8英寸SiC襯底,并在此基礎上加快產(chǎn)業(yè)化的進(jìn)程,包括爍科晶體、晶盛機電、天岳先進(jìn)、南砂晶圓、同光股份、中科院物理所、山東大學(xué)、天科合達、科友半導體、乾晶半導體、湖南三安半導體等。其中,科友半導體今年以來(lái)在該領(lǐng)域進(jìn)展較快,現已實(shí)現首批自研8英寸SiC襯底的成功下線(xiàn)。

來(lái)源:科友半導體

據了解,科友半導體于2022年10月在6英寸SiC晶體厚度上實(shí)現40mm的突破,后于12月份宣布,通過(guò)自主設計制造的電阻長(cháng)晶爐產(chǎn)出直徑超過(guò)8英寸的SiC單晶,晶體表面光滑無(wú)缺陷,最大直徑超過(guò)204mm。

2023年4月,科友8英寸SiC中試線(xiàn)在正式貫通后,同步推進(jìn)晶體生長(cháng)厚度、良率提升和襯底加工產(chǎn)線(xiàn)建設,加快襯底加工設備調試與工藝參數優(yōu)化,并在SiC襯底加工良率和面型參數上不斷取得新進(jìn)展。

2023年5月,科友宣布自研出兩種不同加熱方式的PVT法晶體生長(cháng)爐,完成了國產(chǎn)自主1至4代感應爐和1至3代電阻爐的研發(fā),形成大尺寸低成本SiC產(chǎn)業(yè)化制備系列技術(shù)。在此基礎上,科友半導體實(shí)現了6英寸SiC單晶襯底的規模生產(chǎn)和批量供貨,8英寸SiC單晶襯底的小批量生產(chǎn)及供貨,自此開(kāi)始向碳化硅晶體生長(cháng)企業(yè)提供涵蓋設備、材料及技術(shù)服務(wù)等全產(chǎn)業(yè)鏈的解決方案。

2023年9月,科友首批自產(chǎn)8英寸SiC襯底于科友產(chǎn)學(xué)研聚集區襯底加工車(chē)間成功下線(xiàn),這標志著(zhù)科友在8英寸SiC襯底加工,以及大尺寸襯底產(chǎn)業(yè)化方面邁出了堅實(shí)一步。

除了加快大尺寸襯底制備技術(shù)和產(chǎn)品的研發(fā)之外,科友目前也在積極推進(jìn)SiC擴產(chǎn)項目的建設。目前,科友第三代半導體項目一期已實(shí)現量產(chǎn),全部達產(chǎn)后可形成年產(chǎn)10萬(wàn)片6英寸SiC襯底的生產(chǎn)能力;二期工程也已開(kāi)工建設,建成后將實(shí)現年產(chǎn)導電型SiC襯底15萬(wàn)片。按照發(fā)展規劃,未來(lái)兩年將實(shí)現年產(chǎn)20-30萬(wàn)片SiC襯底的產(chǎn)能。(化合物半導體市場(chǎng)Jenny整理)

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