Author Archives: chen, zac

晶格領(lǐng)域建成一條液相法碳化硅襯底中試線

作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 12 日 18:00 | 分類 產(chǎn)業(yè) , 企業(yè)
12月12日,據(jù)北青網(wǎng)-北京青年報消息,北京晶格領(lǐng)域半導(dǎo)體有限公司(以下簡稱:晶格領(lǐng)域)已在順義建成一條液相法碳化硅(SiC)襯底中試線,6至8英寸小規(guī)模產(chǎn)線也已初步建成并投入使用,產(chǎn)線涵蓋碳化硅長晶、加工及檢測等完整襯底制備工藝環(huán)節(jié)。 圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫 據(jù)介紹,為滿足...  [詳內(nèi)文]

羅姆與臺積電合作開發(fā)車用氮化鎵器件

作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 11 日 18:00 | 分類 企業(yè)
12月10日,羅姆宣布與臺積電就車載氮化鎵功率器件的開發(fā)和量產(chǎn)事宜建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。通過該合作關(guān)系,雙方將致力于將羅姆的氮化鎵器件開發(fā)技術(shù)與臺積電硅基氮化鎵(GaN-on-Silicon)工藝技術(shù)結(jié)合起來,滿足市場對高耐壓和高頻特性優(yōu)異的功率元器件日益增長的需求。 圖片來源...  [詳內(nèi)文]

投資超10億,瑞福芯碳化硅模塊項目正式簽約

作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 11 日 18:00 | 分類 產(chǎn)業(yè)
12月11日,據(jù)瑞福芯科技官微消息,12月6日,瑞福芯科技總經(jīng)理周旭光與中科院先進研究院中科中孵總經(jīng)理涂樂平、深圳錦帛方激光科技有限公司總經(jīng)理助理胡澎一道到江蘇東臺市就瑞福芯科技“車規(guī)級SiC半導(dǎo)體功率模塊產(chǎn)業(yè)化項目”落地東臺高新技術(shù)開發(fā)區(qū),與東臺高新區(qū)正式簽署了《投資協(xié)議》、《...  [詳內(nèi)文]

增資10億,國家集成電路產(chǎn)投基金等入股中車時代半導(dǎo)體

作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 10 日 18:00 | 分類 企業(yè) , 功率
天眼查資料顯示,12月5日,株洲中車時代半導(dǎo)體有限公司(以下簡稱:中車時代半導(dǎo)體)發(fā)生工商變更,新增國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期股份有限公司等為股東,同時其注冊資本由45.68億元人民幣增加至56.48億元人民幣。 本次增資完成后,中車時代半導(dǎo)體仍為株洲中車時代電氣股份有限公司...  [詳內(nèi)文]

超芯星將開啟8英寸碳化硅單晶襯底量產(chǎn)

作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 10 日 18:00 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
12月9日,據(jù)“南京江北新區(qū)”消息,江蘇超芯星半導(dǎo)體有限公司(以下簡稱:超芯星)近日完成了新廠房的整體搬遷,接下來,超芯星將在南京江北新區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)化基地全面開啟8英寸碳化硅(SiC)單晶襯底的批量化生產(chǎn)。 source:南京江北新區(qū) 資料顯示,超芯星成立于2019年4月,總...  [詳內(nèi)文]

加速“上車”,兩大國際廠商合作開發(fā)氮化鎵逆變器

作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 09 日 18:00 | 分類 產(chǎn)業(yè)
目前,新能源汽車領(lǐng)域已成為碳化硅(SiC)最熱門和最大規(guī)模的應(yīng)用市場,各大碳化硅相關(guān)廠商動作頻頻。與此同時,和碳化硅同為第三代半導(dǎo)體代表材料的氮化鎵(GaN),在新能源汽車市場的應(yīng)用潛力也在日益顯現(xiàn),研發(fā)熱度不斷上漲。近日,圍繞車用氮化鎵逆變器,有國際知名廠商開啟了新一輪合作。 ...  [詳內(nèi)文]

X-fab碳化硅功率器件工廠獲5000萬美元補助

作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 09 日 18:00 | 分類 企業(yè)
12月5日,據(jù)外媒報道,美國《CHIPS法案》最后階段繼續(xù)為半導(dǎo)體工廠提供補助,其中將向比利時X-fab公司運營的位于德克薩斯州拉伯克的碳化硅功率器件工廠提供5000萬美元(約3.64億人民幣)補助。 source:X-fab 據(jù)報道,對位于拉伯克的X-fab碳化硅功率器件工廠...  [詳內(nèi)文]

江蘇新增一個碳化硅模塊封裝設(shè)備項目

作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 06 日 18:00 | 分類 產(chǎn)業(yè) , 功率
據(jù)“江蘇姜堰”官微消息,堰才招商公司近日舉行項目對接會,會上成功簽約4個項目,涵蓋了新能源、新裝備、新基建等多個產(chǎn)業(yè),計劃總投資近20億元,其中包括一個碳化硅項目。 source:江蘇姜堰 據(jù)悉,該項目由上海弗昂元科技有限公司投資建設(shè),項目總投資1.15億元,租用廠房約9200...  [詳內(nèi)文]

電壓覆蓋700V,英飛凌發(fā)布全新一代氮化鎵產(chǎn)品

作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 06 日 18:00 | 分類 企業(yè)
據(jù)“江蘇姜堰”官微消息12月5日,據(jù)英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體消息,英飛凌發(fā)布了全新一代氮化鎵產(chǎn)品CoolGaN? G3和CoolGaN? G5系列,采用英飛凌自主研發(fā)的高性能8英寸晶圓工藝制造,將氮化鎵的應(yīng)用范圍擴大到40V至700V。 source:江蘇姜堰 其中,CoolGaN? ...  [詳內(nèi)文]

天岳先進、超芯星公開碳化硅晶體相關(guān)專利

作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 05 日 18:00 | 分類 產(chǎn)業(yè)
天眼查資料顯示,近日,天岳先進、超芯星兩家廠商公開了多項碳化硅晶體相關(guān)專利。 天岳先進公開2項碳化硅晶棒制備專利 天眼查資料顯示,12月3日,天岳先進公開一項“一種曲率半徑大且分布均勻的4H碳化硅晶棒及制備方法和應(yīng)用”專利,申請公布號為CN119061481A,申請日期為2024...  [詳內(nèi)文]