10億元，揚(yáng)杰科技SiC車規(guī)級(jí)功率模塊封裝項(xiàng)目開工！

5月9日，揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“揚(yáng)杰科技”）宣布其SiC車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體模塊封裝項(xiàng)目正式開工。

source：揚(yáng)杰科技

該項(xiàng)目總投資10億元人民幣，聚焦車規(guī)級(jí)框架式、塑封式IGBT模塊及SiC MOSFET模塊等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品的研發(fā)與生產(chǎn)，旨在通過技術(shù)突破實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代，推動(dòng)國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自主可控發(fā)展。

據(jù)了解，#揚(yáng)杰科技?該項(xiàng)目占地62畝，總建筑面積超過11.2萬平方米，將建設(shè)現(xiàn)代化封裝生產(chǎn)線及配套設(shè)施。項(xiàng)目全面達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計(jì)形成年產(chǎn)7500萬只高端功率模塊的產(chǎn)能，年銷售額可達(dá)10億元。技術(shù)層面，揚(yáng)杰科技明確對(duì)標(biāo)國際標(biāo)桿企業(yè)，目標(biāo)將產(chǎn)品技術(shù)指標(biāo)提升至接近國際領(lǐng)先水平，重點(diǎn)突破車規(guī)級(jí)SiC MOSFET模塊的可靠性、耐高溫及高效率等關(guān)鍵性能。

揚(yáng)杰科技成立于2000年，是國內(nèi)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域頭部企業(yè)，公司主營業(yè)務(wù)覆蓋功率半導(dǎo)體硅片、芯片及器件的全產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)，包括設(shè)計(jì)、制造、封裝測(cè)試及終端銷售。其產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏、儲(chǔ)能、工業(yè)電源等領(lǐng)域，尤其在SiC碳化硅領(lǐng)域形成技術(shù)積累，已推出650V至1200V全系列SiC SBD二極管及MOSFET產(chǎn)品。

此前三月底，揚(yáng)杰科技披露了其2024年度財(cái)務(wù)報(bào)告。報(bào)告顯示，該公司2024年實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入60.33億元，同比增長11.53%；歸屬于上市公司股東的凈利潤10.02億元，同比增長8.50%。在2024年度，揚(yáng)杰科技收入、毛利率、凈利潤大體呈現(xiàn)逐季改善走高的趨勢(shì)。

source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖

財(cái)報(bào)中提到，揚(yáng)杰科技持續(xù)增加對(duì)第三代半導(dǎo)體芯片行業(yè)的投入，加大在以SiC為代表的第三代半導(dǎo)體功率器件等產(chǎn)品的研發(fā)力度。其投資的SiC芯片工廠在報(bào)告期內(nèi)完成廠房裝修、設(shè)備搬入和產(chǎn)品通線，采用IDM技術(shù)實(shí)現(xiàn)了多款SiC產(chǎn)品升級(jí)。公司在碳化硅尤其是SiC MOS市場(chǎng)份額持續(xù)增加，當(dāng)前各類產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于AI服務(wù)器電源、新能源汽車、光伏、充電樁、儲(chǔ)能、工業(yè)電源等領(lǐng)域。

此外，揚(yáng)杰科技已在揚(yáng)州市邗江區(qū)布局6英寸碳化硅晶圓生產(chǎn)線，總投資10億元，分兩期建設(shè)，全部投產(chǎn)后可形成5000片/月產(chǎn)能。同時(shí)，公司計(jì)劃拓展8英寸SiC芯片生產(chǎn)線，并聯(lián)合湖南楚微等企業(yè)推進(jìn)6英寸SiC芯片量產(chǎn)，進(jìn)一步強(qiáng)化第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的綜合實(shí)力。

作為揚(yáng)州“613”產(chǎn)業(yè)體系中新一代信息技術(shù)集群的鏈主企業(yè)，揚(yáng)杰科技此項(xiàng)目被視為揚(yáng)州搶占新能源汽車核心零部件賽道的關(guān)鍵舉措。當(dāng)?shù)卣硎緦⑷χС猪?xiàng)目建設(shè)，通過專項(xiàng)政策、資金扶持及高效審批流程保障工程進(jìn)度，助力區(qū)域半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈升級(jí)。（集邦化合物半導(dǎo)體 妮蔻 整理）