文章分類： 氮化鎵GaN

意法半導體量產(chǎn)氮化鎵器件PowerGaN

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 08 月 03 日 17:10 | | 分類: 氮化鎵GaN
意法半導體最近宣布，已開始量產(chǎn)能夠簡化高效功率轉換系統(tǒng)設計的增強模式PowerGaN HEMT(高電子遷移率晶體管)器件。 STPOWER? GaN晶體管是基于氮化鎵(GaN)的高效晶體管，提高了墻插電源適配器、充電器、照明系統(tǒng)、工業(yè)電源、可再生能源發(fā)電、汽車電氣化等應用的性能。...  [詳內(nèi)文]

西安交通大學紹興市通越寬禁帶半導體研究院揭牌成立

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 08 月 01 日 17:15 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
據(jù)紹興濱海新區(qū)管委會消息，7月27日，由浙江紹興濱海新區(qū)管委會與西安交通大學合作共建的紹興市通越寬禁帶半導體研究院揭牌成立。 消息稱，西安交通大學紹興市通越寬禁帶半導體研究院依托西安交通大學，致力于解決目前我國寬禁帶半導體器件和先進封裝領域面臨的卡脖子問題，是紹芯實驗室的重要研究...  [詳內(nèi)文]

又一氧化鎵企業(yè)獲融資！

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 08 月 01 日 17:15 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，北京鎵和半導體有限公司（以下簡稱“鎵和半導體”）正式宣布完成六千五百萬元A輪融資，由凱石資本領投，海通證券、正為資本、盈添投資跟投。 鎵和半導體成立于2021年，是一家超寬禁帶半導體材料氧化鎵襯底及外延制造商，主營氧化鎵單晶襯底及外延晶片、單晶及外延生長設備、高靈敏日盲紫外...  [詳內(nèi)文]

總投資50億元，華燦光電珠海Micro LED項目正式動工

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 07 月 31 日 16:09 |
| 分類: Micro LED , 氮化鎵GaN
今日（7/31），華燦光電Micro LED晶圓制造和封裝測試基地項目開工儀式在珠海金灣區(qū)舉行，據(jù)稱，項目建成后將成為全球領先的Micro LED研發(fā)生產(chǎn)基地，有效填補珠海新型顯示產(chǎn)業(yè)空白，助力珠海搶占“終極顯示技術”發(fā)展先機，打造新型顯示產(chǎn)業(yè)集群。 Micro LED項目確立...  [詳內(nèi)文]

設備簽單近25億！愛思強上半年業(yè)績豐收

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 07 月 28 日 14:15 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
昨日（7/27），德國半導體沉積設備廠商AIXTRON愛思強公布了2023第二季度及上半年財報并調(diào)高了全年增長預期，表明對2023年設備市場需求增長和業(yè)績持續(xù)成長的信心。而且，得益于電力電子市場，尤其是電動汽車市場的蓬勃發(fā)展，SiC設備將成為愛思強2023年所有產(chǎn)品組合中最暢銷的...  [詳內(nèi)文]

臺亞半導體順利試產(chǎn)氮化鎵功率元件

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 07 月 27 日 15:58 | | 分類: 氮化鎵GaN
臺亞半導體昨（26 日）召開法說會，雖然第二季表現(xiàn)仍受總體經(jīng)濟情勢和終端消費力道影響，但從季成長率來看主要客群狀態(tài)，市場復蘇已露曙光。 臺亞總經(jīng)理衣冠君指出，在氮化鎵方面，產(chǎn)線承載過往硅功率元件的制程環(huán)境與技術經(jīng)驗，并購入專為氮化鎵生產(chǎn)的有機金屬化學氣相沉積磊晶（MOCVD）等設...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科與思銳智能簽訂ALD設備采購協(xié)議

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 07 月 26 日 17:45 | | 分類: 氮化鎵GaN
今日，思銳智能官微發(fā)布消息，英諾賽科與公司簽訂了一項新的ALD設備的采購協(xié)議，根據(jù)協(xié)議，思銳智能將為英諾賽科供應用于GaN晶圓制造前道工藝的Transform系列量產(chǎn)型ALD沉積鍍膜設備，支持其8英寸硅基GaN晶圓產(chǎn)線的擴充。 01、英諾賽科深化GaN布局 英諾賽科8英寸晶圓產(chǎn)線...  [詳內(nèi)文]

又3家化合物半導體相關企業(yè)獲融資！

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 07 月 24 日 17:45 | | 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日，芯百特、愛矽科技、時代速信三家化合物半導體相關企業(yè)獲超億元融資。 芯百特 芯百特微電子（無錫）有限公司（以下簡稱“芯百特”）宣布于近日完成新一輪近億元融資，投資方包括揚州啟正、無錫惠開、惠之成等，融資資金將用于研發(fā)投入和設備采購等。芯百特聚焦高性能射頻芯片，目前已具備CMO...  [詳內(nèi)文]

擬募212億元！今年最大IPO啟動申購

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 07 月 24 日 17:45 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
今日，華虹半導體發(fā)布《華虹半導體有限公司首次公開發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市發(fā)行公告》，表示其計劃在上海證券交易所上市，籌集至多212億元人民幣資金。 華虹半導體在向交易所提交的一份聲明中表示，將以每股52元的價格出售40775萬股。 華虹半導體稱，華虹半導體首次公開發(fā)行40775萬股...  [詳內(nèi)文]

車規(guī)級功率器件需求擴增，氮化鎵要“吃進”部分碳化硅市場？

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 07 月 21 日 17:25 |
| 分類: 氮化鎵GaN
根據(jù)韓國媒體 BusinessKorea 報導，三星電子即將進軍氮化鎵 （GaN）市場，目的是為了滿足汽車領域對功率半導體的需求。 報導引用知情人士的說法指出，三星電子近期在韓國、美國舉辦的“2023三星晶圓代工論壇”活動宣布，將在2025年起，為消費級、資料中心和汽車應用提供8...  [詳內(nèi)文]