文章分類： 氮化鎵GaN

應用材料將建下一代半導體設備研發(fā)中心

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 23 日 17:20 |
| 分類: 氮化鎵GaN
日前，應用材料宣布，計劃在美國的創(chuàng)新基礎設施上投資數(shù)十億美元，并從現(xiàn)在到2030年擴大其全球制造能力。 該公司計劃在加州森尼維爾建立下一代基礎半導體技術和工藝設備研發(fā)中心，其規(guī)模將取決于政府的支持。這項投資計劃于2023年初在硅谷啟動。 此外，該公司還在對其全球各地的基礎設施進行...  [詳內(nèi)文]

55所牽頭承擔的“寬帶射頻功率放大器”項目成功獲批

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 19 日 17:24 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，國家科技部公布了2022年國家重點研發(fā)計劃立項資助名單。55所牽頭承擔的“寬帶射頻功率放大器”項目成功獲批。 “寬帶射頻功率放大器”項目基于第三代半導體GaN開展超寬帶射頻功率管的設計與制造研究，計劃研究一套寬頻帶射頻功率放大器，實現(xiàn)寬帶射頻功放在超高場磁共振的工程應用，為...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科出貨量破億

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 16 日 16:41 |
| 分類: 氮化鎵GaN
據(jù)外媒報道，英諾賽科透露，8英寸硅基GaN HEMT器件的出貨量已突破1億。 據(jù)化合物半導體市場了解，英諾賽科的8英寸晶圓產(chǎn)線自2019年開始大規(guī)模生產(chǎn)，并于2021年成為全球首家實現(xiàn)8英寸硅基GaN量產(chǎn)的企業(yè)，產(chǎn)能足以支撐全球市場對GaN FETs的強勁需求。2022年，英諾賽...  [詳內(nèi)文]

銘鎵半導體在4英寸氧化鎵晶圓襯底技術領域獲突破

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 08 日 17:09 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近期，北京銘鎵半導體有限公司（以下簡稱：銘鎵半導體）使用導模法成功制備了高質(zhì)量4英寸（001）主面氧化鎵（β-Ga2O3）單晶，完成了4英寸氧化鎵晶圓襯底技術突破，并且進行了多次重復性實驗，成為國內(nèi)首個掌握第四代半導體氧化鎵材料4英寸（001）相單晶襯底生長技術的產(chǎn)業(yè)化公司。 銘...  [詳內(nèi)文]

國產(chǎn)氮化鎵外延龍頭晶湛半導體再獲數(shù)億元融資

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 08 日 17:05 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，第三代半導體氮化鎵外延領軍企業(yè)晶湛半導體宣布完成數(shù)億元C輪融資，這是繼今年3月完成B+輪數(shù)億元戰(zhàn)略融資以來的又一輪融資。 本輪增資由蔚來資本、美團龍珠領投，華興資本旗下華興新經(jīng)濟基金、欣柯資本等跟投，老股東歌爾微電子、三七互娛等繼續(xù)加碼。 晶湛半導體創(chuàng)始人、總裁程凱博士表示...  [詳內(nèi)文]

EPC公司攜手世界先進，發(fā)力8英寸GaN功率半導體

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 07 日 17:20 |
| 分類: 氮化鎵GaN
12月6日，GaN功率FETs及功率IC提供商EPC公司宣布與特殊芯片代工廠世界先進（VIS）簽訂了一項GaN功率半導體多年生產(chǎn)協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，EPC公司將從2023年初開始使用世界先進的8英寸晶圓制造平臺，生產(chǎn)高性能GaN晶體管和GaN功率IC。 據(jù)介紹，EPC的GaN器件...  [詳內(nèi)文]

搶攻GaN功率器件市場，GaN Systems成立深圳辦事處

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 06 日 17:23 |
| 分類: 氮化鎵GaN
今日，GaN Systems 氮化鎵系統(tǒng)公司宣布成立深圳辦事處，與中國臺灣辦事處共享設計研發(fā)資源，為亞太地區(qū)客戶提供最及時且符合市場需求的GaN氮化鎵解決方案，包括65W/100W/140W/250W的手機及筆電充電器參考設計，高功率數(shù)據(jù)中心及車用PFC、DC/DC轉(zhuǎn)換器及逆變器...  [詳內(nèi)文]

中鎵半導體聯(lián)合北京大學在GaN襯底研發(fā)領域獲突破

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 06 日 14:51 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，中鎵半導體與北京大學、波蘭國家高壓實驗室開展了合作，使用乙烯氣源制備出了世界最高電阻率的半絕緣GaN自支撐襯底。 實驗使用乙烯氣源制備了半絕緣GaN襯底，并對制備得到的GaN材料進行了表征，證明了乙烯氣源的摻雜效率比傳統(tǒng)甲烷氣源高40倍。在相同測試溫度下比較了現(xiàn)有報道的半絕...  [詳內(nèi)文]

長光華芯聯(lián)合中科院蘇州納米所共建“氮化鎵激光器聯(lián)合實驗室”

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 06 日 14:49 |
| 分類: 氮化鎵GaN
11月29日，蘇州半導體激光創(chuàng)新研究院與中科院蘇州納米所“氮化鎵激光器聯(lián)合實驗室”在蘇州長光華芯正式揭牌成立。 氮化鎵是第三代半導體中具有代表性的材料體系，氮化鎵藍綠光激光器未來在激光顯示、有色金屬加工等諸多領域都有巨大的應用優(yōu)勢以及不可替代的作用。基于氮化鎵的藍綠光激光器是第三...  [詳內(nèi)文]

國際GaN器件廠Transphorm在深圳設立辦事處

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 06 日 14:45 |
| 分類: 氮化鎵GaN
納微半導體之后，美國GaN FETs高壓電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品供應商Transphorm也在深圳設立了辦事處，全球GaN器件廠商在中國市場的角逐日趨激烈。 昨（1）日，Transphorm宣布，已在中國深圳開設辦事處/GaN應用實驗室，深圳辦事處的團隊將負責提升本土客戶支持、銷售及市場營銷...  [詳內(nèi)文]