文章分類： 氮化鎵GaN

麻省理工學院推出氮化鎵與硅芯片3D集成新技術(shù)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 24 日 14:44 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，麻省理工學院（MIT）的研究團隊取得了一項重大技術(shù)突破，開發(fā)出一種創(chuàng)新的制造工藝，能夠?qū)⒏咝阅艿墸℅aN）晶體管與標準硅芯片進行三維集成。這一成果有望顯著提升高頻應(yīng)用（如視頻通話和實時深度學習）的性能表現(xiàn)，為半導體技術(shù)的發(fā)展開辟新的道路。 圖片來源：麻省理工學院新聞 ...  [詳內(nèi)文]

羅姆為英偉達800V HVDC架構(gòu)提供高性能電源解決方案

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 24 日 14:27 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
6月23日，羅姆宣布成為支持英偉達全新800V高壓直流（HVDC）架構(gòu)的主要硅供應(yīng)商之一。 羅姆介紹，公司不僅提供硅（Si）功率元器件，還擁有包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等#寬禁帶半導體?在內(nèi)的豐富產(chǎn)品陣容，可為數(shù)據(jù)中心的設(shè)計提供更優(yōu)解決方案。 羅姆的Si MOSFET...  [詳內(nèi)文]

深圳平湖實驗室GaN課題組迎新成果

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 23 日 14:29 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近期，深圳平湖實驗室的論文《肖特基型p-GaN柵HEMT中雙跨導峰與單跨導峰的演變：部分耗盡與完全耗盡p-GaN層的影響》被IEEE ISPSD確認接收，論文第一作者為劉軒博士，通訊作者為萬玉喜、David Zhou。 IEEE ISPSD涵蓋了功率半導體器件、功率集成電路、工藝...  [詳內(nèi)文]

先為科技首臺GaN MOCVD外延設(shè)備正式發(fā)貨

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 18 日 13:53 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
“先為科技”官微消息，6月16日無錫先為科技有限公司首臺 GaN MOCVD BrillMO 外延設(shè)備正式發(fā)往國內(nèi)頭部的化合物半導體企業(yè)。 圖片來源：先為科技 先為科技表示，此次發(fā)貨的 GaN MOCVD BrillMO 外延設(shè)備，各項性能均達到行業(yè)領(lǐng)先水平。該設(shè)備運用特有的溫...  [詳內(nèi)文]

GaN驅(qū)動電源革新，多款氮化鎵電源產(chǎn)品發(fā)布

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 13 日 17:00 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
在科技飛速發(fā)展的當下，氮化鎵（GaN）技術(shù)正以其卓越的性能，為電源領(lǐng)域帶來一場深刻變革。近期，MPS芯源系統(tǒng)和小米生態(tài)鏈企業(yè)酷態(tài)科，分別推出集成氮化鎵技術(shù)的新產(chǎn)品，引發(fā)行業(yè)廣泛關(guān)注。 1、MPS發(fā)布集成氮化鎵的高效電源方案 6月初，MPS芯源系統(tǒng)發(fā)布兩款新品——NovoOne開關(guān)...  [詳內(nèi)文]

又一批第三代半導體項目刷新進度：封頂、試運行、沖刺生產(chǎn)！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 12 日 15:20 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 砷化鎵
在全球科技競爭日益激烈的當下，第三代半導體憑借其卓越的性能，成為推動電子信息產(chǎn)業(yè)變革的關(guān)鍵力量。近期，第三代半導體領(lǐng)域多個項目取得重要進展，為該行業(yè)的發(fā)展注入了新的活力。 01奧通碳素半導體級等靜壓石墨項目：設(shè)備調(diào)試收官+試生產(chǎn)并行 6月9日，據(jù)“最內(nèi)江”公眾號消息，奧通碳素（內(nèi)...  [詳內(nèi)文]

華東理科大學氮化鎵晶圓檢測研究新進展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 11 日 17:11 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
近日，華東理科大學上海市智能感知與檢測技術(shù)重點實驗室智能傳感團隊在氮化鎵晶圓檢測研究中取得重要進展。 圖片來源：華東理科大學 團隊利用開發(fā)的二維有機薄膜憶阻器實現(xiàn)了有圖案晶圓的缺陷檢測和無圖案晶圓的表面粗糙度分類。 相關(guān)研究成果以“Covalent organic framew...  [詳內(nèi)文]

穩(wěn)懋半導體發(fā)布基于SiC襯底的0.12μm GaN HEMT

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 06 日 13:56 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
氮化鎵高電子遷移率晶體管（HEMT）技術(shù)正迎來重大突破。近日，純化合物半導體代工廠#穩(wěn)懋半導體（WIN Semiconductors）推出基于SiC襯底的0.12微米柵極長度D型GaN HEMT技術(shù)，預(yù)計2025年第三季度量產(chǎn)，這將顯著提升高頻射頻電路性能，加速GaN技術(shù)在5G/...  [詳內(nèi)文]

國產(chǎn)首顆機器人關(guān)節(jié)“氮化鎵驅(qū)動器芯片”正式商用

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 06 日 13:49 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
近日，中科無線半導體有限公司正式宣布，其基于氮化鎵（GaN）HEMT工藝的機器人關(guān)節(jié)ASIC驅(qū)動器芯片已成功推出并投入商用。該芯片作為中科半導體機器人動力系統(tǒng)芯片家族 “機器人關(guān)節(jié)驅(qū)動器芯片系列” 的重要一員，具備卓越性能，可有效滿足高功率密度場景需求。 圖片來源：中科半導體 ...  [詳內(nèi)文]

瑞薩電子：從SiC“斷臂”到GaN戰(zhàn)略性布局

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 05 日 15:30 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日，日本半導體大廠瑞薩電子（Renesas）傳出解散其碳化硅（SiC）團隊，并取消原定于2025年初的SiC功率半導體量產(chǎn)計劃，這一消息在半導體行業(yè)激起千層浪。 結(jié)合多方消息顯示，目前瑞薩電子正準備出售其位于群馬縣高崎工廠的全新碳化硅設(shè)備，而其群馬縣高崎工廠或改回做傳統(tǒng)的硅基市...  [詳內(nèi)文]