文章分類： 碳化硅SiC

預(yù)計2025年量產(chǎn)，東芝電子加碼SiC市場

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 02 月 24 日 17:38 |
| 分類: 碳化硅SiC
據(jù)日媒報道，東芝半導(dǎo)體子公司東芝電子元件及存儲裝置（以下簡稱“東芝電子”）總裁佐藤裕之表示，公司的主要產(chǎn)品是用于控制汽車和家電功率的功率半導(dǎo)體，目前正在擴大產(chǎn)能。 佐藤裕之表示，車用功率半導(dǎo)體的性能非常好，公司認(rèn)為需要擴產(chǎn)。目前生產(chǎn)場地不夠用，要建新廠房。據(jù)悉，東芝電子計劃在姬路...  [詳內(nèi)文]

華潤集團(tuán)第三代半導(dǎo)體項目簽約落地?zé)o錫

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 02 月 24 日 16:23 | | 分類: 產(chǎn)業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
據(jù)無錫日報報道，2月20日-22日，無錫市委書記杜小剛率無錫代表團(tuán)，拜訪華潤集團(tuán)、光大控股、隆源控股、德昌電機、瑞東集團(tuán)等香港知名企業(yè)，考察香港貿(mào)易發(fā)展局、香港科學(xué)園等機構(gòu)，推進(jìn)錫港兩地在產(chǎn)業(yè)、科創(chuàng)、金融、教育、文旅等領(lǐng)域的對接合作。 本次活動還舉辦簽約儀式。其中，華潤集團(tuán)第三代...  [詳內(nèi)文]

SiC項目在列，2023年廈門市重點項目公布

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 02 月 23 日 17:26 |
| 分類: 碳化硅SiC
近日，廈門市人民政府公布2023年市重點項目名單。2023年廈門市重點項目461個，總投資11939.37億元，年度計劃投資1406.34億元。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 產(chǎn)業(yè)項目161個，年度計劃投資466.51億元；社會事業(yè)項目155個，年度計劃投資214.13億元；基礎(chǔ)設(shè)...  [詳內(nèi)文]

瞻芯電子：國產(chǎn)驅(qū)動芯片IVCR1801A和1407A量產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 02 月 23 日 17:23 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近期，瞻芯電子自主開發(fā)的2款通用柵極驅(qū)動芯片IVCR1801A、IVCR1407A啟動了全國產(chǎn)供應(yīng)鏈量產(chǎn)。 據(jù)了解，IVCR1801A和IVCR1407A均為單通道、高速、低側(cè)的柵極驅(qū)動芯片（Gate-driver），已獲工規(guī)級可靠性認(rèn)證（JEDEC)，且能兼容替代國際廠牌的成熟...  [詳內(nèi)文]

6.98億，國產(chǎn)射頻芯片龍頭國博電子擬開展二期項目

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 02 月 23 日 17:22 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
昨（22）日，國產(chǎn)射頻芯片龍頭國博電子宣布，根據(jù)射頻集成電路產(chǎn)業(yè)化項目整體規(guī)劃，擬使用自有或自籌資金購買位于南京市江寧區(qū)金鑫西路以東、鳳礦路以西地塊的土地使用權(quán)（最終購買金額和面積以實際出讓文件為準(zhǔn)），并開展射頻集成電路產(chǎn)業(yè)化項目二期建設(shè)。 項目與公司已建設(shè)的項目一期地塊為相鄰區(qū)...  [詳內(nèi)文]

臺灣地區(qū)化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎來逆風(fēng)，各大廠信心不減

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 02 月 23 日 17:21 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
受益于新能源革命，電動汽車、光伏儲能以及工業(yè)自動化等下游應(yīng)用的多點爆發(fā)，以碳化硅、氮化鎵為首的化合物半導(dǎo)體進(jìn)入了高速增長的階段，成為了行業(yè)“熱詞”，逐漸從小眾走向主流。 近年來，臺灣地區(qū)也在不斷加速化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。 01、2022年總產(chǎn)值791億元，年減4.5% 日前，據(jù)...  [詳內(nèi)文]

年產(chǎn)120臺化合物半導(dǎo)體MOCVD設(shè)備，中晟光電半導(dǎo)體設(shè)備項目封頂

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 02 月 22 日 17:22 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
2月18日，中晟光電設(shè)備（上海）股份有限公司位于臨港的研發(fā)和生產(chǎn)基地建設(shè)項目主體結(jié)構(gòu)順利封頂。 據(jù)了解，項目建筑面積21,180.73平方米，包含千級潔凈室1,700平方、萬級潔凈室4,000平方、十萬級潔凈室2,000平方，涵蓋了辦公、研發(fā)、生產(chǎn)、會議、培訓(xùn)等眾多區(qū)域。 項目建...  [詳內(nèi)文]

SiC相關(guān)企業(yè)譜析光晶完成數(shù)千萬元A輪融資

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 02 月 22 日 17:21 |
| 分類: 碳化硅SiC
今年1月，譜析光晶宣布完成數(shù)千萬元A輪融資，由北京亦莊創(chuàng)投領(lǐng)投，上海脈尊、杭州長江創(chuàng)投等跟投。 譜析光晶成立于2020年，是一家第三代半導(dǎo)體碳化硅芯片和系統(tǒng)提供商，致力于碳化硅芯片和碳化硅高溫半導(dǎo)體系統(tǒng)設(shè)計制造以及應(yīng)用的公司，其產(chǎn)品應(yīng)用涵蓋電動汽車、能源勘探、光伏儲能、航天軍工等...  [詳內(nèi)文]

蓋澤半導(dǎo)體SiC外延膜厚測量設(shè)備順利交付

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 02 月 22 日 8:57 |
| 分類: 碳化硅SiC
日前，華矽蓋澤半導(dǎo)體科技（上海）有限公司（以下簡稱：蓋澤半導(dǎo)體）宣布，其自主研發(fā)生產(chǎn)的SiC外延膜厚測量設(shè)備GS-M06Y已正式交付客戶。 GS-M06Y將應(yīng)用于半導(dǎo)體前道量測，主要針對硅外延/碳化硅外延層厚度進(jìn)行測量。GS-M06Y設(shè)備采用了蓋澤半導(dǎo)體自主研發(fā)的高精算法、Loa...  [詳內(nèi)文]

涉及化合物半導(dǎo)體，安徽省2023年首批重點項目公布

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 02 月 22 日 8:56 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
2月20日，安徽省人民政府公布安徽省2023年重點項目清單（第一批）。項目清單分為A類項目和B類項目，合計近一萬項項目。 A類中，續(xù)建項目包括“臻芯年產(chǎn)1000萬（套）LED封裝項目”、“青鳥消防應(yīng)急照明生產(chǎn)基地項目”、“年產(chǎn)兩億顆LED照明芯片封測項目”、“芯視佳硅基OLED...  [詳內(nèi)文]