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機(jī)器人，氮化鎵下一個風(fēng)口？
作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 20 日 18:00 | 分類 產(chǎn)業(yè) , 功率 , 氮化鎵GaN
氮化鎵（GaN）材料具有寬禁帶、高電子遷移率、高熱導(dǎo)率、高擊穿電壓、化學(xué)穩(wěn)定性等特點，以及較強的抗輻射、抗高溫、抗高壓能力，這些特性使得氮化鎵在功率半導(dǎo)體器件、光電子器件以及射頻電子器件等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。 目前，功率氮化鎵在消費電子領(lǐng)域應(yīng)用已漸入佳境，并正在逐步向各類應(yīng)用...  [詳內(nèi)文]

四川巴中經(jīng)開區(qū)功率器件封裝項目設(shè)備進(jìn)場
作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 20 日 18:00 | 分類 產(chǎn)業(yè) , 企業(yè)
12月18日，據(jù)“巴中經(jīng)開區(qū)”官微消息，位于四川巴中經(jīng)開區(qū)東西部協(xié)作產(chǎn)業(yè)園二期的功率器件封裝生產(chǎn)基地項目，首批58臺封裝設(shè)備于12月18日正式進(jìn)場，標(biāo)志著該項目進(jìn)入投產(chǎn)前的沖刺階段。 source：巴中經(jīng)開區(qū) 據(jù)項目負(fù)責(zé)人介紹，第一批58臺設(shè)備主要是封裝前端固晶、共晶熱機(jī)設(shè)備，...  [詳內(nèi)文]

200億，長飛先進(jìn)武漢碳化硅基地預(yù)計明年5月量產(chǎn)通線
作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 19 日 18:00 | 分類 產(chǎn)業(yè) , 企業(yè)
12月18日，據(jù)長飛先進(jìn)官微消息，長飛先進(jìn)武漢基地項目首批設(shè)備搬入儀式于光谷科學(xué)島舉辦。 source：長飛先進(jìn) 據(jù)介紹，長飛先進(jìn)武漢基地項目本次搬入的設(shè)備涵蓋芯片制造各個環(huán)節(jié)，包括薄膜淀積、離子注入、光刻、刻蝕等。目前，長飛先進(jìn)武漢基地項目正推進(jìn)建設(shè)并對設(shè)備進(jìn)行安裝調(diào)試，預(yù)計...  [詳內(nèi)文]

環(huán)球晶圓碳化硅外延在美國擴(kuò)產(chǎn)
作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 19 日 17:21 | 分類 企業(yè)
當(dāng)?shù)貢r間12月17日，美國商務(wù)部宣布向環(huán)球晶圓美國子公司GlobalWafers America（GWA）及MEMC LLC（MEMC）最高可達(dá)4.06億美元（約人民幣29.63億元）的直接補助。 環(huán)球晶圓表示，補助將用于支持公司位于德州謝爾曼市（Texas）及密蘇里州圣彼得斯市...  [詳內(nèi)文]

投資近百億，格力碳化硅芯片工廠建成投產(chǎn)
作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 18 日 18:00 | 分類 企業(yè)
12月18日消息，格力電器董事長董明珠日前在《珍知酌見》欄目中表示，格力芯片成功了。據(jù)董明珠介紹，格力在芯片領(lǐng)域從自主研發(fā)、自主設(shè)計、自主制造到整個全產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)完成。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 據(jù)報道，格力芯片工廠是一座投資近百億元建設(shè)的碳化硅芯片工廠。該項目于2022年12月...  [詳內(nèi)文]

金信新材料芯片用8英寸碳化硅晶錠項目完成研發(fā)
作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 18 日 18:00 | 分類 企業(yè)
12月18日消息，武漢金信新材料有限公司（以下簡稱：金信新材料）芯片用8英寸碳化硅晶錠項目完成研發(fā)，通過了行業(yè)專家驗證。 source：長江新區(qū) 資料顯示，金信新材料主要研發(fā)生產(chǎn)半導(dǎo)體碳化硅晶錠、半導(dǎo)體超高純碳化硅粉料及超純碳化硅結(jié)構(gòu)件等產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于芯片和光伏領(lǐng)域。 金信新...  [詳內(nèi)文]

X-fab推出新一代碳化硅MOS工藝平臺
作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 18 日 16:47 | 分類 功率
12月17日，碳化硅（SiC）晶圓代工廠商X-fab推出了新一代XbloX平臺XSICM03。該平臺可推進(jìn)SiC工藝技術(shù)在功率MOSFET的應(yīng)用，并顯著降低單元間距，從而在不影響可靠性的前提下增加了每片晶圓芯片數(shù)量并改善導(dǎo)通電阻。 source：X-fab X-fab介紹，Xb...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科開啟全球招股
作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 18 日 16:46 | 分類 企業(yè)
12月18日，英諾賽科發(fā)布公告，公司擬全球發(fā)售4536.4萬股H股，發(fā)售價將為每股發(fā)售股份30.86-33.66港元，最高募資約15.26億港幣（折合人民幣約14.31億元）。 2024年12月18日至12月23日招股，預(yù)期定價日為12月24日，預(yù)期股份將于12月30日開始在聯(lián)交...  [詳內(nèi)文]

碳化硅器件封裝企業(yè)清連科技完成新一輪融資
作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 17 日 16:56 | 分類 產(chǎn)業(yè) , 企業(yè) , 功率
12月16日，據(jù)“清連科技QLSEMI”消息，北京清連科技有限公司（以下簡稱：清連科技）宣布已完成數(shù)千萬元新一輪融資，本輪融資新增股東馮源資本、哈勃科技以及元禾控股，老股東光速光合持續(xù)追投。 官微資料顯示，清連科技致力于提供高性能功率器件高可靠封裝解決方案，團(tuán)隊依托納米金屬燒結(jié)...  [詳內(nèi)文]