文章分類： 氮化鎵GaN

羅姆確立新技術(shù)，更好地激發(fā)GaN等高速開(kāi)關(guān)器件性能

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 03 月 14 日 17:22 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，羅姆（ROHM）宣布確立了一項(xiàng)超高速驅(qū)動(dòng)控制IC技術(shù)，利用該技術(shù)可更大程度地激發(fā)出GaN等高速開(kāi)關(guān)器件的性能。 Source：羅姆 近年來(lái)，GaN器件因其具有高速開(kāi)關(guān)的特性優(yōu)勢(shì)而被廣泛采用，然而，如何提高控制IC（負(fù)責(zé)GaN器件的驅(qū)動(dòng)控制）的速度已成為亟需解決的課題。 在...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科氮化鎵項(xiàng)目在列，蘇州發(fā)布2023重點(diǎn)項(xiàng)目清單

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 03 月 14 日 17:13 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，蘇州發(fā)改委發(fā)布《2023年蘇州市重點(diǎn)項(xiàng)目清單》。2023年，蘇州安排市重點(diǎn)項(xiàng)目468個(gè)，其中418個(gè)實(shí)施項(xiàng)目，總投資1.27萬(wàn)億元，年度計(jì)劃投資2301億元；儲(chǔ)備項(xiàng)目50個(gè)，總投資1732億元。 按項(xiàng)目類別看，清單共有141個(gè)戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目，涉及電子信息、高端裝備、新材...  [詳內(nèi)文]

西安郵電大學(xué)成功在8吋硅片上制備出了高質(zhì)量的氧化鎵外延片

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 03 月 10 日 17:14 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日，西安郵電大學(xué)由電子工程學(xué)院管理的新型半導(dǎo)體器件與材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室陳海峰教授團(tuán)隊(duì)成功在8吋硅片上制備出了高質(zhì)量的氧化鎵外延片，這一成果標(biāo)志著我校在超寬禁帶半導(dǎo)體研究上取得重要進(jìn)展。 圖片來(lái)源：西郵新聞網(wǎng) 據(jù)陳海峰教授介紹，氧化鎵是一種超寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的耐高壓與日盲...  [詳內(nèi)文]

傳三星將為英飛凌代工功率半導(dǎo)體產(chǎn)品

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 03 月 10 日 17:12 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
據(jù)韓媒昨日（3/10）日?qǐng)?bào)道，三星晶圓代工部（Samsung Foundry）已經(jīng)從去年開(kāi)始為英飛凌生產(chǎn)MOSFET，未來(lái)有望為其代工基于SiC/GaN的電源管理芯片。 韓媒表示，知情人士透露，雖然三星晶圓代工部到目前為止簽訂的代工合同主要是生產(chǎn)通用型電源管理芯片，但英飛凌正在...  [詳內(nèi)文]

北京發(fā)布2023重點(diǎn)工程計(jì)劃，泰科天潤(rùn)等項(xiàng)目在列

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 03 月 10 日 16:49 |
| 分類: 氮化鎵GaN
3月10日消息，近日，北京市發(fā)改委發(fā)布了《北京市2023年重點(diǎn)工程計(jì)劃》。 今年，北京將繼續(xù)實(shí)施”3個(gè)100″市重點(diǎn)工程，推進(jìn)100個(gè)科技創(chuàng)新及高精尖產(chǎn)業(yè)、100個(gè)基礎(chǔ)設(shè)施和100個(gè)民生改善項(xiàng)目。其中新建項(xiàng)目120個(gè)，續(xù)建項(xiàng)目180個(gè)，力爭(zhēng)當(dāng)年完工項(xiàng)目54...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科推出高性價(jià)比120W氮化鎵方案，采用TO封裝，效率達(dá)94.6%

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 03 月 10 日 15:11 |
| 分類: 氮化鎵GaN
隨著終端產(chǎn)品對(duì)氮化鎵的加速應(yīng)用，氮化鎵市場(chǎng)規(guī)模進(jìn)一步擴(kuò)大。相較于硅，氮化鎵高頻率、小體積的優(yōu)勢(shì)不言而喻，但價(jià)格卻仍然讓許多方案廠商猶豫不決。英諾賽科坐擁全球最大的8英寸硅基氮化鎵晶圓制造基地，規(guī)?；慨a(chǎn)使氮化鎵成本在行業(yè)中具備較強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。 近期還推出了采用TO252 / TO...  [詳內(nèi)文]

2023年湖南電子信息制造業(yè)重點(diǎn)項(xiàng)目公布

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 03 月 09 日 17:30 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日，湖南省工信廳發(fā)布，圍繞先進(jìn)計(jì)算、新型顯示、能源電子等重點(diǎn)方向，今年鋪排42個(gè)電子信息制造業(yè)重點(diǎn)項(xiàng)目，單個(gè)項(xiàng)目投資均在5億元以上，總投資達(dá)1385億元。2023年度計(jì)劃投資473億元；項(xiàng)目建成達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計(jì)可年新增營(yíng)收1500億元以上。 其中，湖南三安半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目（二期）、...  [詳內(nèi)文]

美國(guó)NI收購(gòu)德國(guó)設(shè)備廠SET，發(fā)力汽車SiC市場(chǎng)

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 03 月 08 日 17:23 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
今年1月消息，美國(guó)自動(dòng)測(cè)試及量測(cè)系統(tǒng)廠商N(yùn)I（National Instruments，國(guó)家儀器）正在考慮出售。近日，NI又傳來(lái)了新消息，而這次是關(guān)乎并購(gòu)另外一家設(shè)備公司。 3月6日，NI宣布已通過(guò)現(xiàn)金收購(gòu)德國(guó)設(shè)備廠商SET GmbH，目標(biāo)是縮短關(guān)鍵的高度差異化解決方案的上市時(shí)間...  [詳內(nèi)文]

總投資6億、年產(chǎn)3000片，博康嘉興氮化鎵項(xiàng)目開(kāi)工

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 03 月 08 日 17:20 |
| 分類: 氮化鎵GaN
據(jù)“嘉興城南”官方消息，3月6日，博康（嘉興）半導(dǎo)體氮化鎵射頻功率芯片先導(dǎo)線項(xiàng)目正式開(kāi)工。 該項(xiàng)目總投資約6億元，占地面積46667平方米，將新建工業(yè)廠房30543平米，并引進(jìn)光刻機(jī)、磁控濺射機(jī)等設(shè)備約100臺(tái)套，用于生產(chǎn)通信用氮化鎵射頻芯片先導(dǎo)線，預(yù)計(jì)年產(chǎn)能將為3000片。 項(xiàng)...  [詳內(nèi)文]

38億買入+25億投資，中瓷電子大手筆進(jìn)軍第三代半導(dǎo)體

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 03 月 08 日 17:18 |
| 分類: 產(chǎn)業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
以碳化硅與氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)正如火如荼地發(fā)展著，而“圍墻”之外的企業(yè)亦對(duì)此賽道十分看重。近日，中瓷電子資產(chǎn)重組重新恢復(fù)審核，其對(duì)第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的開(kāi)拓有了新的進(jìn)展。 “蛇吞象”式并購(gòu)，中瓷電子擬38億買入標(biāo)的 3月6日晚間，中瓷電子發(fā)布公告稱，公司于2023年3月3日...  [詳內(nèi)文]