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賽微電子：氮化鎵芯片處于工藝開發(fā)階段
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 07 日 17:28 | 分類 氮化鎵GaN
近期，賽微電子在投資者互動平臺透露了相關(guān)產(chǎn)線進展情況，其表示： 深圳產(chǎn)線的相關(guān)工作正在開展中；MEMS先進封裝測試業(yè)務(wù)目前仍處于建設(shè)階段，在試驗線層面，截至目前已在公司MEMS基地（北京FAB3）建成并運營，與客戶需求對接、工藝技術(shù)開發(fā)、部分產(chǎn)品試制等相關(guān)活動已在公司現(xiàn)有條件下展...  [詳內(nèi)文]

合盛硅業(yè)：目前6英寸碳化硅襯底已全面量產(chǎn)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 07 日 17:24 | 分類 碳化硅SiC
近期，合盛硅業(yè)在互動平臺表示，在碳化硅領(lǐng)域，公司經(jīng)過五年的潛心研究與深入鉆研，成功攻克了從高純石墨純化、碳化硅多晶粉料制備到單晶碳化硅生長、襯底加工等全流程的核心技術(shù)難關(guān)。目前，6英寸碳化硅襯底已全面量產(chǎn)，在8英寸碳化硅襯底研發(fā)方面，公司憑借自研體系和高效研發(fā)，已開始小批量生產(chǎn)。...  [詳內(nèi)文]

加碼中國市場，碳化硅龍頭蘇州基地正式建成投產(chǎn)！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 07 日 15:00 | 分類 企業(yè) , 功率 , 碳化硅SiC
近日，據(jù)博世汽車電子事業(yè)部最新消息，博世汽車電子中國區(qū)（ME-CN）在蘇州五廠建成碳化硅（SiC）功率模塊生產(chǎn)基地，這標志著其碳化硅（SiC）功率模塊生產(chǎn)進入新階段。 source：博世半導(dǎo)體 （圖為碳化硅功率模塊本地化生產(chǎn)項目團隊） 據(jù)悉，該基地總投資約70億人民幣，聚焦新一...  [詳內(nèi)文]

羅姆EcoGaN產(chǎn)品被村田制作所AI服務(wù)器電源采用
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 07 日 14:56 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
近日，羅姆表示，公司650V耐壓、TOLL封裝的EcoGaN?產(chǎn)品GaN HEMT，被村田制作所Murata Power Solutions的AI服務(wù)器電源采用，預(yù)計該電源單元將于2025年開始量產(chǎn)。 source：羅姆半導(dǎo)體集團 村田表示，利用GaN HEMT的高速開關(guān)工作、...  [詳內(nèi)文]

這款車載無人機采用氮化鎵材料
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 06 日 16:07 | 分類 氮化鎵GaN
近期，比亞迪、大疆共同發(fā)布了智能車載無人機系統(tǒng)——靈鳶。 靈鳶系統(tǒng)采用雙側(cè)對夾式100W快充模塊，采用氮化鎵材料將充電效率提升至94%，-30℃低溫環(huán)境下仍可30分鐘補電60%。 這不是大疆無人家首次采用氮化鎵技術(shù)，去年7月，大疆發(fā)布了電助力山地車 Amflow PL、Avino...  [詳內(nèi)文]

校企合作，這個車規(guī)級功率半導(dǎo)體聯(lián)合研發(fā)中心揭牌
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 06 日 15:37 | 分類 功率
近期，新鎵能半導(dǎo)體聯(lián)合廈門大學(xué)和廣汽埃安新能源汽車股份有限公司，正式揭牌成立車規(guī)級功率半導(dǎo)體聯(lián)合研發(fā)中心，這標志著校企雙方在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的合作進一步深化。 此次活動為學(xué)術(shù)和產(chǎn)業(yè)搭建了一個交流合作的平臺，通過產(chǎn)學(xué)研的深度融合，校企雙方有望在功率半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用方面取得更...  [詳內(nèi)文]

總投資10個億，江蘇又新增一個SiC項目
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 06 日 15:09 | 分類 功率 , 碳化硅SiC
繼斯科半導(dǎo)體碳化硅芯片模組項目、天科合達碳化硅晶片二期擴產(chǎn)項目、芯華睿Si/SiC 車規(guī)級功率半導(dǎo)體項目 等多個SiC獲得最新進展以后，近日，江蘇再添一個SiC項目。 3月2日，利普思半導(dǎo)體發(fā)文宣布，他們位于江蘇揚州的SiC模塊封裝測試基地建設(shè)正式啟動。據(jù)悉，3月1日，利普思車規(guī)...  [詳內(nèi)文]

全球首發(fā)！杭州鎵仁發(fā)布首顆8英寸氧化鎵單晶
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 06 日 15:05 | 分類 產(chǎn)業(yè) , 企業(yè)
3月5日，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“鎵仁半導(dǎo)體”）宣布，發(fā)布全球首顆第四代半導(dǎo)體氧化鎵8英寸單晶。鎵仁半導(dǎo)體采用完全自主創(chuàng)新的鑄造法成功實現(xiàn)8英寸氧化鎵單晶生長，并可加工出相應(yīng)尺寸的晶圓襯底。據(jù)悉，這一成果，標志著鎵仁半導(dǎo)體成為國際上首家掌握8英寸氧化鎵單晶生長技術(shù)的企業(yè)...  [詳內(nèi)文]

政府工作報告提及具身智能，氮化鎵大有可為
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 06 日 15:01 | 分類 產(chǎn)業(yè) , 射頻 , 氮化鎵GaN
3月5日，國務(wù)院總理李強作政府工作報告，提出因地制宜發(fā)展新質(zhì)生產(chǎn)力，建立未來產(chǎn)業(yè)投入增長機制，培育生物制造、量子科技、具身智能、6G等未來產(chǎn)業(yè)。 資料顯示，具身智能（Embodied Intelligence）是指智能系統(tǒng)通過與環(huán)境的互動，利用身體的感知和運動能力來實現(xiàn)學(xué)習(xí)和推理...  [詳內(nèi)文]

北京企業(yè)自研高性能SiC檢測設(shè)備填補國內(nèi)空白
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 06 日 14:51 | 分類 企業(yè) , 功率 , 碳化硅SiC
據(jù)京報網(wǎng)最新消息，近日，在國內(nèi)電氣檢測設(shè)備領(lǐng)域，北京博電新力電氣股份有限公司（以下簡稱“博電科技”）取得了一項重大突破。 該公司董事長陳衛(wèi)近日透露：博電科技自主研發(fā)的高性能SiC電網(wǎng)模擬器等產(chǎn)品，成功填補了國內(nèi)高端檢測設(shè)備領(lǐng)域的空白，目前已吸引了大量訂單。 source：北京亦...  [詳內(nèi)文]