Author Archives: huang, Mia

芯塔電子功率模塊大批量出貨
作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 02 日 16:54 | 分類 功率
近日，芯塔電子核心型號功率模塊產(chǎn)品成功下線，已大批量交付工業(yè)領(lǐng)域標(biāo)桿客戶。 芯塔電子表示，以湖州功率模塊封裝產(chǎn)線為依托，公司正在開發(fā)性能更出色的車規(guī)級碳化硅功率模塊。 據(jù)介紹，芯塔電子湖州功率模塊封裝產(chǎn)線總投資1億元，于2024年初正式通線，目前處于量產(chǎn)爬坡階段。產(chǎn)線全部達(dá)產(chǎn)后，...  [詳內(nèi)文]

一汽年產(chǎn)20萬臺碳化硅電驅(qū)項目落地長春
作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 02 日 14:49 | 分類 企業(yè)
6月27日，長春市生態(tài)局披露了M190-150（SiC）電驅(qū)生產(chǎn)準(zhǔn)備建設(shè)項目環(huán)評報告表。 報告表顯示，該項目負(fù)責(zé)人為中國第一汽車股份有限公司。項目位于吉林省長春市長春汽車經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)長春國際汽車城創(chuàng)意汽車研發(fā)產(chǎn)業(yè)園區(qū)內(nèi)，后續(xù)將租用廠房進(jìn)行建設(shè)，依托M220電驅(qū)生產(chǎn)線，對部分設(shè)...  [詳內(nèi)文]

成本可降低10%，日本推碳化硅襯底新技術(shù)
作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 01 日 14:20 | 分類 功率
據(jù)日經(jīng)中文網(wǎng)報道，日本中央硝子（Central Glass）開發(fā)出了用于功率半導(dǎo)體材料“碳化硅（SiC）”襯底的新制造技術(shù)。 據(jù)介紹，中央硝子開發(fā)出了利用含有硅和碳的溶液（液相法）來制造SiC襯底的技術(shù)。與使用高溫下升華的SiC使單晶生長（升華法）的傳統(tǒng)技術(shù)相比，液相法在增大襯底...  [詳內(nèi)文]

意法半導(dǎo)體2025年碳化硅將全面升級為8英寸
作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 01 日 14:17 | 分類 企業(yè)
6月28日，據(jù)韓媒報道，意法半導(dǎo)體（ST）將從明年第三季度開始將其碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝從6英寸升級為8英寸。該計劃旨在提高產(chǎn)量和生產(chǎn)率，以具有競爭力的價格向市場供應(yīng)SiC功率半導(dǎo)體。 意法半導(dǎo)體功率分立與模擬產(chǎn)品部副總裁Francesco Muggeri近日接受記者...  [詳內(nèi)文]

14.5億！安世半導(dǎo)體將新建8英寸SiC和GaN產(chǎn)線
作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 28 日 16:37 | 分類 企業(yè)
6月27日，半導(dǎo)體制造商N(yùn)experia（安世半導(dǎo)體）宣布，計劃投資2億美元（約合人民幣14.5億元）開發(fā)碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等下一代寬帶隙半導(dǎo)體（WBG），并在德國漢堡工廠建立生產(chǎn)基礎(chǔ)設(shè)施。 同時，硅（Si）二極管和晶體管的晶圓廠產(chǎn)能也將增加。這些投資是與漢堡經(jīng)濟(jì)...  [詳內(nèi)文]

VCSEL芯片廠商識光完成Pre-A+輪融資
作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 28 日 16:33 | 分類 光電
6月27日，據(jù)和高資本官微消息，蘇州識光芯科技術(shù)有限公司（以下簡稱識光）于近日完成Pre-A+輪融資，本輪投資方包括和高資本、星奇基金等，融資資金將主要用于產(chǎn)品推進(jìn)和團(tuán)隊建設(shè)。 官網(wǎng)資料顯示，識光致力于為自動駕駛、機(jī)器人、XR等終端應(yīng)用提供高性能、高可靠性和低成本的SPAD-So...  [詳內(nèi)文]

最高金額達(dá)10億，2家化合物半導(dǎo)體公司完成融資
作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 27 日 17:55 | 分類 射頻
無論是前端射頻器件還是垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL），二者都與GaN、GaAs、InP等化合物半導(dǎo)體材料有著千絲萬縷的聯(lián)系。近日，這兩個領(lǐng)域各有一起融資案，融資金額最高達(dá)10億。 射頻廠商星曜半導(dǎo)體完成10億元融資 6月27日，國產(chǎn)TF-SAW射頻濾波器企業(yè)浙江星曜半導(dǎo)體有限公...  [詳內(nèi)文]

碳化硅新應(yīng)用，熱電池轉(zhuǎn)換效率創(chuàng)新高
作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 26 日 14:33 | 分類 功率
長時間電網(wǎng)級儲能將出現(xiàn)新的解方。美國密西根大學(xué)開發(fā)的熱電池，其熱能轉(zhuǎn)換器效率達(dá)到44%，表現(xiàn)也優(yōu)于常見的蒸汽渦輪機(jī)，其平均效率為35%。 太陽能、風(fēng)力發(fā)電成本雖然快速下跌，但是只有再生能源價格下降還不夠，因為綠能為間歇性能源，日落或是沒有風(fēng)的時候，還是需要“電池“等儲能系統(tǒng)輔助，...  [詳內(nèi)文]

涉及GaN，BAE Systems宣布和格芯達(dá)成合作
作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 26 日 14:31 | 分類 功率
6月24日，BAE Systems宣布和GlobalFoundries（格芯）建立了合作伙伴關(guān)系，以加強(qiáng)美國國家安全項目的關(guān)鍵半導(dǎo)體供應(yīng)。根據(jù)該協(xié)議，兩家公司將就增加美國半導(dǎo)體創(chuàng)新和制造的長期戰(zhàn)略進(jìn)行合作，雙方共同目標(biāo)是推進(jìn)美國國內(nèi)芯片制造和封裝生態(tài)系統(tǒng)，主要針對航空航天和國防系...  [詳內(nèi)文]

搭上AI快車，第三代半導(dǎo)體要起飛了？
作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 26 日 14:29 | 分類 企業(yè)
第三代半導(dǎo)體功率器件主要以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表，具備高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)越性能。 其中，SiC功率器件應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，新能源汽車已成為其主要應(yīng)用市場之一。與硅基器件相比，SiC功率器件能更好地滿足高壓快充需求，助力新能源汽車延長續(xù)...  [詳內(nèi)文]