文章分類(lèi)： 氮化鎵GaN

東科氮化鎵電源管理芯片出貨量達(dá)1億顆！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 09 月 12 日 15:51 |
| 分類(lèi): 企業(yè) , 氮化鎵GaN
近期，東科半導(dǎo)體（安徽）股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“東科”）迎來(lái)里程碑時(shí)刻——其自主設(shè)計(jì)、封測(cè)的第1億顆氮化鎵電源管理芯片正式出貨。 資料顯示，東科總部位于安徽馬鞍山經(jīng)開(kāi)區(qū)，成立于2011年。為搶占第三代半導(dǎo)體發(fā)展先機(jī)，2016年?yáng)|科前瞻布局、啟動(dòng)研發(fā)，在業(yè)內(nèi)率先推出并量產(chǎn)了全合封氮...  [詳內(nèi)文]

直擊SEMI-e半導(dǎo)體展，8/12英寸襯底、高功率GaN方案集中亮相

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 09 月 12 日 15:39 |
| 分類(lèi): 展會(huì) , 氮化鎵GaN
2025年9月10日，備受矚目的SEMI-e深圳國(guó)際半導(dǎo)體展暨2025集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新展在深圳國(guó)際會(huì)展中心（寶安新館）盛大開(kāi)幕。 本次展會(huì)匯聚了半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈的核心代表力量，涵蓋芯片設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)、材料、設(shè)備等多個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域。 其中，化合物半導(dǎo)體作為重要展區(qū)之一，天科合達(dá)、爍科晶...  [詳內(nèi)文]

國(guó)內(nèi)首款6英寸碳化硅基氮化鎵產(chǎn)品：下半年將有望實(shí)現(xiàn)出貨

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 09 月 09 日 18:33 |
| 分類(lèi): 氮化鎵GaN
9月8日，據(jù)立昂微在投資者互動(dòng)平臺(tái)表示，立昂東芯6英寸碳化硅基氮化鎵產(chǎn)品通過(guò)客戶(hù)驗(yàn)證，下半年將有望實(shí)現(xiàn)出貨，目前多應(yīng)用在航空航天、大型通訊基站、高鐵機(jī)車(chē)、防衛(wèi)市場(chǎng)等領(lǐng)域。公司相比同行的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)是公司的自動(dòng)化產(chǎn)線(xiàn)與砷化鎵兼容，可降低成本和故障率，技術(shù)方面柔和了PED在電力電子方面的...  [詳內(nèi)文]

臺(tái)積電醞釀碳化硅散熱新突破，X-FAB氮化鎵代工再升級(jí)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 09 月 05 日 13:46 |
| 分類(lèi): 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
當(dāng)傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體逐漸觸及物理極限，第三代半導(dǎo)體日益受到重視。碳化硅、氮化鎵等產(chǎn)品不僅在新能源汽車(chē)、5G通信以及光伏領(lǐng)域扮演關(guān)鍵角色，而且正推動(dòng)產(chǎn)業(yè)從材料到設(shè)備、制造等領(lǐng)域的改革，吸引各路廠(chǎng)商積極布局。近期，臺(tái)積電、X-FAB兩家公司傳出新進(jìn)展。 臺(tái)積電：計(jì)劃將12英寸單晶碳化硅應(yīng)...  [詳內(nèi)文]

GaN巨頭換帥！曾就職于瑞薩、恩智浦、仙童

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 27 日 13:53 | | 分類(lèi): 企業(yè) , 氮化鎵GaN
8月25日，全球氮化鎵（GaN）與碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體領(lǐng)域領(lǐng)軍企業(yè)納微半導(dǎo)體宣布，董事會(huì)聘任Chris Allexandre為公司總裁兼首席執(zhí)行官，自2025年9月1日起生效，同時(shí)他將加入董事會(huì)。 圖片來(lái)源：納微半導(dǎo)體新聞稿截圖 此次任命標(biāo)志著公司管理層順利交接，聯(lián)合創(chuàng)...  [詳內(nèi)文]

