Author Archives: huang, Mia

130um，全球最薄碳化硅晶圓片問世
作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 12 日 17:20 | 分類 功率
江蘇通用半導體有限公司（原：河南通用智能裝備有限公司，下文簡稱“通用半導體”）7月12日披露，公司于2024年7月10日用自研設備（碳化硅晶錠激光剝離設備）成功實現(xiàn)剝離出130um厚度超薄SiC晶 8英寸SiC晶錠激光全自動剝離設備（source：通用半導體） 資料顯示，通用...  [詳內(nèi)文]

重振半導體芯片產(chǎn)業(yè)，8家日企“抱團”
作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 11 日 13:43 | 分類 企業(yè)
為重振本國半導體芯片產(chǎn)業(yè)，近年來日本推出了包括資金補貼在內(nèi)的多項措施。而根據(jù)日媒報道，日本多家企業(yè)將投資5萬億日元（約309.6億美元）發(fā)展半導體業(yè)務。 據(jù)日經(jīng)亞洲7月8日報道，因看好AI人工智能、電動車（EV）、減碳市場的前景，搶奪市場商機，索尼、三菱電機、羅姆、東芝、鎧俠、瑞...  [詳內(nèi)文]

931萬，BlusGlass出售GaN專利給歐洲晶圓開發(fā)商
作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 11 日 13:41 | 分類 企業(yè)
近日，半導體開發(fā)商BluGlass Limited宣布，通過轉(zhuǎn)讓專用晶圓上的氮化鎵(GaN)生長技術(shù)相關(guān)知識產(chǎn)權(quán)(IP)給代工客戶，公司已從一家歐洲晶圓開發(fā)商手中獲得了128萬美元（折合人民幣約931萬元）轉(zhuǎn)讓費。 圖片source：拍信網(wǎng) 基于一項有償開發(fā)合同，自2022年1...  [詳內(nèi)文]

18臺碳化硅整線濕法設備，創(chuàng)微微電子再次中標
作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 10 日 14:07 | 分類 功率
7月9日，光伏設備大廠捷佳偉創(chuàng)宣布，繼4月份半導體碳化硅整線濕法設備訂單并完成合同簽署后，近日公司子公司創(chuàng)微微電子（常州）有限公司（以下簡稱：創(chuàng)微微電子）再次斬獲另一家半導體頭部企業(yè)整線濕法設備訂單，目前已完成合同簽訂工作。 據(jù)介紹，此次簽訂的合同標的位于該客戶新產(chǎn)業(yè)園的碳化硅產(chǎn)...  [詳內(nèi)文]

上海新一代化合物半導體研制基地項目通過竣工驗收
作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 10 日 14:05 | 分類 功率
據(jù)中建八局消息，近日，公司承建的新一代化合物半導體研制基地項目已竣工，并通過了驗收。 source：中建八局 項目位于上海臨港新片區(qū)總建筑面積約5.8萬平方米，總投資11.6億元，由生產(chǎn)廠房及其配套設施等6個單體構(gòu)成，著力打造國內(nèi)領(lǐng)先、國際一流的紅外探測器研發(fā)與生產(chǎn)基地。項目主...  [詳內(nèi)文]

EPC四項涉訴專利均已進入無效審查階段，英諾賽科掌握主動權(quán)
作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 10 日 14:03 | 分類 企業(yè)
近年來，第三代半導體技術(shù)，尤其是氮化鎵（GaN）領(lǐng)域的快速發(fā)展，吸引了全球科技巨頭的關(guān)注與競爭。在這場技術(shù)革命中，中國領(lǐng)軍企業(yè)英諾賽科與美國知名企業(yè)宜普（EPC）之間的專利糾紛成為業(yè)界焦點。 對此，英諾賽科發(fā)表聲明稱，目前針對EPC的四項涉訴專利提起的IPR（Inter part...  [詳內(nèi)文]

青禾晶元獲超3億元融資，加速鍵合技術(shù)產(chǎn)品擴產(chǎn)步伐
作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 09 日 17:02 | 分類 企業(yè)
半導體異質(zhì)集成技術(shù)企業(yè)北京青禾晶元半導體科技有限責任公司（下稱“青禾晶元”或“公司”）宣布完成最新一輪融資，融資金額超3億元。投資方包括深創(chuàng)投、遠致星火、芯朋微，老股東正為資本、芯動能、天創(chuàng)資本繼續(xù)加持。 圖片來源：青禾晶元 該輪融資將被用于先進鍵合設備及鍵合襯底產(chǎn)線建設。青禾...  [詳內(nèi)文]

天岳先進、天域半導體等碳化硅大廠迎最新動態(tài)
作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 08 日 13:54 | 分類 功率
今年以來，國內(nèi)外碳化硅大廠動態(tài)交織，深刻體現(xiàn)行業(yè)從6英寸過渡到8英寸的加速步伐。 據(jù)外媒消息，意法半導體（ST）近日表示，將從明年第三季度開始將其碳化硅（SiC）功率半導體生產(chǎn)工藝從6英寸升級為8英寸。 中國某頭部大廠生產(chǎn)負責人在近日接受全球半導體觀察時表示，預計從2026年至2...  [詳內(nèi)文]

搶奪賽位，第三代半導體戰(zhàn)局激烈
作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 04 日 15:38 | 分類 功率
目前，第三代半導體是全球戰(zhàn)略競爭新的制高點，也是各地區(qū)的重點扶持行業(yè)，意法半導體、英飛凌、安世半導體、三安光電等頭部廠商順勢而上，加速布局第三代半導體，市場戰(zhàn)火已燃，一場群雄逐鹿之戰(zhàn)正在上演。 多方來戰(zhàn)，“直搗”三代半核心環(huán)節(jié) 第三代半導體欣欣向榮，八方入局，搶奪市場重要賽位，擁...  [詳內(nèi)文]

晶圓代工大廠出手，GaN新添2起收購
作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 02 日 16:56 | 分類 企業(yè)
步入7月，氮化鎵（GaN）領(lǐng)域新增兩起收購案。 格芯收購Tagore GaN技術(shù)和相關(guān)團隊 7月1日，晶圓代工大廠格芯（GF）宣布，公司收購了Tagore Technology經(jīng)生產(chǎn)驗證的專有功率氮化鎵（GaN）IP產(chǎn)品組合。 source：拍信網(wǎng) 該產(chǎn)品組合是一種高功率密度解...  [詳內(nèi)文]