匯成真空與武漢理工共同開(kāi)發(fā)SiC晶圓外延單片機

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 06 月 13 日 18:00 | 分類(lèi) 企業(yè)

6月11日,廣東匯成真空科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)匯成真空)在投資者互動(dòng)平臺表示,其與武漢理工大學(xué)簽訂了《碳化硅晶圓外延單片機熱、流場(chǎng)設計的技術(shù)開(kāi)發(fā)合同書(shū)》,合作內容為雙方共同參與SiC晶圓外延單片機系統中真空系統、溫場(chǎng)、氣路系統的設計。

圖片來(lái)源:拍信網(wǎng)正版圖庫

官網(wǎng)資料顯示,匯成真空成立于2006年,是一家面向全球的真空應用解決方案提供商,研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售光學(xué)鍍膜設備、功能性薄膜涂層設備、裝飾涂層設備、卷繞鍍膜設備、汽車(chē)零部件鍍膜設備、連續式磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線(xiàn)、超高真空系統等真空設備、ALD原子層沉積設備、半導體設備、電子生產(chǎn)設備、光電設備、光伏設備、動(dòng)力電池設備及產(chǎn)品相關(guān)配件,專(zhuān)注設備與產(chǎn)品的相關(guān)制造工藝和應用技術(shù)、控制軟件、工藝流程控制軟件及相關(guān)生產(chǎn)自動(dòng)化軟件的研發(fā)、應用。

?技術(shù)方面,匯成真空重點(diǎn)發(fā)展連續式磁控鍍膜生產(chǎn)線(xiàn)、柔性薄膜卷繞鍍膜技術(shù)、光學(xué)鍍膜技術(shù)及離子鍍膜技術(shù),包括非平衡磁控、中頻磁控濺射、電弧蒸發(fā)源、離子源輔助鍍膜、電子束蒸發(fā)、PECVD等多種核心技術(shù)組合,針對每個(gè)行業(yè)的特殊需求,將尖端設備技術(shù)和綜合工序以及應用專(zhuān)業(yè)技術(shù)相結合,從研發(fā)、原型制作到批量生產(chǎn),提供定制化的真空應用工藝技術(shù)及設備解決方案。

SiC業(yè)務(wù)方面,近日,匯成真空公開(kāi)一項“一種高均勻性碳化硅高溫氧化爐”專(zhuān)利,申請公布號為CN117824353A,申請日期為2024年1月2日。

該專(zhuān)利摘要顯示,本發(fā)明公開(kāi)了一種高均勻性碳化硅高溫氧化爐,其包括工藝腔體、晶圓架、爐門(mén)、預加熱腔和旋轉機構,爐門(mén)通過(guò)升降機構安裝在工藝腔體的下方,工藝腔體內部設有工藝爐管和加熱器,晶圓架通過(guò)旋轉機構安裝在爐門(mén)上,使用時(shí)由旋轉機構帶動(dòng)晶圓架轉動(dòng);預加熱腔安裝在工藝腔體的上面,預加熱腔通過(guò)氣體通道與工藝爐管連通,預加熱腔內設有預加熱裝置,預加熱腔上設置進(jìn)氣口,工藝腔體的遠離預加熱腔的位置設置抽氣口;使用時(shí)從進(jìn)氣口輸入工藝氣體,工藝氣體經(jīng)預加熱腔的預加熱裝置加熱后再進(jìn)入工藝爐管內,同時(shí)從抽氣口抽出氣體。本發(fā)明能更均勻的對內部的晶圓片進(jìn)行加熱,從而得到更高質(zhì)量的碳化硅柵氧層。

6月5日,匯成真空首次公開(kāi)發(fā)行股票并在深交所創(chuàng )業(yè)板成功上市。(集邦化合物半導體Zac整理)

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