總投資超5100萬(wàn),又一座高等級(jí)功率半導(dǎo)體廠房竣工!

作者 | 發(fā)布日期 2025 年 04 月 18 日 13:35 | 分類(lèi) 產(chǎn)業(yè) , 功率

據(jù)微龍游消息,4月9日,芯盟高等級(jí)功率半導(dǎo)體廠房項(xiàng)目已順利通過(guò)竣工驗(yàn)收。

據(jù)悉,該項(xiàng)目位于浙江省龍游縣經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)城北片區(qū)惠商路,總投資5100余萬(wàn)元,建筑面積約25000多平方米。項(xiàng)目由龍游經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)下屬?lài)?guó)資公司代建,主體建筑由廠房、綜合樓、門(mén)衛(wèi)、材料庫(kù)及室外附屬配套組成,建筑層數(shù)共計(jì)5層。

該項(xiàng)目的竣工標(biāo)志著龍游縣在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域邁出了堅(jiān)實(shí)的一步,也為國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展注入了新的活力。

據(jù)悉,芯盟項(xiàng)目涵蓋IGBT芯片、IGBT大功率模塊和分立器件的生產(chǎn),并積極拓展碳化硅功率器件領(lǐng)域。項(xiàng)目建成后,預(yù)計(jì)年產(chǎn)300萬(wàn)只高等級(jí)功率半導(dǎo)體模塊。這將顯著提升我國(guó)在高等級(jí)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的研發(fā)與生產(chǎn)能力,進(jìn)一步推動(dòng)國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體的發(fā)展。

該項(xiàng)目建成后將全面提升園區(qū)的整體工藝技術(shù)、產(chǎn)業(yè)鏈等多方面能力,進(jìn)一步助力國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體的發(fā)展。下一步,開(kāi)發(fā)區(qū)將持續(xù)優(yōu)化園區(qū)環(huán)境,優(yōu)化周邊配套設(shè)施,推動(dòng)企業(yè)產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí),為開(kāi)發(fā)區(qū)發(fā)展注入活力。

值得注意的是,芯盟科技是全球首個(gè)研發(fā)出垂直溝道三維存儲(chǔ)器并商業(yè)化的企業(yè),其3D異構(gòu)集成HITOC?鍵合技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)線(xiàn)寬0.9μm,讓芯片之間連接點(diǎn)數(shù)超過(guò)100萬(wàn)個(gè),3D鍵合密度全球領(lǐng)先。

source:微龍游

近期,芯盟科技接連申請(qǐng)了兩項(xiàng)技術(shù)專(zhuān)利。

3月19日,芯盟科技向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局申請(qǐng)了一項(xiàng)名為“動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器及其讀操作方法、電子設(shè)備”的專(zhuān)利,公開(kāi)號(hào)為CN119626287A。該專(zhuān)利通過(guò)優(yōu)化DRAM設(shè)計(jì),引入多個(gè)存儲(chǔ)單元組及靈敏放大器組等,顯著提高了DRAM的感應(yīng)裕度和讀出性能。

4月5日,芯盟科技獲得了一項(xiàng)名為“半導(dǎo)體器件及其制造方法”的專(zhuān)利,授權(quán)公告號(hào)為CN113629011B。這項(xiàng)專(zhuān)利涉及創(chuàng)新的材料選擇和生產(chǎn)工藝,有望提升半導(dǎo)體器件的耐用性和能效,廣泛應(yīng)用于智能設(shè)備、通信基礎(chǔ)設(shè)施及消費(fèi)電子等領(lǐng)域。