Polar與瑞薩電子達成硅基氮化鎵技術授權協(xié)議

作者 | 發(fā)布日期 2025 年 04 月 18 日 13:36 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN

4月16日,美國Polar Semiconductor公司宣布與日本瑞薩電子株式會社(簡稱“瑞薩電子”)達成戰(zhàn)略協(xié)議,獲得其硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術授權。

source:集邦化合物半導體截圖

Polar Semiconductor 作為美國唯一一家專門從事傳感器、電源和高壓半導體代工的廠商,在半導體制造領域擁有深厚的技術積累和豐富的生產經驗。瑞薩電子則是全球領先的半導體解決方案供應商,在嵌入式處理、模擬、電源及連接方面具備專業(yè)知識,提供完整的半導體解決方案。

此次雙方達成戰(zhàn)略協(xié)議,Polar Semiconductor 將獲得瑞薩電子的硅基氮化鎵技術授權,并在其明尼蘇達州工廠為瑞薩電子和其他客戶制造高壓650V級硅基氮化鎵器件。

據(jù)悉,Polar Semiconductor 明尼蘇達州工廠最近擴建了最先進的加工和自動化設備,旨在滿足對下一代半導體解決方案日益增長的需求。

Polar Semiconductor 總裁兼首席運營官 Surya Iyer 表示:“這項許可和商業(yè)生產協(xié)議強調了我們對加強美國半導體生態(tài)系統(tǒng)的承諾。GaN 是電源和射頻領域改變游戲規(guī)則的技術,與瑞薩電子合作,我們有能力提高商業(yè)生產,推動下一波半導體創(chuàng)新?!?/p>

瑞薩電子電源產品集團高級副總裁兼總經理Chris Allexandre說:“我們很高興與Polar合作,將我們經過驗證的氮化鎵技術擴展到200毫米晶圓,并在廣泛的電源轉換市場中利用我們的專業(yè)知識,從基礎設施和人工智能到能源和工業(yè)到電動汽車和電動汽車到高價值物聯(lián)網(wǎng)?!保罨衔锇雽w整理)

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