華為最新披露，1200V全垂直GaN技術(shù)進(jìn)展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 25 日 13:38 |
| 分類(lèi): 企業(yè) , 氮化鎵GaN
華為公司與山東大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)近日聯(lián)合宣布，他們?cè)诟邏弘娏﹄娮悠骷I(lǐng)域取得了重大突破。雙方成功開(kāi)發(fā)出一種1200V全垂直GaN-on-Si溝槽MOSFET，其核心技術(shù)創(chuàng)新——氟注入終端（FIT-MOS）技術(shù)——顯著提升了器件的性能，使其達(dá)到了與成本高昂的GaN襯底器件相當(dāng)?shù)乃?。這...  [詳內(nèi)文]

韓國(guó)650V氮化鎵功率半導(dǎo)體，實(shí)現(xiàn)首次量產(chǎn)！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 25 日 13:38 |
| 分類(lèi): 氮化鎵GaN
近日，韓國(guó)半導(dǎo)體公司ChipScale宣布，已經(jīng)成功量產(chǎn)650V氮化鎵功率半導(dǎo)體，成為韓國(guó)首家實(shí)現(xiàn)這一技術(shù)的公司。 ChipScale是一家韓國(guó)無(wú)晶圓廠(chǎng)（Fabless）半導(dǎo)體公司，位于京畿道，專(zhuān)注于氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)與開(kāi)發(fā)。據(jù)悉該公司的核心技術(shù)人員來(lái)自于韓國(guó)電子通...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科第三代700V氮化鎵全面上市

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 20 日 14:56 |
| 分類(lèi): 企業(yè) , 氮化鎵GaN
8月18日，英諾賽科宣布其第三代(Gen3) 700V 增強(qiáng)型氮化鎵功率器件系列正式全面上市。 圖片來(lái)源：英諾賽科 相較Gen2.5，英諾賽科Gen3產(chǎn)品核心性能實(shí)現(xiàn)躍升，具體包括： 芯片面積縮減30%：通過(guò)先進(jìn)的工藝優(yōu)化與結(jié)構(gòu)創(chuàng)新，顯著提升硅片利用率，助力實(shí)現(xiàn)更高功率密度設(shè)計(jì)...  [詳內(nèi)文]

超過(guò)碳化硅！新型氮化鎵晶體管已突破800℃高溫

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 15 日 14:27 |
| 分類(lèi): 氮化鎵GaN
近日，由賓夕法尼亞州立大學(xué)電氣工程教授Rongming Chu領(lǐng)導(dǎo)的研究團(tuán)隊(duì)，設(shè)計(jì)出了一種可在800?℃下工作的氮化鎵晶體管——足以熔化食鹽的高溫。這項(xiàng)技術(shù)突破不僅挑戰(zhàn)了現(xiàn)有半導(dǎo)體材料的物理極限，更可能重塑極端環(huán)境下電子設(shè)備的設(shè)計(jì)邏輯。 傳統(tǒng)硅基晶體管因帶隙較窄（1.12eV），...  [詳內(nèi)文]

臺(tái)積電宣布退出/調(diào)整6、8英寸產(chǎn)能，SiC、GaN受關(guān)注！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 13 日 14:09 |
| 分類(lèi): 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
8月12日，全球晶圓代工龍頭臺(tái)積電（TSMC）披露，董事會(huì)已決定在未來(lái)兩年內(nèi)逐步退出6英寸晶圓制造業(yè)務(wù)，并持續(xù)整并8英寸晶圓產(chǎn)能。此舉對(duì)第三代半導(dǎo)體的碳化硅和氮化鎵產(chǎn)生了不同程度的影響。 臺(tái)積電在聲明中指出，此項(xiàng)決定不會(huì)影響公司先前公布的財(cái)務(wù)目標(biāo)，即2025年美元營(yíng)收將增長(zhǎng)約30...  [詳內(nèi)文]