文章分類： 碳化硅SiC

SiC相關(guān)企業(yè)燕東微上市，市值超270億元

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 16 日 17:13 |
| 分類: 碳化硅SiC
12月16日，燕東微在上海證券交易所科創(chuàng)板上市，發(fā)行價格21.98元/股，發(fā)行市盈率為68.39倍。 截至成文，燕東微上漲3.64%，報22.78元/股，總市值272.9億元。 圖片來源：同花順 燕東微是一家集芯片設(shè)計、晶圓制造和封裝測試于一體的半導(dǎo)體企業(yè)，主營業(yè)務(wù)包括產(chǎn)品與方...  [詳內(nèi)文]

近16億，功率器件龍頭加購SiC材料

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 16 日 17:10 |
| 分類: 碳化硅SiC
12月15日，Wolfspeed宣布擴大與一家功率器件廠商的SiC襯底多年長期供貨協(xié)議，在原本已簽訂協(xié)議的基礎(chǔ)上，合同金額增加至2.25億美金（約合人民幣15.68億元），按照新簽的協(xié)議，Wolfspeed將向這家功率器件廠供應(yīng)6英寸SiC襯底及外延片。 SiC有利于實現(xiàn)小型化...  [詳內(nèi)文]

吉光半導(dǎo)體激光技術(shù)創(chuàng)新中心產(chǎn)線建設(shè)項目竣工

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 15 日 11:16 |
| 分類: 碳化硅SiC
據(jù)報道，近日，吉光半導(dǎo)體激光技術(shù)創(chuàng)新中心產(chǎn)線建設(shè)項目如期竣工，潔凈實驗室廠房及動力配套系統(tǒng)投入使用，第一款產(chǎn)品實現(xiàn)量產(chǎn)出貨。 “我們擁有國際先進的半導(dǎo)體激光芯片量產(chǎn)線及研發(fā)線，大部分工藝環(huán)節(jié)實現(xiàn)自動化，具備多款高速、高功率半導(dǎo)體激光芯片的產(chǎn)品化能力，可提供芯片流片及中試驗證等創(chuàng)新...  [詳內(nèi)文]

8英寸碳化硅量產(chǎn)，加速中國臺灣第三代化合物半導(dǎo)體發(fā)展

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 15 日 11:11 |
| 分類: 碳化硅SiC
據(jù)中國臺灣資策會產(chǎn)業(yè)情報研究所(MIC)于昨日舉行《2023年臺灣資通訊產(chǎn)業(yè)前景》記者會，會中公布2023產(chǎn)業(yè)十大前景趨勢，隨著凈零轉(zhuǎn)型、永續(xù)ESG重視性提升，資策會預(yù)測隨著國際大廠于8吋碳化硅量產(chǎn)，將加速中國臺灣第三代化合物半導(dǎo)體發(fā)展。 資策會MIC表示，國際大廠Wolfspe...  [詳內(nèi)文]

青銅劍第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地順利封頂

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 15 日 11:02 |
| 分類: 碳化硅SiC
昨日，深圳青銅劍科技股份有限公司（以下簡稱“深圳青銅劍”）科技大廈順利封頂。 青銅劍第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地是深圳市年度重大項目，位于坪山區(qū)丹梓大道與光科三路交匯處西南角，占地逾8000平方米，總建筑面積近50000平方米。 該基地于2021年1月正式開工，將作為青銅劍科技集團總部，...  [詳內(nèi)文]

SiC MOSFET新動態(tài)：意法半導(dǎo)體上車起亞，羅姆用于日立

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 14 日 17:30 |
| 分類: 碳化硅SiC
新能源電動汽車是碳化硅應(yīng)用最火熱的賽道，碳化硅應(yīng)用在新能源汽車系統(tǒng)中，擁有顯著提高電動汽車的行駛里程，節(jié)約動力電子設(shè)備冷卻成本、減輕電動汽車自身的重量等諸多優(yōu)勢。 而在汽車電動化趨勢下，碳化硅功率器件市場需求龐大。 目前SiC功率元件市場主要由歐美日IDM大廠掌控，關(guān)鍵供貨商ST...  [詳內(nèi)文]

意法半導(dǎo)體CEO Jean-Marc Chery近三年來首次訪華

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 14 日 17:29 |
| 分類: 碳化硅SiC
據(jù)意法半導(dǎo)體官方消息，司總裁兼首席執(zhí)行官Jean-Marc Chery和全球市場營銷總裁Jerome Roux于2022年11月重啟了對中國的客戶的拜訪。 在此次的中國之行中，Jean-Marc Chery、Jerome Roux、意法半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁、中國區(qū)總裁曹志平等ST高管...  [詳內(nèi)文]

中國科大在氧化鎵半導(dǎo)體器件領(lǐng)域取得新突破

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 13 日 17:17 |
| 分類: 碳化硅SiC
近日，中國科大國家示范性微電子學(xué)院龍世兵教授課題組兩篇關(guān)于氧化鎵器件的研究論文（高功率氧化鎵肖特基二極管和氧化鎵光電探測器）成功被IEDM大會接收，這也是中國科大首次以第一作者單位在IEEE IEDM上發(fā)表論文。 高功率氧化鎵肖特基二極管 如何開發(fā)出有效的邊緣終端結(jié)構(gòu)，緩解肖特基...  [詳內(nèi)文]

東風(fēng)汽車碳化硅功率模塊將于明年實現(xiàn)量產(chǎn)裝車

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 13 日 17:15 |
| 分類: 碳化硅SiC
昨日，東風(fēng)汽車宣布智新半導(dǎo)體碳化硅功率模塊項目將于2023年實現(xiàn)量產(chǎn)裝車。 同時，東風(fēng)汽車與中國信科共建的汽車芯片聯(lián)合實驗室，正在推進車規(guī)級MCU芯片在漢落地，預(yù)計2024年實現(xiàn)量產(chǎn)；與中芯國際合作，已完成設(shè)計首款MCU芯片。 據(jù)悉，智新半導(dǎo)體成立于2019年6月，由東風(fēng)公司與中...  [詳內(nèi)文]

Soitec新加坡晶圓廠擴建項目開工，年產(chǎn)200萬片SOI晶圓

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 13 日 17:12 |
| 分類: 碳化硅SiC
近日，法國Soitec宣布，在新加坡巴西立晶圓工業(yè)園區(qū)的晶圓廠擴建項目正式破土動工。 據(jù)悉，工廠擴建將致力于生產(chǎn)300mm SOI晶圓，這些晶圓用于生產(chǎn)智能手機芯片，尤其是5G通信，以及汽車和智能設(shè)備。擴建工程于2024年完工后，將使Soitec新加坡工廠的年產(chǎn)能翻一番，達到約2...  [詳內(nèi)文]