近期，廣東省發(fā)展和改革委員會(huì)公布2025年度廣東省中試平臺(tái)遴選結(jié)果，深圳平湖實(shí)驗(yàn)室聯(lián)合深圳市鵬進(jìn)高科技有限公司 聯(lián)合共同建設(shè)的“化合物功率半導(dǎo)體中試平臺(tái)”成功入選。
圖片來源：2025年度廣東省中試平臺(tái)認(rèn)定名單截圖
此次獲批的“廣東省化合物功率半導(dǎo)體中試平臺(tái)”具備研發(fā)、中試與產(chǎn)業(yè)化能力，平臺(tái)構(gòu)建了從器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、工藝開發(fā)到產(chǎn)品測(cè)試的全流程的中試服務(wù)體系，能有效破解行業(yè)技術(shù)轉(zhuǎn)化瓶頸，加速高性能芯片國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程，為新能源汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)、5G通信等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)提供核心技術(shù)支撐。作為連接實(shí)驗(yàn)室技術(shù)成果與產(chǎn)業(yè)化規(guī)模化生產(chǎn)的“關(guān)鍵橋梁”，化合物功率半導(dǎo)體中試平臺(tái)精準(zhǔn)聚焦行業(yè)痛點(diǎn)，降低科技成果轉(zhuǎn)化風(fēng)險(xiǎn)，加速創(chuàng)新產(chǎn)品落地，賦能產(chǎn)業(yè)鏈升級(jí)。
平湖實(shí)驗(yàn)室表示，下一步將持續(xù)高標(biāo)準(zhǔn)推進(jìn)平臺(tái)建設(shè)運(yùn)營(yíng)，開放共享中試資源，匯聚國(guó)內(nèi)外創(chuàng)新力量，深化與上下游企業(yè)、高校及科研機(jī)構(gòu)的協(xié)同合作，加快形成新質(zhì)生產(chǎn)力，有力支撐廣東省半導(dǎo)體行業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。
資料顯示，深圳平湖實(shí)驗(yàn)室成立于2022年8月，下設(shè)多個(gè)先進(jìn)功率半導(dǎo)體課題組及相關(guān)管理支撐部門。實(shí)驗(yàn)室采取開放共享的運(yùn)行模式，積極開展國(guó)內(nèi)外科技合作和學(xué)術(shù)交流，建設(shè)面向全國(guó)的公共、開放、共享的平臺(tái)，涉及8英寸SiC、GaN芯片，核心裝備及零部件和材料驗(yàn)證，材料研究及器件測(cè)試與認(rèn)證共享服務(wù)與科技服務(wù)共享四大技術(shù)平臺(tái)，瞄準(zhǔn)五大應(yīng)用方向：新能源汽車與軌道交通電驅(qū)動(dòng)、新型電力系統(tǒng)、新一代通信和數(shù)據(jù)中心的基礎(chǔ)設(shè)施供電、消費(fèi)類電子和通用電源、特種裝備及其它。
2025年11月，深圳平湖實(shí)驗(yàn)室第三代躍升課題組在碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SiC JFET）技術(shù)研發(fā)上取得重要進(jìn)展，成功研發(fā)出的750V平面型SiC JFET器件，技術(shù)指標(biāo)達(dá)到了國(guó)際先進(jìn)水平。
2025年12月，深圳平湖實(shí)驗(yàn)室表示在高壓650V氮化鎵（GaN）功率器件領(lǐng)域取得關(guān)鍵進(jìn)展，成功研制出高性能高壓GaN E-HEMT（增強(qiáng)型高電子遷移率晶體管）器件，關(guān)鍵性能達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，可為數(shù)據(jù)中心一次電源、工業(yè)機(jī)器人、車載OBC提供有競(jìng)爭(zhēng)力的解決方案。
同期，在國(guó)家科技重大專項(xiàng)支持下，深圳平湖實(shí)驗(yàn)室在高壓1200V級(jí)GaN功率器件領(lǐng)域取得關(guān)鍵性突破，首次在8英寸Si襯底上實(shí)現(xiàn)了超過8μm的低翹曲GaN外延，成功驗(yàn)證了1200V等級(jí)科研小器件電性，關(guān)鍵性能達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，為提升數(shù)據(jù)中心800V母線供電、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)等關(guān)鍵產(chǎn)業(yè)的核心元器件自主供應(yīng)能力奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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