文章分類： 功率

寶士曼功率半導體項目明年投產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 11 月 19 日 18:00 | | 分類: 企業(yè) , 功率
11月13日，據(jù)“吳中發(fā)布”消息，江蘇省蘇州市吳中區(qū)近期全力沖刺第四季度加力提速重點項目建設，其中涉及一個第三代半導體項目——蘇州寶士曼半導體設備有限公司（以下簡稱：寶士曼）第三代半導體及集成電路專用設備研發(fā)生產(chǎn)項目。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 該項目占地面積50畝，建筑面積約...  [詳內(nèi)文]

碳化硅設備相關廠商科瑞爾獲投資

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 11 月 19 日 18:00 |
| 分類: 產(chǎn)業(yè) , 功率
近日，碳化硅設備細分領域融資風云再起，國內(nèi)又有一家碳化硅模塊封裝設備企業(yè)完成新一輪融資。 11月18日，據(jù)“中車資本”消息，由中車資本主發(fā)起的中車轉型升級基金，已在本月完成對功率半導體核心封裝設備制造商常州科瑞爾科技有限公司（以下簡稱：科瑞爾）的投資。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫...  [詳內(nèi)文]

廣東珠海100億碳化硅相關項目投產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 11 月 15 日 17:58 |
| 分類: 功率
據(jù)珠海網(wǎng)消息，11月14日，總投資約100億元的珠海奕源半導體材料產(chǎn)業(yè)基地項目在金灣區(qū)半導體產(chǎn)業(yè)園開工建設。 source：觀海融媒 據(jù)介紹，珠海奕源項目是北京奕斯偉集團聚焦半導體行業(yè)上游先進材料，在金灣區(qū)打造的集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售于一體的半導體材料產(chǎn)業(yè)基地。該項目由華發(fā)集團戰(zhàn)略...  [詳內(nèi)文]

深重投國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心深圳綜合平臺亮相

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 11 月 15 日 17:57 | | 分類: 功率
11月15日，深重投集團投建的國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心深圳綜合平臺在中國國際高新技術成果交易會（簡稱：高交會）上，召開建成發(fā)布會。 source：高交會 據(jù)介紹，建成發(fā)布的深圳綜合平臺具備碳化硅、氮化鎵及超寬禁帶功率材料與器件研發(fā)、集成設計及試制能力。 深圳綜合平臺主要由三...  [詳內(nèi)文]

印度開發(fā)出4英寸碳化硅晶圓工藝

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 11 月 13 日 15:56 |
| 分類: 功率
據(jù)外媒報道，11月11日，印度國防研究與發(fā)展組織（DRDO）下屬的固體物理實驗室已成功開發(fā)出本土一種工藝，可以生長和制造直徑為4英寸的碳化硅（SiC）晶片。此外，他們還已制造出功率高達150W的氮化鎵（GaN）HEMT以及功率為40W的單片微波集成電路（MMIC），這些器件能夠在...  [詳內(nèi)文]

8英寸碳化硅，天科合達北京二期項目正式開工

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 11 月 13 日 15:53 |
| 分類: 功率
11月12日，北京天科合達半導體股份有限公司（以下簡稱“天科合達”）“第三代半導體碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地建設二期項目”開工儀式在北京順利舉行。 source：天科合達 據(jù)集邦化合物半導體此前報道，二期項目位于北京市大興區(qū)大興新城東南片區(qū)0605-022C地塊為現(xiàn)有工程東側空地；項...  [詳內(nèi)文]

MACOM牽頭碳化硅基氮化鎵項目

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 11 月 06 日 16:11 |
| 分類: 功率
11月4日，美國半導體企業(yè)MACOM宣布，將引領一個碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）技術開發(fā)項目，主要針對于射頻（RF）和微波應用領域。 項目專注于開發(fā)氮化鎵基材料和單片微波集成電路（MMIC）的半導體制造工藝，以實現(xiàn)在高壓和毫米波（mmW）頻率下的高效運行。 圖片來源：...  [詳內(nèi)文]

長飛先進武漢碳化硅基地將提前2個月量產(chǎn)通線

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 10 月 31 日 17:14 |
| 分類: 功率
10月30日，長飛先進武漢基地相關負責人對外介紹，長飛先進武漢碳化硅基地11月設備即將進駐廠房，明年年初開始調(diào)試，預計2025年5月可以量產(chǎn)通線，隨后將開啟良率提升和產(chǎn)能爬坡。 source:光谷融媒體中心 據(jù)悉，長飛先進武漢基地主要聚焦于第三代半導體功率器件研發(fā)與生產(chǎn)，項目總...  [詳內(nèi)文]

臺灣地區(qū)新增一座碳化硅襯底廠

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 10 月 25 日 16:01 |
| 分類: 功率
據(jù)臺媒消息，10月22日，臺灣碳化硅長晶廠商格棋化合物半導體公司（下文簡稱“格棋”）舉行了中壢新廠落成典禮。 source：格棋 據(jù)介紹，格棋中壢新廠總投資金額達6億元新臺幣（折合人民幣約1.33億元），預計2024年第四季達到滿產(chǎn)。其中6英寸碳化硅晶片月產(chǎn)能可達5,000片，...  [詳內(nèi)文]

山東2個氮化鎵襯底項目有新進展

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 10 月 22 日 17:50 | | 分類: 功率
在當今快速發(fā)展的科技時代，半導體材料的創(chuàng)新和應用正成為推動全球電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關鍵力量。在第三代半導體材料領域，氮化鎵（GaN）因其卓越的電子特性和廣泛的應用前景，正受到業(yè)界的關注。近期，山東省的濟南和臨沂兩地，在氮化鎵襯底方面取得了新進展。 濟南：新增一個氮化鎵項目 據(jù)濟南日報消...  [詳內(nèi)文]