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2025 AI風(fēng)口解碼，集邦咨詢(xún)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高層論壇定檔
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 23 日 16:23 | 分類(lèi) 研討會(huì)
TSS2025 在全球科技競(jìng)爭(zhēng)白熱化與AI算力革命交織的當(dāng)下，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正加速重構(gòu)，晶圓代工、先進(jìn)封裝、IC設(shè)計(jì)、存儲(chǔ)器以及第三代半導(dǎo)體等關(guān)鍵領(lǐng)域的發(fā)展，受到前所未有的關(guān)注。 DeepSeek等AI大模型點(diǎn)燃高性能芯片需求，晶圓代工廠商2nm、1nm先進(jìn)制程競(jìng)爭(zhēng)愈演愈烈，成熟制...  [詳內(nèi)文]

濟(jì)南打造第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高地，加快推進(jìn)相關(guān)項(xiàng)目建設(shè)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 23 日 16:10 | 分類(lèi) 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近期，濟(jì)南發(fā)布《2025年國(guó)民經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展計(jì)劃》，提出要加快培育產(chǎn)業(yè)新動(dòng)能，打造第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高地，加快推進(jìn)山東中晶芯源碳化硅單晶和襯底項(xiàng)目、山東天岳碳化硅材料產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目建設(shè)，加大碳化硅上下游領(lǐng)域布局力度，爭(zhēng)取集成電路關(guān)鍵材料和第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目獲得國(guó)家支持。 近年濟(jì)南市依托政...  [詳內(nèi)文]

四款新品集體亮相，SiC與GaN齊發(fā)力
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 23 日 16:06 | 分類(lèi) 企業(yè) , 功率 , 氮化鎵GaN
近期，第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域動(dòng)作頻頻，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）兩大技術(shù)路線均有新品亮相，如英飛凌、英諾賽科、華潤(rùn)微電子、派恩杰半導(dǎo)體不斷推出新產(chǎn)品，為功率器件市場(chǎng)注入新活力。 英飛凌推出全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用GaN晶體管產(chǎn)品系列 4月22日，英飛凌官微宣布推出Coo...  [詳內(nèi)文]

芯干線第三代半導(dǎo)體打入多個(gè)全球一線品牌供應(yīng)鏈
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 22 日 15:43 | 分類(lèi) 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近期，南京芯干線科技透露，今年第一季度，公司以第三代半導(dǎo)體技術(shù)為核心驅(qū)動(dòng)力，在AI算力基礎(chǔ)設(shè)施、消費(fèi)電子快充、高端音響電源及商用儲(chǔ)能領(lǐng)域連破壁壘，成功打入多個(gè)全球一線品牌供應(yīng)鏈。 source：芯干線科技 AI算力基建領(lǐng)域，芯干線自主研發(fā)的 700V增強(qiáng)型氮化鎵（GaN）功率器...  [詳內(nèi)文]

投資3.1億元，英飛凌無(wú)錫功率半導(dǎo)體項(xiàng)目擴(kuò)產(chǎn)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 22 日 15:40 | 分類(lèi) 企業(yè) , 功率
4月15日，上汽英飛凌汽車(chē)功率半導(dǎo)體（上海）有限公司發(fā)布了關(guān)于其無(wú)錫擴(kuò)建功率半導(dǎo)體模塊產(chǎn)線項(xiàng)目的環(huán)境影響評(píng)價(jià)（環(huán)評(píng)）公告。此次擴(kuò)建項(xiàng)目擬新增總投資3.1億元人民幣，旨在進(jìn)一步提升其在汽車(chē)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的產(chǎn)能。 source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖 根據(jù)公告，計(jì)劃選址于無(wú)錫分公司，...  [詳內(nèi)文]

兩家大廠推出第3代SiC MOSFET產(chǎn)品
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 22 日 15:34 | 分類(lèi) 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，清純半導(dǎo)體和VBsemi（微碧半導(dǎo)體）分別推出了其第三代碳化硅（SiC）MOSFET產(chǎn)品平臺(tái)，標(biāo)志著功率半導(dǎo)體技術(shù)在快充效率、高功率密度應(yīng)用等領(lǐng)域取得了重大突破。 01 清純半導(dǎo)體推出第3代SiC MOSFET產(chǎn)品平臺(tái) 4月21日，清純半導(dǎo)體官微宣布，推出第3代碳化硅（Si...  [詳內(nèi)文]

電網(wǎng)領(lǐng)域開(kāi)啟碳化硅產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用新藍(lán)海，天岳先進(jìn)助力行業(yè)新突破
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 21 日 14:10 | 分類(lèi) 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，中國(guó)電機(jī)工程學(xué)會(huì)電力系統(tǒng)電力電子器件專(zhuān)委會(huì)主任委員邱宇峰在接受央媒《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》采訪時(shí)表示，“作為成熟的第三代半導(dǎo)體材料，碳化硅取代現(xiàn)行的硅基是必然趨勢(shì)。碳化硅產(chǎn)業(yè)會(huì)有兩波應(yīng)用浪潮，第一波在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域，第二波在電網(wǎng)領(lǐng)域?？梢钥隙ǖ氖?，碳化硅在電網(wǎng)上的需求將堪比新能源汽車(chē)。”...  [詳內(nèi)文]

晶盛機(jī)電、拉普拉斯2024年報(bào)出爐
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 21 日 14:08 | 分類(lèi) 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，拉普拉斯、晶盛機(jī)電兩家碳化硅領(lǐng)域相關(guān)公司相繼公布2024年報(bào)。   1、拉普拉斯?fàn)I收同比增長(zhǎng)93.12% 拉普拉斯實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)總收入57.28億元，同比增長(zhǎng)93.12%；歸屬凈利潤(rùn)7.29億元，同比增長(zhǎng)77.53%。 2024年，拉普拉斯研發(fā)費(fèi)用為2.96億元，同比增...  [詳內(nèi)文]

功率半導(dǎo)體領(lǐng)域新一批專(zhuān)利曝光
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 21 日 14:06 | 分類(lèi) 企業(yè) , 功率
隨著新能源汽車(chē)、光伏儲(chǔ)能等產(chǎn)業(yè)對(duì)高性能功率器件需求的激增，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導(dǎo)體技術(shù)迎來(lái)新的發(fā)展機(jī)遇。近日，國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局顯示，國(guó)內(nèi)一些企業(yè)在功率器件散熱設(shè)計(jì)、封裝工藝及晶圓處理等關(guān)鍵領(lǐng)域取得系列專(zhuān)利。 1、寧德時(shí)代取得功率半導(dǎo)體器件和散熱裝置專(zhuān)...  [詳內(nèi)文]

Polar與瑞薩電子達(dá)成硅基氮化鎵技術(shù)授權(quán)協(xié)議
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 18 日 13:36 | 分類(lèi) 企業(yè) , 氮化鎵GaN
4月16日，美國(guó)Polar Semiconductor公司宣布與日本瑞薩電子株式會(huì)社（簡(jiǎn)稱(chēng)“瑞薩電子”）達(dá)成戰(zhàn)略協(xié)議，獲得其硅基氮化鎵（GaN-on-Si）技術(shù)授權(quán)。 source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖 Polar Semiconductor 作為美國(guó)唯一一家專(zhuān)門(mén)從事傳感器、電...  [詳內(nèi)文]