文章分類： 氮化鎵GaN

歐洲九國聯(lián)盟，第三代半導(dǎo)體劃重點(diǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 14 日 16:32 | | 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日，德國、荷蘭、法國、比利時(shí)、芬蘭、意大利、奧地利、波蘭和西班牙九個(gè)國家正式簽署協(xié)議，組建“半導(dǎo)體聯(lián)盟”（Semicon Coalition），旨在通過協(xié)同合作提升芯片自給能力，并強(qiáng)化自身在全球半導(dǎo)體版圖的地位。 上述聯(lián)盟主攻技術(shù)主權(quán)、供應(yīng)鏈韌性與創(chuàng)新競爭力三大核心方向，將重點(diǎn)...  [詳內(nèi)文]

納微半導(dǎo)體、CGD兩家公司氮化鎵新突破

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 14 日 16:28 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，氮化鎵憑借出色的電子遷移率和更高的開關(guān)速度，在高頻應(yīng)用領(lǐng)域中展現(xiàn)出優(yōu)勢，吸引業(yè)界關(guān)注。近期，市場傳來納微半導(dǎo)體、CGD兩家公司氮化鎵新動(dòng)態(tài)，涉及電動(dòng)汽車、車載充電以及光伏逆變器等領(lǐng)域。 01 納微半導(dǎo)體全球首發(fā)雙向氮化鎵開關(guān) 3月12日，納微半導(dǎo)體發(fā)布全球首款...  [詳內(nèi)文]

兩條8英寸產(chǎn)線新進(jìn)展：涉及碳化硅、氮化鎵

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 14 日 16:23 | | 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
杰立方8英寸碳化硅產(chǎn)線之后，香港再傳出兩條第三代半導(dǎo)體產(chǎn)線進(jìn)展。 近期，明報(bào)新聞網(wǎng)報(bào)道，香港微電子研發(fā)院（MRDI）正在設(shè)立兩條8英寸第三代半導(dǎo)體中試線，分別負(fù)責(zé)碳化硅及氮化鎵研發(fā)和生產(chǎn)，預(yù)計(jì)在今年內(nèi)完成安裝及調(diào)試。 2024年5月，香港立法會(huì)批準(zhǔn)28.4億港元設(shè)立香港微電子研發(fā)...  [詳內(nèi)文]

CGD官宣突破性技術(shù)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 14 日 9:49 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，CGD宣布推出可支持100kW以上的新能源車主驅(qū)逆變器的GaN解決方案。該方案基于其專利ICeGaN? 氮化鎵（GaN）技術(shù)，目標(biāo)瞄準(zhǔn)規(guī)模超百億美元的電動(dòng)汽車市場。革命性的 Combo ICeGaN? 方案通過將智能化的ICeGaN? HEMT與傳統(tǒng)IGBT 組合并封裝于同...  [詳內(nèi)文]

納微助力長城電源打造超高功率密度模塊電源

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 13 日 17:16 |
| 分類: 氮化鎵GaN
納微半導(dǎo)體宣布其搭載GaNSense?技術(shù)的GaNFast??氮化鎵功率芯片進(jìn)入長城電源供應(yīng)鏈，成功助力其打造AI數(shù)據(jù)中心專用的超高功率密度2.5kW模塊電源。 AI的迅猛發(fā)展對數(shù)據(jù)中心提出了更高的算力要求，為了容納更多的GPUs進(jìn)行計(jì)算，400V獨(dú)立機(jī)柜的架構(gòu)將成為數(shù)據(jù)中心的全...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科納入港股通

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 12 日 16:21 |
| 分類: 氮化鎵GaN
今年3月10日，國內(nèi)氮化鎵龍頭企業(yè)英諾賽科正式納入港股通，將吸引全球資金，有望進(jìn)一步鞏固氮化鎵產(chǎn)業(yè)地位。港股通是內(nèi)地投資港股的便捷通道，連接滬深與港交所股票市場。企業(yè)納入港股通后，能吸引更多資金，提升知名度，并促進(jìn)股票流動(dòng)性。 官方資料顯示，英諾賽科是全球最大的氮化鎵芯片制造企業(yè)...  [詳內(nèi)文]

元芯半導(dǎo)體、賽微電子等公司氮化鎵新動(dòng)態(tài)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 10 日 17:12 |
| 分類: 功率 , 射頻 , 氮化鎵GaN
氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，以其高頻、高電子遷移率、強(qiáng)輻射抗性、低導(dǎo)通電阻以及無反向恢復(fù)損耗等顯著優(yōu)勢，在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出極大的應(yīng)用潛力，并吸引相關(guān)廠商持續(xù)布局。 近期，市場傳出元芯半導(dǎo)體、賽微電子等公司在氮化鎵領(lǐng)域的新動(dòng)態(tài)。 元芯推出高性能氮化鎵功率器件 近日，元芯半導(dǎo)體正...  [詳內(nèi)文]

賽微電子：氮化鎵芯片處于工藝開發(fā)階段

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 07 日 17:28 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近期，賽微電子在投資者互動(dòng)平臺(tái)透露了相關(guān)產(chǎn)線進(jìn)展情況，其表示： 深圳產(chǎn)線的相關(guān)工作正在開展中；MEMS先進(jìn)封裝測試業(yè)務(wù)目前仍處于建設(shè)階段，在試驗(yàn)線層面，截至目前已在公司MEMS基地（北京FAB3）建成并運(yùn)營，與客戶需求對接、工藝技術(shù)開發(fā)、部分產(chǎn)品試制等相關(guān)活動(dòng)已在公司現(xiàn)有條件下展...  [詳內(nèi)文]

羅姆EcoGaN產(chǎn)品被村田制作所AI服務(wù)器電源采用

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 07 日 14:56 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
近日，羅姆表示，公司650V耐壓、TOLL封裝的EcoGaN?產(chǎn)品GaN HEMT，被村田制作所Murata Power Solutions的AI服務(wù)器電源采用，預(yù)計(jì)該電源單元將于2025年開始量產(chǎn)。 source：羅姆半導(dǎo)體集團(tuán) 村田表示，利用GaN HEMT的高速開關(guān)工作、...  [詳內(nèi)文]

這款車載無人機(jī)采用氮化鎵材料

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 06 日 16:07 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近期，比亞迪、大疆共同發(fā)布了智能車載無人機(jī)系統(tǒng)——靈鳶。 靈鳶系統(tǒng)采用雙側(cè)對夾式100W快充模塊，采用氮化鎵材料將充電效率提升至94%，-30℃低溫環(huán)境下仍可30分鐘補(bǔ)電60%。 這不是大疆無人家首次采用氮化鎵技術(shù)，去年7月，大疆發(fā)布了電助力山地車 Amflow PL、Avino...  [詳內(nèi)文]