SiC產業持續升溫:年末一波小高潮

作者 | 發布日期 2024 年 01 月 22 日 18:05 | 分類 產業

2023年底至2024年初,當人們歡天喜地迎新春之際,SiC產業同樣一片火熱,擴產、合作、融資、技術突破、新品發布等各種好戲輪番上演,共促SiC全產業鏈蓬勃發展。

圖片來源:拍信網正版圖庫

SiC項目進展

1月18日,浙江博藍特半導體科技股份有限公司(以下簡稱博藍特)在實地考察中,與江蘇鎮江丹陽市延陵鎮就博藍特第三代半導體碳化硅(SiC)襯底項目落地延陵鎮進行了深度洽談,博藍特計劃在延陵鎮投資10億元建設年產25萬片的6-8英寸碳化硅襯底項目。

一個投資10億元、年產數十萬片SiC襯底的大項目將落地延陵鎮,將為當地經濟發展注入新的活力,也將為國內SiC產業發展注入強勁動力。

目前業內普遍認為,SiC襯底處于供不應求狀態,年產數十萬片SiC襯底產能將在一定程度上緩解相關產品供需緊張狀態。也正是因為SiC襯底、芯片等產能不足,吸引了大批廠商前赴后繼加入擴產行列。

僅從2023年12月初到2024年1月中旬的一個多月時間,就有十多個SiC相關項目迎來新進展,或簽約落地、或中期驗收、或竣工投產,各大廠商忙的不亦樂乎,這些項目當中,不乏投資超過10億甚至數十億的大手筆。

其中,大江半導體新建SiC項目近日在浙江省發改委官網公示,總投資達38億元,項目建成后,具有年產SiC功率模塊240萬個的產能。較高的投資額和較大的產能,使得該項目在業內引發廣泛關注。

此外,投資額同為15億元,吉盛微武漢SiC制造基地于12月8日啟用,漢軒車規級功率器件制造項目在12月18日開工,前者將致力于推進關鍵半導體設備的國產化,后者則將推動車規級功率器件國產化進程。

值得一提的是,12月28日,天科合達SiC晶片二期擴產項目全面封頂。該項目總投資8.3億元,預計2024年6月竣工,全部達產后年產SiC襯底16萬片。

2023年5月,天科合達已與英飛凌簽訂了一份長期供貨協議,天科合達將為英飛凌供應用于生產SiC半導體的6英寸SiC襯底,其供應量將占英飛凌未來長期預測需求的兩位數份額。英飛凌位于馬來西亞的SiC工廠計劃于2024年投產,屆時,天科合達已竣工的SiC二期擴產項目將在一定程度上保障英飛凌工廠的SiC襯底供應。

SiC新品動態

擴產是為了滿足SiC產業未來市場需求所進行的前瞻性布局,需要時間去產出碩果,在投資擴產的同時,各類SiC新品層出不窮。

其中,芯塔電子自主研發的1200V/80mΩ TO-263-7封裝SiC MOSFET器件、南瑞半導體自主研發的1200V/40mΩ SiC MOSFET器件(NCM40S12T4K2)都已通過AEC-Q101車規級可靠性認證。通過該認證,芯塔電子和南瑞半導體躋身國內少數SiC功率器件產品取得車規級認證的廠商之列,也意味著相關產品的市場競爭力再上一個臺階。

值得一提的是,日本晶圓設備制造商DISCO于2023年12月推出新型SiC切割設備DDS2020,支持切割8英寸SiC材料,可將SiC晶圓的切割速度提高10倍,首批產品已交付客戶。該晶圓切割設備采用了新的斷裂機制,在低負荷下實現了對SiC材料的切割。

SiC技術突破

技術和產品相生相伴,產品研發的進程,也是技術突破的過程。

12月12日,創銳光譜官宣在SiC襯底晶圓位錯缺陷的無損光學檢測技術方面取得突破性進展,并將同步推出SiC襯底晶圓位錯無損檢測專用設備。據悉,該技術基于瞬態激發和散射光譜原理,采用大面積光學成像,實現了SiC襯底晶圓位錯缺陷的高速、精準、非接觸式的無損光學檢測。結合AI識別,可對襯底晶圓中的BPD、TSD、TED等缺陷實現精準的識別和分類。

通用智能則在12月16日將自主研發的8英寸SiC晶錠剝離產線正式交付客戶。通用智能采用激光隱切技術完成SiC晶錠分割工藝過程,成功實現8英寸SiC晶錠剝離設備的量產。

據悉,激光隱形切割是一種先用激光能量切割晶圓的內部,再向貼附在背面的膠帶施加外部壓力,使其斷裂,從而分離芯片的方法。當向背面的膠帶施加壓力時,由于膠帶的拉伸,晶圓將會瞬間向上隆起,從而使芯片分離。相對傳統的激光切割法,SD的優點包括:沒有硅碎屑;切口窄,可以獲得更多芯片;此外,使用SD方法剝落和裂紋現象也將減少,提高了晶圓切割整體質量。

SiC融資風云

無論是開發出契合市場與用戶需求的好產品,還是取得重大技術突破,都有機會成為資本市場的寵兒。近期,優質廠商的融資也是持續不斷。

眾多廠商當中,德智新材、超芯星、清純半導體均在12月完成了數億元融資,成為融資能力方面的佼佼者。

其中,超芯星是一家成立于2019年4月的初創企業,但已成長為國內極少數具備國際競爭力的SiC襯底供應商,擁有多種技術路線,在核心裝備、智能制造、生長工藝、加工技術、產品檢測、模擬仿真等方向擁有先進的核心技術。得益于此,超芯星成立至今已完成5輪融資。

而成立于2021年3月的清純半導體已完成4輪融資,是目前國內極少數能夠在SiC器件核心性能和可靠性方面達到國際一流水平、基于國內產線量產車規級SiC MOSFET的企業。

SiC合作共贏

強強聯合使雙方具備更多優勢,各大SiC廠商正在從技術、產品、市場等多方面尋求合作共贏。

其中,羅姆和東芝、IME和centrotherm、世紀金芯和湖南S公司、芯塔電子和中科海奧等更多是在技術方面展開合作,Luminus和湖南三安將合力開拓市場,理想汽車則致力于擴大供貨渠道。

值得一提的是,理想汽車已和安森美、意法半導體兩大國際巨頭分別簽署了SiC長期供貨協議。理想汽車目前在國內新能源汽車領域發展勢頭良好,正在積極將SiC功率器件引入旗下車型中,需求日益增長,提前鎖定國際巨頭SiC器件產能是明智之舉。與理想汽車合作,也有利于國際廠商在國內SiC市場深度滲透。

總結

在新能源汽車、光儲充、5G通信、軌道交通等領域廣闊的應用前景為SiC產業帶來了巨大發展空間,SiC由此成為全球最熱門的投資領域之一,SiC產業有望在未來一段時間繼續保持較快增長態勢。

SiC產業持續升溫將引來更多入局者,老玩家們也將持續加碼,火熱、高潮迭起將成為常態,市場競爭也將日趨激烈。(文:集邦化合物半導體Zac)

更多SiC和GaN的市場資訊,請關注微信公眾賬號:集邦化合物半導體。