近日，晶升股份官微宣布，在2026年春節(jié)前期，晶升股份自主研發(fā)的首臺CZT（碲鋅鎘）晶體生長設備樣機順利出貨。
據介紹，此次出貨的CZT晶體生長設備，精準適配CZT晶體生長核心工藝需求，設備可穩(wěn)定承受數MPa高壓，在嚴苛工況下能完成坩堝高精度升降、旋轉等動作，搭載多段加熱器，可實現800-1100℃精準控溫，其工藝腔體設計與熱場控制系統(tǒng)可兼容磷化銦（InP）單晶的生長條件，可快速應用于高頻電子器件襯底的制備。此外，該平臺還具備向砷化鎵（GaAs）、碲化鎘（CdTe）等化合物半導體材料拓展的潛力。
CZT晶體作為重要的II-VI族化合物半導體材料，擁有優(yōu)異的室溫核輻射探測性能、高電阻率及良好的能量分辨率，是高端輻射探測的核心基石，廣泛應用于核醫(yī)學成像、安檢設備、空間探測、工業(yè)無損檢測及國防安全等多個戰(zhàn)略領域。
資料顯示，晶升股份成立于2012年，專注于晶體生長設備和材料制備技術的研發(fā)、生產與銷售，重點攻克大尺寸半導體級單晶硅爐、碳化硅（SiC）長晶爐等關鍵裝備的技術難題。目前，公司主營業(yè)務涵蓋半導體級單晶硅爐、碳化硅單晶爐等核心產品。
2025年12月29日，公司宣布自主研發(fā)的12英寸碳化硅單晶爐已完成小批量發(fā)貨并正式交付客戶使用，為12英寸碳化硅在先進封裝及AR眼鏡等新興領域的應用奠定了堅實的國產化材料根基。
2026年1月，公司將對全資子公司南京晶升半導體科技有限公司的20255萬元募集資金無息借款轉為增資，用于半導體晶體生長設備總裝測試廠區(qū)建設項目，近日該子公司已完成工商變更登記手續(xù)，為后續(xù)產能擴張奠定基礎。
（集邦化合物半導體整理）
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