5月23日，蘇州東微半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“東微半導(dǎo)”）發(fā)布公告稱(chēng)，公司核心技術(shù)人員劉磊先生因個(gè)人職業(yè)發(fā)展原因申請(qǐng)辭去核心技術(shù)人員職務(wù)，辭職后將不再擔(dān)任公司任何職務(wù)。
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圖片來(lái)源：東微半導(dǎo)體公告截圖
東微半導(dǎo)在公告中明確表示，劉磊先生的離職不會(huì)對(duì)公司的技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)品創(chuàng)新、核心競(jìng)爭(zhēng)力與持續(xù)經(jīng)營(yíng)能力產(chǎn)生不利影響。東微半導(dǎo)強(qiáng)調(diào)，公司高度重視人才隊(duì)伍建設(shè)和研發(fā)工作，已組建了經(jīng)驗(yàn)豐富、結(jié)構(gòu)合理的高素質(zhì)研發(fā)團(tuán)隊(duì)。截至2024年末，公司研發(fā)人員數(shù)量為69人，占公司總?cè)藬?shù)的43.67%。
據(jù)悉，2025年第一季度，東微半導(dǎo)實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入2.83億元，同比增長(zhǎng)63.41%；歸母凈利潤(rùn)780.57萬(wàn)元，同比增長(zhǎng)81.78%，顯示出公司在營(yíng)收和利潤(rùn)方面的強(qiáng)勁增長(zhǎng)。
在5月9日的機(jī)構(gòu)調(diào)研中，東微半導(dǎo)表示未來(lái)將在中低壓屏蔽柵、IGBT、模塊和第三代半導(dǎo)體等品類(lèi)上推出更多產(chǎn)品，產(chǎn)品結(jié)構(gòu)將從單品大品類(lèi)布局走向更加多元化。
據(jù)悉，東微半導(dǎo)在#第三代半導(dǎo)體?領(lǐng)域，尤其是1200V SiC功率器件平臺(tái)的研發(fā)和應(yīng)用拓展方面，取得了顯著進(jìn)展。該公司已完成第二代1200V SiC MOSFET的流片，器件靜態(tài)參數(shù)達(dá)標(biāo)，正在進(jìn)行平臺(tái)搭建以及代表產(chǎn)品穩(wěn)定量產(chǎn)。
在產(chǎn)品應(yīng)用方面，東微半導(dǎo)的SiC MOSFET產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于新能源汽車(chē)車(chē)載充電機(jī)、光伏逆變及儲(chǔ)能、高效率通信電源、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器高效率電源等領(lǐng)域。這些應(yīng)用領(lǐng)域不僅涵蓋了新能源汽車(chē)和光伏等熱門(mén)行業(yè)，還擴(kuò)展到了通信和數(shù)據(jù)中心等對(duì)功率器件性能要求較高的領(lǐng)域。
（集邦化合物半導(dǎo)體 EMMA 整理）
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