文章分類： 企業(yè)

碳化硅設備廠商睿勵科學儀器完成5億元融資

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 11 月 06 日 18:00 | | 分類: 企業(yè)
近日，碳化硅設備細分領域融資風云再起，國內又有一家碳化硅晶圓檢測設備企業(yè)完成新一輪融資。 11月4日，據“張通社”消息，睿勵科學儀器（上海）有限公司（以下簡稱：睿勵科學儀器）近日宣布完成近5億元戰(zhàn)略融資，本輪融資由金石投資和招商致遠聯合領投，河南資產、金信資本、鼎青投資等跟投，融...  [詳內文]

天岳先進成功交付液相法P型碳化硅襯底

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 11 月 06 日 18:00 |
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11月6日，據天岳先進官微消息，天岳先進近日向客戶成功交付高質量低阻P型碳化硅襯底。天岳先進表示，高質量低阻P型碳化硅襯底將加速高性能SiC-IGBT的發(fā)展進程，實現高端特高壓功率器件國產化。 source：天岳先進 據介紹，針對高壓大功率電力電子器件用P型碳化硅單晶襯底存在的...  [詳內文]

國內實現6英寸AlN單晶復合襯底和晶圓制造全流程突破

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 11 月 06 日 16:13 | | 分類: 企業(yè)
近日，松山湖材料實驗室第三代半導體團隊與西安電子科技大學郝躍院士課題組張進成教授、李祥東教授團隊，以及廣東致能科技有限公司聯合攻關，成功基于2~6英寸AlN單晶復合襯底制備了高性能GaNHEMTs晶圓。 得益于AlN單晶復合襯底的材料優(yōu)勢 (位錯密度居于2×108 cm-2數量級...  [詳內文]

PI推出1700V氮化鎵開關IC

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 11 月 05 日 18:00 |
| 分類: 企業(yè)
11月4日，據Power Integrations（PI）官微消息，其推出了InnoMux?-2系列單級、獨立調整多路輸出離線式電源IC的新成員。新器件采用PI專有的PowiGaN?技術制造而成，據稱是業(yè)界首款1700V氮化鎵開關IC。 source：PI電源芯片 據介紹，17...  [詳內文]

今年第二家，揚杰科技再成立新公司

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 11 月 05 日 18:00 |
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近期，繼碳化硅相關廠商中車時代半導體、江豐電子分別成立新公司后，揚杰科技也成立了一家新公司，這是揚杰科技今年新成立的第二家公司。 天眼查資料顯示，2024年11月1日，揚州東興揚杰研發(fā)有限公司成立，法定代表人為梁瑤，注冊資本500萬人民幣，經營范圍含集成電路芯片設計及服務、電力...  [詳內文]

意法半導體、愛思強披露最新業(yè)績

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 11 月 05 日 15:42 | | 分類: 企業(yè)
近日，意法半導體、愛思強披露了2024年Q3業(yè)績。 意法半導體：加快碳化硅產能升級 意法半導體前三季實現凈營收99.5億美元（折合人民幣約706.3億元），同比下降23.5%；毛利率39.9%；營業(yè)利潤率13.1%，凈利潤12.2億美元（折合人民幣約86.6億元）。 2024年第...  [詳內文]

世界先進董事長：碳化硅芯片代工沒有降價

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 11 月 05 日 15:39 |
| 分類: 企業(yè)
世界先進董座方略宣布，未來公司在化合物半導體端不會缺席，旗下氮化鎵（GaN）今年實現量產，而隨著碳化硅（SiC）襯底價格下降，應用會更廣。 方略提到，世界先進的氮化鎵業(yè)務已經運作了7~8年，今年實現量產。在碳化硅方面，隨著襯底價格往下降，其應用范圍有望進一步擴大。 值得一提的是，...  [詳內文]

晶馳機電碳化硅外延設備項目正式投產

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 11 月 04 日 18:00 |
| 分類: 企業(yè)
11月3日，據“網信正定”官微消息，位于河北正定高新技術產業(yè)開發(fā)區(qū)的晶馳機電半導體材料裝備研發(fā)生產項目于11月2日舉行投產儀式。 source：網信正定 據悉，晶馳機電在今年7月11日與河北正定縣舉行半導體材料裝備研發(fā)生產項目簽約儀式。簽約儀式上，正定縣人民政府、正定國控集團分...  [詳內文]

價值超30億，美國廠商Pallidus終止碳化硅項目

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 11 月 01 日 17:10 |
| 分類: 企業(yè)
10月30日，據美國先驅報報道，紐約碳化硅材料廠商Pallidus終止了搬遷及新建工廠計劃。 據此前報道，2023年2月，Pallidus與約克郡達成協議，以經濟激勵為交換條件搬遷至Rock Hill，工廠占地達30 萬平方英尺。 該公司此前計劃投資4.43億美元（折合人民幣約3...  [詳內文]

加速氧化鎵產業(yè)化，國內2家企業(yè)發(fā)力

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 10 月 31 日 17:11 | | 分類: 企業(yè)
氧化鎵作為一種新興的半導體材料，受益于其優(yōu)良的物理特性，成為了以碳化硅為代表的第三代半導體的潛在競爭者。目前，國內外企業(yè)正在加速推進氧化鎵的產業(yè)化。近期，鎵仁半導體和富加鎵業(yè)分別在氧化鎵材料和功率器件領域有了新突破。 鎵仁半導體采用鑄造法生長6英寸氧化鎵單晶 據鎵仁半導體官微消息...  [詳內文]