文章分類： 氮化鎵GaN

GaN，迎來新突破

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 02 月 09 日 17:16 |
| 分類: 氮化鎵GaN
如今，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等“WBG（Wide Band Gap，寬禁帶，以下簡(jiǎn)稱為：WBG）”新型材料為基礎(chǔ)的功率半導(dǎo)體的研發(fā)技術(shù)頗受關(guān)注。基于日本環(huán)境省的“為進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)碳中和，加速推進(jìn)應(yīng)用和普及材料（氮化鎵）、CNF（碳納米纖維）”的方針，日本大阪大學(xué)森勇介教...  [詳內(nèi)文]

氮化鎵企業(yè)晶通半導(dǎo)體一年獲兩輪融資

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 02 月 09 日 17:10 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，氮化鎵功率器件和功率器件驅(qū)動(dòng)芯片廠商晶通半導(dǎo)體（深圳）有限公司（以下簡(jiǎn)稱“晶通半導(dǎo)體”）宣布完成數(shù)千萬元人民幣天使+輪融資，投資方為半導(dǎo)體專業(yè)投資機(jī)構(gòu)富華資本（GRC）。據(jù)悉，本輪融資將用于產(chǎn)品研發(fā)、市場(chǎng)團(tuán)隊(duì)的擴(kuò)張以及部分核心產(chǎn)品出貨。 僅一年內(nèi)，晶通半導(dǎo)體就獲得了兩輪融資...  [詳內(nèi)文]

涉及顯示、三代半等，兩部門公布2022年度重點(diǎn)產(chǎn)品方向

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 02 月 01 日 17:14 |
| 分類: 氮化鎵GaN
1月30日消息，工業(yè)和信息化部、國務(wù)院國資委近日印發(fā)通知，公布2022年度重點(diǎn)產(chǎn)品、工藝“一條龍”應(yīng)用示范方向和推進(jìn)機(jī)構(gòu)名單，涉及顯示、第三代半導(dǎo)體等相關(guān)領(lǐng)域。 其中，顯示器件曝光機(jī)重點(diǎn)方向，參與單位包括上海微電子裝備（集團(tuán)）股份有限公司、京東方科技集團(tuán)股份有限公司、TCL華星...  [詳內(nèi)文]

百思特達(dá)氮化鎵項(xiàng)目進(jìn)入產(chǎn)品試生產(chǎn)階段

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 01 月 30 日 9:57 |
| 分類: 氮化鎵GaN
日前，遼寧百思特達(dá)半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“百思特達(dá)”）氮化鎵半導(dǎo)體芯片項(xiàng)目已進(jìn)入產(chǎn)品試生產(chǎn)階段。 據(jù)此前披露消息，項(xiàng)目于2019年11月開工建設(shè)，總投資3億元，占地面積125畝，總建筑面積5萬余平方米。其中包括2棟氮化鎵外延片及芯片生產(chǎn)車間、1棟芯片封裝及應(yīng)用產(chǎn)品生產(chǎn)制造車...  [詳內(nèi)文]

多重應(yīng)用齊發(fā)，氮化鎵功率半導(dǎo)體迎向成長轉(zhuǎn)折點(diǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 01 月 28 日 10:43 |
| 分類: 氮化鎵GaN
氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者GaN Systems從地緣政治下全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈動(dòng)態(tài)、能源轉(zhuǎn)換效率革新等面向，展望2023年全球功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展態(tài)勢(shì)。電汽化 (Electrification) 、數(shù)字化 (Digitalization)及凈零永續(xù) (Sustainability) 三大...  [詳內(nèi)文]

2022年度中國半導(dǎo)體十大研究進(jìn)展

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 01 月 20 日 11:14 |
| 分類: 氮化鎵GaN
1.拓?fù)淝幻姘l(fā)射激光器 中科院物理研究所陸凌團(tuán)隊(duì)將原創(chuàng)的拓?fù)涔馇粦?yīng)用于半導(dǎo)體激光芯片，研制出拓?fù)淝幻姘l(fā)射激光器[topological-cavity surface-emitting laser (TCSEL)]，得到了遠(yuǎn)超主流商用產(chǎn)品的單模功率和光束質(zhì)量。TCSEL的發(fā)明有望...  [詳內(nèi)文]

氧化鎵：10年后將直接與碳化硅競(jìng)爭(zhēng)

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 01 月 19 日 14:09 |
| 分類: 氮化鎵GaN
以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料，憑借耐高溫、抗高壓、開關(guān)速度快、效率高、節(jié)能、壽命長等特點(diǎn)，近年來被國內(nèi)外相關(guān)企業(yè)持續(xù)關(guān)注和布局，相信這股熱潮將會(huì)一路延續(xù)到2023年。 然而，在寬禁帶半導(dǎo)體材料發(fā)展勢(shì)如破竹的同時(shí)，學(xué)術(shù)界和科研界不約而同地展望下一代半...  [詳內(nèi)文]

美國國家儀器NI考慮出售

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 01 月 17 日 17:06 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
據(jù)外媒報(bào)道，美國國家儀器有限公司NI（National Instruments Corp.）正在考慮出售。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 根據(jù)1月13日的聲明顯示，NI已經(jīng)請(qǐng)專家對(duì)一系列方案進(jìn)行評(píng)估，也包含了解潛在收購方及其他交易伙伴的興趣，其中，部分人已經(jīng)接洽了NI。 除此之外，...  [詳內(nèi)文]

投資90億新臺(tái)幣！臺(tái)亞積極布局氮化鎵

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 01 月 16 日 16:17 |
| 分類: 氮化鎵GaN
1月13日，投資中國臺(tái)灣事務(wù)所召開“歡迎臺(tái)商回臺(tái)投資行動(dòng)方案”聯(lián)審會(huì)議，臺(tái)亞半導(dǎo)體斥資近90億臺(tái)幣擴(kuò)大投資臺(tái)灣的方案獲通過。 根據(jù)投資方案，臺(tái)亞半導(dǎo)體將在竹科廠房興建無塵室，并增設(shè)智慧化產(chǎn)線、導(dǎo)入生產(chǎn)監(jiān)控?cái)?shù)位系統(tǒng)。此舉是為了深耕氮化鎵化合物半導(dǎo)體的研發(fā)與制造，并開拓全球市場(chǎng)。預(yù)計(jì)...  [詳內(nèi)文]

湖南三安：SiC出貨量破億，訂單超65億

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 01 月 13 日 16:49 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
根據(jù)湖南三安官方微信公眾號(hào)消息，2022年，湖南三安車規(guī)級(jí)和工業(yè)級(jí)SiC功率半導(dǎo)體出貨突破1億顆，新進(jìn)訂單及長期供應(yīng)協(xié)議累計(jì)金額超65億。從產(chǎn)品應(yīng)用來看，湖南三安的SiC產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)在汽車、工業(yè)、光伏等多個(gè)領(lǐng)域應(yīng)用。 新能源汽車方面，湖南三安的SiC二極管產(chǎn)品已有7款產(chǎn)品通過AE...  [詳內(nèi)文]