受益于新能源汽車等應用推動，近年我國碳化硅市場需求持續(xù)上升，國內廠商碳化硅技術突破捷報頻傳。近期，又有兩家公司傳出新進展：晶馳機電成功開發(fā)出電阻法12寸碳化硅晶體生長設備，實現(xiàn)碳化硅晶體生長技術新突破；臻晶半導體自主研發(fā)液相法碳化硅電阻爐技術，突破行業(yè)瓶頸。
1、晶馳機電成功開發(fā)出電阻法12寸碳化硅晶體生長設備
3月24日晶馳機電官微消息，今年3月晶馳機電自主研發(fā)的“電阻法碳化硅單晶生長設備”通過創(chuàng)新熱場方案完成十二寸多晶生長驗證，為第三代半導體材料低成本擴徑量產提供了全新解決方案。
晶馳機電描述，晶錠形態(tài)完美，表面微凸度精準控制在2.4mm以內，成功突破同一爐臺多尺寸生長技術壁壘，實現(xiàn)了同一臺設備既可穩(wěn)定量產八寸碳化硅單晶，又完全具備生長十二寸碳化硅單晶的能力。
source：晶馳機電
晶馳機電是浙江大學杭州科創(chuàng)中心的孵化企業(yè)，產品主要覆蓋第三代、第四代半導體材料裝備碳化硅晶體生長設備（PVT法）、金剛石生長設備（MPCVD法）、氧化鎵單晶生長爐、碳化硅源粉合成爐等。
除了國內市場之外，今年晶馳機電海外訂單也取得了喜人進展。今年1月，該公司自主研發(fā)、設計并生產的“全自動碳化硅腐蝕清洗設備”成功交付海外標桿客戶。
設備采用雙工位設計，集SiC晶片熱強堿腐蝕、快速清洗，再次超聲清洗和晶片烘干為一體。全封閉式工作臺和強排風系統(tǒng)充分避免了操作人員與腐蝕性強堿溶劑的接觸，也有效防止了腐蝕性堿蒸汽對操作人員的身體傷害。整個工藝流程全部自動化控制，操作人員只需完成取放片操作，腐蝕效率高，適合產業(yè)化應用。
該設備的交付，不僅標志著該公司向海外市場邁出重要一步，也為晶馳機電后續(xù)碳化硅材料制備相關系列裝備的海外銷售提供了強有力的支持。
2、臻晶半導體自主研發(fā)液相法碳化硅電阻爐技術
近期，臻晶半導體推出自主研發(fā)的液相法碳化硅電阻爐技術，為碳化硅晶體生長提供了全新的解決方案。
該單晶爐具有6 – 8英寸大直徑設計，能夠滿足不同尺寸晶體生長的需求。同時，它還具備多點溫度實時精確監(jiān)控功能，從而實現(xiàn)對溫場空間的實時穩(wěn)定調控。臻晶半導體的多元活性助溶技術，通過使用優(yōu)化助熔劑配方，增加了高溫區(qū)碳源的供應，從而提高了溶碳量。這一技術的應用，不僅提升了晶體生長的速率，還有效提高了晶體的良率。
臻晶半導體介紹，液相法SiC長時間穩(wěn)定長晶工藝，是其產品差異化的核心競爭力之一。該工藝通過精確控制生長參數(shù)，實現(xiàn)了碳化硅晶體的可控生長。這種可控性不僅體現(xiàn)在晶體生長的速度和質量上，還體現(xiàn)在晶體的尺寸和形狀上。通過這一工藝，常州臻晶半導體能夠生產出高品質、大尺寸、形狀規(guī)則的碳化硅晶體，滿足了市場對于高性能碳化硅材料的需求。
展望未來，臻晶半導體指出，從技術角度來看，液相法生長碳化硅具有諸多優(yōu)勢，如較低的生長溫度、容易實現(xiàn)擴徑、長晶厚度不受限制、晶體缺陷密度低等。這些優(yōu)勢使得液相法碳化硅電阻爐在滿足高質量要求、降低能耗和成本等方面具有巨大的潛力。
從市場角度來看，隨著新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、AR應用和光儲充等新興產業(yè)的快速發(fā)展，對高性能碳化硅材料的需求不斷增加。液相法碳化硅電阻爐能夠生長出高質量的碳化硅單晶，滿足這些新興產業(yè)對材料的嚴格要求，因此在市場中具有廣闊的應用空間。（集邦化合物半導體 奉穎嫻 整理）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。