5月8日，據北一半導體官微披露，其成功完成了B+輪融資，由上海吾同私募基金管理有限公司領投的1億元資金已經到位，另有5000萬元投資金額在結尾工作中，預計本輪融資總額將達到1.5億元。
圖片來源：拍信網正版圖庫
北一半導體表示，本輪融資資金將主要用于SiC MOSFET技術的進一步研發(fā)，以及產線的升級與擴建。一方面，通過加大研發(fā)投入，加快技術創(chuàng)新的步伐，提升SiC MOSFET的性能指標和生產效率；另一方面，通過產線的升級與擴建，提高生產規(guī)模，滿足市場需求，推動SiC MOSFET的產業(yè)化進程。
此前，北一半導體曾在2023年6月完成超1.5億元B輪融資，本輪融資由基石資本領投，金鼎資本、中金資本參投，本輪融資資金主要用于加速公司產線擴建、產品研發(fā)、團隊擴建以及市場拓展等。
官微資料顯示，北一半導體成立于2017年，總部位于深圳市，生產基地位于黑龍江省穆棱市，是一家專注于Si基、SiC基功率半導體芯片及模塊研發(fā)、模塊生產、銷售的廠商。北一半導體目前在研產品包括精細溝槽柵IGBT芯片、溝槽柵SiC MOSFET芯片、雙面散熱模塊等，產品廣泛應用于工業(yè)變頻、感應加熱、新能源汽車、風電及光伏領域。
SiC業(yè)務方面，2018年，北一半導體成立SiC芯片開發(fā)項目組，進行SiC二極管及MOSFET芯片調研規(guī)劃；2019年，其1200V 20A SiC JBS二極管產出，可靠性通過工業(yè)級考核，1200V 40mΩ MOSFET芯片工程批流片；2021年，其1200V SiC JBS二極管及MOSFET分立器件在電源領域獲得批量訂單；2022年，北一半導體完成1200V等級SiC MPS芯片開發(fā)，浪涌電流達到12倍額定電流，新能源汽車用750V、1200V等級IGBT及SiC模塊獲小批量訂單；2023年，北一半導體完成650V及1200V溝槽柵SiC MOSFET芯片設計。
項目方面，2023年1月，北一半導體新建二期廠房正式全面投入使用。二期占地面積超過12500平米，產能進一步擴大，能夠滿足HPD模塊、IGBT模塊、PIM模塊、IPM模塊、SiC模塊大量生產條件。（集邦化合物半導體Zac整理）
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